Kim, Hae-Kyoung;Lee, Won-Mok;Park, Sam-Dae;Chang, Yoon-Ju;Jung, Jin-Chul;Chang, H.
Proceedings of the Polymer Society of Korea Conference
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2006.10a
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pp.271-271
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2006
The present article describes a novel method of preparing the sulfonated polysulfone-based PEMs for DMFC, which are excellent in film quality, proton conductivity, methanol impermeability and mechanical properties. No depression in film quality or difficulty in film preparation is observed, even though sulfonated group of the PEMs are kept as high as 70 mol %. Allyl-terminated cooligo-PESs containing the organic sulfonate groups were solvent-cast into films and then thermally treated for cross-linking. Cross-linked sulfonated polysulfone-based PEMs gave unprecedented reduction of methanol cross-over and high ionic conductivity through in-situ thermal polymerization and cross-linking of telechelic sulfonated sulfone oligomers during a membrane preparation.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.18
no.1
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pp.35-40
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1981
Thin films of SnO2, SnO2-ZnO and ZnO were prepared by the spray. chemical vapor deposition and vacuum evaporation method. They had good sensitivity to various gases involving toxic gases(i. e. SO2, CO). The change in conductivity of thin film guts sensors prepared was considered as the change in carrier concentration caused by gas absorption. And also the conductivity of the thin film elements had great dependence on atmospheric pressuie around them.
Lithium diffusivity of the silicon (Si)-based materials of Si-Cu and $SiO_x$ (x = 0.4, 0.85) with improved interfacial stability to electrolyte have been determined, using variable rate cyclic voltammetry with film model electrodes. Lithium diffusivity is found to depend on the intrinsic properties of anode material and electrolyte; the fraction of oxygen for $SiO_x$ (x = 0.4, 0.85), which is directly related to electrical conductivity, and the electrolyte type with different ionic conductivity and viscosity, carbonate-based liquid electrolyte or ionic liquid-based electrolyte, affect the lithium diffusivity.
Proceedings of the Korean Society For Composite Materials Conference
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2002.10a
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pp.288-291
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2002
The carbon fiber or glass fiber reinforced prepregs were manufactured using electrostatic flocking technology. The powder of high density polyethylene was used as a matrix. The base film of polyethylene was prepared using a fluidized bed of polyethylene powder under the high electric field. We obtained HDPE film with uniform thickness of minimum $80\mu\textrm{m}$. And the fibers were aligned on the molten HDPE film by the electroflocking process. The short fibers with 1mm were easily electrically charged and aligned under the high electric field. The carbon fibers with high conductivity were elasily electrically charged than the glass fibers with low conductivity. So lower electric field was needed for the carbon fibers.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.1
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pp.52-59
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2000
In order to develop the transparent anti-static film with higher than 80% transparency to visible light, organic conductive compounds, N-methyl phenazinium 7,7,8,8-tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) com-plex salts was synthesized and bar-coated on the polythylene terephthalate (PET) film using polymer binders. The best surface properties were obtained when acrylic binder was used. A single layer of TCNQ made of a acrylic binder showed a surface resistance of 10\ulcorner $\Omega$/ , a conductivity of 10\ulcorner S/cm, and a transparency of 75%. An optical microscopic examination revealed that the binder was first solidi-fied on the surface of PET film over which the needle-shaped TCNQ crystals were grown. An acrylic polyol coating over the TCNQ layer improved the transparency to 87%, becuase the acrylic polyol covers the surface of TCNQ crystals to reduce the surface roughness. This conductive material has thermal stability at room temperature and 4$0^{\circ}C$ over 4,000 h.
We have prepared hydrogenated amophous silicon (a-si : H) films with superlattice structure by hydrogen radical anneling(HRA) technique. We have studied the preparation of a-Si :H films by HRA and the optical & electronic characteristics. Optical band gap and the hydrogen contents in the a Si : H film is decreased as HRA time increased. We first report a -Si : H film prepared by periodicdeposition of a-Si : H layer and HRA have the superlattice structure using TEM . After 1 hour light soaking on the a-Si :H film prepared by HRA, there are no difference in the temperatre dependence of dark conductivity and the conductivity activation energy. An excellent stability for light in a-Si :H films by HRA can be explained using the long-range structural relaxation of the amorphous network and the propertiesof light -induced defects(LID) proposed by Fritzsche.
Lim, Young Taek;Shin, Paik-Kyun;Choi, Sun-Kyu;Lee, Sunwoo
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.11
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pp.736-739
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2014
In this paper, we propose a enhanced anti-corrosion property of the ground system by coating the CNT/PVDF composite film on it. Polymer material used for preventing the corrosion of ground system is polyvinylidene fluoride (PVDF), and conducting filler for obtaining conductivity of the composite film is multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs). The MWCNTs were dispersed in the organic solvent of methyl ethyl ketone 2-butanone (MEK) with different concentration ratios, and the PVDF was solved in the MEK solvent with constant concentration ratio of 1 wt%. The CNT/PVDF composite solution was perpared by mixing and re-dispersing the CNT solution and the PVDF solution. Finally, the CNT/PVDF composite films were fabricated by the spray coating method using the above composite solution. Electrical conductivity, surface states, and anti-corrosion property of the CNT/PVDF composite films coated on the Cu substrate were evaluated. We found that the CNT/PVDF composite film showed relatively low resistance, hydrophobic surface state, and chemical stability. Consequently, we could improve the anti-corrosion property and maintain the electrical conductivity of the ground system by coating the CNT/PVDF composite film on it.
Pt nanopowder-dispersed $SiO_2$ (SOP) films were prepared by RF co-sputtering method using Pt and $SiO_2$ targets in Ar atmosphere. The growth rate and Pt content in the film were controlled by means of manipulating the RF power of Pt target while that of $SiO_2$ was fixed. The roughness of the film was increased with increasing the power of Pt target, which was mainly due to the increment of the size and planar density of Pt nanopowder. It was revealed that SOP film formed at 10, 15, 20 W of Pt power contained 2.3, 2.7, and 3.0 nm of spherical Pt nanopowder, respectively. Electrical conductivity of SOP films was exponentially increased with increasing Pt power as one can expect. Interestingly, conductivity of SOP films from Hall effect measurement was greater than that from DC I-V measurement, which was explained by the significant increase of electron density.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.175-175
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2010
Transparent conducting oxide (TCO) films are widely used as transparent conducting thin film material for application in various fields such as solar cells, optoelectronic devices, heat mirrors and gas sensors, etc. Recently the increased utilization of many transparent electrodes has accelerated the development of inexpensive TCO materials. Indium tin oxide (ITO) film is well-known for TCO materials because of its low resistivity, but there is disadvantage that it is too expensive. ZnO film is cheaper than ITO but it shows thermally poor stability. On the contrary, antimony-doped tin oxide films (ATO) are more stable than TCO films such as Al-doped zinc oxide (AZO) and ITO. Moreover, SnO2 film shows the best thermal and chemical stability, low cost and mechanical durability except the poor conductivity. However, annealing is proved to improve the conductivity of ATO film. Therefore, in this work, antimony (6 wt%) doped tin oxide films to improve the conductivity were deposited on 7059 corning glass by RF magnetron sputtering method for the application to transparent electrodes. In general, of all TCO films, glass is the most commonly selected substrate. However, for future development in flexible devices, glass is limited by its intrinsic inflexibility. In this study, we report the growth and properties of antimony doped tin oxide (ATO) films deposited on PES flexible substrate by using RF magnetron sputtering. The optimization process was performed varying the sputtering parameters, such as RF power and working pressure, and parameter effect on the structural, electrical and optical properties of the ATO films were investigated.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2018.06a
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pp.52-52
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2018
Only approximately 30% of fossil fuel energy is used; therefore, it is desirable to utilize the huge amounts of waste energy. Thermoelectric (TE) materials that convert heat into electrical power are a promising energy technology. The TE materials can be formed either as thin films or as bulk semiconductors. Generally, thin-film TE materials have low energy conversion rates due to their thinness compared to that in bulk. However, an advantage of a thin-film TE material is that the efficiency can be smartly engineered by controlling the nanostructure and composition. Especially nanostructured TE thin films are useful for mitigating heating problems in highly integrated microelectronic devices by accurately controlling the temperature. Hence, there is a rising interest in thin-film TE devices. These devices have been extensively investigated. It is demonstrated that transparent amorphous oxide semiconductors (TAOS) can be excellent thermoelectric (TE) materials, since their thermal conductivity (${\kappa}$) through a randomly disordered structure is quite low, while their electrical conductivity and carrier mobility (${\mu}$) are high, compared to crystalline semiconductors through the first-principles calculations and the various measurements for the amorphous In-Zn-O (a-IZO) thin film. The calculated phonon dispersion in a-IZO shows non-linear phonon instability, which can prevent the transport of phonon. The a-IZO was measured to have poor ${\kappa}$ and high electrical conductivity compared to crystalline $In_2O_3:Sn$ (c-ITO). These properties show that the TAOS can be an excellent thin-film transparent TE material. It is suggested that the TAOS can be employed to mitigate the heating problem in the transparent display devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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