The primary purpose of this research is to investigate how much the complexing agent in electroless Cu electrolytes will affect adhesion strength between copper film and Ta diffusion barrier for Cu interconnect of semiconductor. The adhesion strength using rochelle's salt as complexing agent was higher than the case of using EDTA-4Na. Effect of complexing agent on adhesion strength and electrical resistivity was studied in crystal structural point of view.
A systematic study of Cu CMP in terms of the effect of slurry chemicals(oxidizer, corrosion inhibitor, complexing agent) on the process characteristics has been performed. In acidic media, a corrosion inhibitor, benzotriazole(BTA) and tolytriazol(TTA) was used to control the removal rate and avoid isotropic etching. When complexing agent is added with $H_2O_2$ 2wt% in the slurry, a corrosion rate was presented very good. Most of in, it was appeared that BTA is possible to be replaced by TTA. The tartaric acid was distinguished for the effect among complexing agents. n we apply this results to copper CMP process, it is thought that we will be able to obtain better yield.
Kim, Sang-Yong;Kim, Nam-Hoon;Kim, In-Pyo;Chang, Eui-Goo;Seo, Yong-Jin;Chung, Hun-Sang
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제4권6호
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pp.28-31
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2003
Copper CMP in terms of the effect of slurry chemicals (oxidizer, corrosion inhibitor, complexing agent) on the process characteristics has been performed. Corrosion inhibitors, benzotriazole (BTA) and tolytriazol (TTA) were used to control the removal rate and avoid isotropic etching. When complexing agent is added with H$_2$O$_2$ 2 wt% in the slurry, the corrosion rate was presented very well. In the case of complexing agent, it was estimated that the proper concentration is 1 wt%, because the addition of tartaric acid to alumina slurry causes low pH and the slurry dispersion stability become unstable. There was not much change of the removal rate. It was assumed that BTA 0.05 wt% is suitable. Most of all, it was appeared that BTA is possible to be replaced by TTA. TTA was distinguished for the effect among complexing agents.
Deposition characteristics of electroless plated Ni-W-P films were investigated for various complexing agents. Used complexing agents are sodium citrate, sodium gluconate and sodium malonate. In this study, the existing mixed potential theory could explain the overall mechanism of Ni-W-P electroless plating for all complexing agents. The deposition rate could be also expected by the theory. The deposited Ni-W-P films were evaluated in term of surface hardness and corrosion resistance. Microhardness of the deposit increased about 1,000 Hv after heat treatment for one hour at $400^{\circ}C$, because it was above the crystallization temperature of $Ni_3P$. The deposited Ni-W-P films can exhibit excellent corrosion resistance in using sodium malonate as a complexing agent, the other hand the using sodium gluconate was the worst corrosion resistance. The worst corrosion resistance was due to a large number of nano-sized pin-holes or small pores. The plating current at the mixed potential increases when the using sodium malonate as a complexing agent, it was explained by the cross section.
The electroless nickel plating on high alumina ceramics was performed in the bath containing nickel chloride, sodium hypophosphite and mono- or bi-carboxylic acid as a complexing agent in order to examine the empirical rate law as well as the effects of the complexing agent, plating temperature and pH on the rate of deposition. Adding the carboxylic acid to the plating bath, the rate of deposition was increased considerably, and each of the complexing agents showed a maximum deposition rate plateau around a particular concentration of the complexing agent. The rate of deposition was increased with increasing either temperature or pH, but microstructure of the surface became more rough. Furthermore, empirical rate law of the elecltroless nickel deposition on high alumina ceramics was discussed with the activation energy and other rate parameters calculated.
Gold plating is used as a coating of connecter in printed circuit boards, ceramic integrated circuit packages, semiconductor devices and so on, because the film has excellent electric conductivity, solderability and chemical properties such as durability to acid and other chemicals. As increasing the demand for miniaturization of printed circuit boards and downsizing of electronic devices, several types of electroless gold plating solutions have been developed. Most of these conventional gold plating solutions contain cyanide compounds as a complexing agent. The gold film obtained from such baths usually satisfies the requirements for electronic parts mentioned above. However, cyanide bath is highly toxic and it always has some possibility to cause serious problems in working environment or other administrative aspects. The object of this investigation was to develop a cyanide-free electroless gold plating process that assures the high stability of the solution and gives the excellent solderability of the deposited film. The investigation reported herein is intended to establish plating bath composition and plating conditions for electroless gold plating, with thiomalic acid as a complexing agent. At the same time, we have investigated the solution stability against nickel ion and pull strength of solder ball. Furthermore, by examining the characteristics of the plated Au plating film, the problems of the newly developed electroless Au plating solution were improved and the applicability to various industrial fields was examined. New type electroless gold-plating bath which containing thiomalic acid as a complexing agent showing so good solution stability and film properties as cyanide bath. And this bath shows the excellent stability even if the dissolved nickel ion was added from under coated nickel film, which can be used at the neutral pH range.
In the non-cyanide-based electroless Au plating solution using thiomalic acid as a complexing agent and aminoethanethiol as a reducing agent, analysis of each component constituting the plating solution is essential for the analysis of the reaction mechanism. And component analysis in the plating solution is important for monitoring component changes in the plating process and optimizing the management method. Capillary Electrophoresis (CE) method is rapid, sensitive and quantitative and could be readily applied to analysis of Aun+ ion, complexing agent and reducing agent in electroless Au plating solution. In this study, the capillary electrophoresis method was used to analyze each component in the electroless Au plating solution in order to elucidate the complex bonding form and the plating mechanism of the non-cyanide-based electroless Au plating bath. The purpose of this study was to establish data for optimizing the monitoring and management method of plating solution components to improve the uniformity of precipitation and stability. As a result, it was confirmed that the analysis of thiomalic acid as a complexing agent and Aun+ ions and the analysis of aminoethanethiol as a reducing agent were possible by capillary electrophoresis. In the newly developed non-cyanide-based electroless Au plating solution, it was confirmed that Aun+ ions exist in the form of Au+ having a charge of +1, and that thiomalic acid and Au+ are combined in a molar ratio of 2 : 1. In addition, it was confirmed that aminoethanethiol can form a complex by combining with Au+ ions depending on conditions as well as acting as a reducing agent.
A versatile method for performing non-cyanide electroless gold plating using thiomalic acid (TMA) as a complexing agent and 2-aminoethanethiol (AET) as a reducing agent was investigated. It was found that TMA was an excellent complexing agent for gold. It can be used in electroless gold plating baths at a neutral pH with a high solution stability, makes it a potential candidate to replace conventional toxic cyanide complex. It was found that one gold atomic ion could bind to two TMA molecules to form the [2TMA-Au+] complex in a solution. AET can be used as a reducing agent in electroless gold plating solutions. The highest current density was obtained at electrode rotation rate of 250 to 500 rpm based on anodic and cathodic polarization curves with the mixed potential theory. Increasing AET concentration, pH, and temperature significantly increased the anodic polarization current density and shifted the plating potential toward a more negative value. The optimal gold ion concentration to obtain the highest current density was 0.01 M. The cathodic current was higher at a lower pH and a higher temperature. The current density was inversely proportional to TMA concentration.
Chemical mechanical polishing (CMP) achieves surface planrity through combined mechanical and chemical means. The role of slurry is very important in metal CMP. Slurry used in metal CMP normally consists of oxidizers, complexing agents, corrosion inhibitors and abrasives. This paper investigates the effects of citric acid as a complexing agent for Cu CMP with $H_2O_2$. In order to study chemical effects of citric acid, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was peformed on Cu sample after etching test. XPS results reveal that CuO, $Cu(OH)_2$ layer decrease but $CU/CU_2O$ layer increase on Cu sample surface. To investigate nanomechanical properties of Cu sample surface, nanoindentation was performed on Cu sample. Results of nanoindentation indicate wear resistance of Cu surface decrease. According to decrease of wear resistance on Cu surface removal rate increases from $285\;{\AA}/min\;to\;8645\;{\AA}/min$ in Cu CMP.
Electroless plating of nickel was studied electrochemically in the presence of complexing agents. Nickel sulfate solution with dimethylamine borance(DMAB) as the reducing agent was used. Effects of temperature pH, concentration and complexing agents-citric acid, EDTA, tartaric acid-were studied.Experimental meas-urements showed that the rate of electroless nickel deposition was closely related to electrochemical parame-ters such as temdperature, pH, concentration and the properties of complexing agets.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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