• 제목/요약/키워드: Coaling

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$Y_2SiO_5$:Ce 청색 형광체의 표면 코팅에 따른 음극선 발광특성 (The Cathodoluminance Properties of $Y_2SiO_5$:Ce Blue Phosphor with Surface Coatings)

  • 음현중;김성우;이임렬
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.590-593
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    • 1999
  • $Y_2SiO_5$:Ce was considered as blue phosphor for field emission display because it had an excellent resistance against brightness saturation. But unfortunately It hadn't a sufficient brightness to be applied to FED. In this experiment It-$In_2O_3$, MgO and $SiO_2$ were coated onto $Y_2SiO_5$:Ce phosphor in order to improve the cathodoluminance(CL properties. The coating structures were identified to be the crystalline phases of $In_2O_3$ and MgO respectively. They had fine particle-like shape and were distributed on the surface of $Y_2SiO_5$:Ce phosphor. It was found that the CL efficiency of $Y_2SiO_5$:Ce phosphors were decreased after coatings with In20:j and MgO in voltage range from 500 V to 5 kV. But the brightness of $Y_2SiO_5$:Ce phosphor was increased after coating of 5 0 2 . And also the aging test showed that $In_2O_3$ coating improved the life time of $Y_2SiO_5$:Ce phosphor.

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비진공 나노입자 코팅법을 이용한 CIGS 박막 태양전지 제조 (Fabrication of CIGS Thin Film Solar Cell by Non-Vacuum Nanoparticle Deposition Technique)

  • 안세진;김기현;윤경훈
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2006년도 춘계학술대회
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    • pp.222-224
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    • 2006
  • A non-vacuum process for $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) thin film solar cells from nanoparticle precursors was described in this work CIGS nanoparticle precursors was prepared by a low temperature colloidal route by reacting the starting materials $(CuI,\;InI_3,\;GaI_3\;and\;Na_2Se)$ in organic solvents, by which fine CIGS nanoparticles of about 20nm in diameter were obtained. The nanoparticle precursors were mixed with organic binder material for the rheology of the mixture to be adjusted for the doctor blade method. After depositing the mixture of CIGS with binder on Mo/glass substrate, the samples were preheated on the hot plate in air to evaporate remaining solvents ud to burn the organic binder material. Subsequently, the resultant (porous) CIGS/Mo/glass simple was selenized in a two-zone Rapid Thermal Process (RTP) furnace in order to get a solar ceil applicable dense CIGS absorber layer. Complete solar cell structure was obtained by depositing. The other layers including CdS buffer layer, ZnO window layer and Al electrodes by conventional methods. The resultant solar cell showed a conversion efficiency of 0.5%.

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습식법을 이용한 고체산화물 연료전지용 세라믹 연결재 제조 특성연구 (A study on the fabrication technology of ceramic interconnect for the SOFC by wet process)

  • 이길용;김종희;송락현;백동현;정두환;신동열
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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    • pp.200-200
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    • 2003
  • 고체산화물 연료전지(SOFC)에서 사용되는 연결재의 주 기능은 각 단위 셀의 연료극과 다음 셀의 공기극을 전기적으로 연결하여, 공기와 사용연료의 분리역할을 하기 위하여 사용된다. SOFC용 연결재는 다른 구성요소 소재보다, 높은 전자 전도성, 낮은 이온전도성, 우수한 기계 적강도가 요구되며, SOFC는 고온에서 작동되기 때문에, 상온에서 작동온도까지 다른 요소 소재들과 유사한 열팽창계수와 물리, 화학적으로 안정성이 요구된다. 현재 연결재 제조기술은 EVD, CVD, plasma spraying, tape casting 등 다양하게 연구되고 있으며, 본 연구는 세라믹 연결재 증착방법 중 저렴한 비용으로 대량 생산이 용이한 습식법(dip coaling)을 적용하여, 연료극 지지체식 flat-tube형 고체산화물 연료전지의 지지체를 위해 세라믹 연결재를 제조하고, 그 특성을 연구하였다. 세라믹 연결재로써 선정한 합성조성은 LaCr $O_3$에 Ca이 치환 고용된 L $a_{0.6}$C $a_{0.41}$Cr $O_3$으로 pechini법으로 합성하였다. 합성된 조성은 100$0^{\circ}C$에서 5시간 하소후 가속 Ball Milling하여 0.5$\mu\textrm{m}$의 평균입자크기를 얻을 수 있었다. XRD 상분석결과 perovskite상 (L $a_{1-x}$ Ca/x/Cr $O_3$)과 CaCr $O_4$를 얻을 수 있었다. slurry를 제조하여 막의 밀착성을 증진시키기 위해 sand blasting시킨 flat tube지지체에 진공펌프를 이용하여 소재내부와 외부의 압력차로 dip coating한 후, 140$0^{\circ}C$로 소결 하였다. coating 결과 박리현상은 없었으나, 표면과 단면의 SEM분석결과 다소 porous한 박막층이 형성되었으며, Ca이온이 지지체로 permeation되는 현상이 발생하였다. 이와 같은 결과로부터 보다 치밀한 박막생성을 위해, slurry 제조조건을 변화시켰으며, Ca이온의 migration을 막기 위해 barrier layer를 이용하였다 완전 소결된 지지체는 가스투과도와 전기전도도측정을 통하여 특성을 평가하였다.였다.다.

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Pb(Zr0.7Ti0.3)O3 후막의 강유전 특성에 전구체 용액의 코팅요소가 미치는 영향 (Influence of Precursor Solution Coating Parameters on Ferroelectric Properties of Pb(Zr0.7Ti0.3)O3 Thick Films)

  • 박상만;윤상은;이성갑
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제19권12호
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    • pp.1092-1098
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    • 2006
  • The influence of the concentration of precursor solution and the number of solution coatings on the densification of the $Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3$ (PZT) thick films was studied. PZT powder and PZT precursor solution were prepared by3 sol-gel method and PZT thick films were fabricated by the screen-printing method on the alumina substrates. The composition of powder and precursor solution were PZT(70/30) and PZT(30/70), respectively. The PZT precursor solution was spin-coated on the PZT thick films. A concentration of a coating solution was 0.5 to 2.0 mol/L[M] and the number of coating was repeated from 0 to 6. The XRD patterns of all PZT thick films shelved typical perovskite polycrystalline structure. The porosity of the thick films was decreased with increasing the number of coatings and 6-time coated films with 1.5 M showed the dense microstructure and thickness of about $60{\mu}m$. The relative dielectric constant of the PZT thick film was increased with increasing the number of solution coatings and the thick films with 1.5 M, 6-time coated showed the 698. The remanent polarization the 1.5 M and 6-time coated PZT thick films was $38.3{\mu}C/cm^2$.

도로면 크랙실링 작업정보 수집 관리시스템 개발 (Development of the Work Information Management System of Pavement Crack Sealing)

  • 변웅호;오세욱;이현정;김영석
    • 한국건설관리학회논문집
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    • 제8권5호
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    • pp.80-91
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    • 2007
  • 최근 국내 외적으로 크랙실링 공법의 활용성을 높이기 위해 도로면 크랙실링 자동화 장비 개발에 관한 연구를 활발히 진행하고 있다. 예방적 차원에서 도로의 장 수명화 및 유지보수 비용 절감을 위해서는 도로 유지관리 시점 및 유지 보수된 구간정보, 작업 수행 결과 등과 같은 이력정보가 체계적으로 수집.축적될 수 있는 관리체계의 개발이 선행되어야 한다. 그러나 기존 크랙실링 관련 기술개발 동향은 크랙실링 공법의 자동화를 위한 연구가 주로 수행되고 있을 뿐 도로면 크랙실링 작업정보 수집과 관련한 연구는 미흡한 것으로 나타났다. 따라서 크랙실링 작업 관련 정보습득의 어려움 및 경영 분석과 성과측정을 위한 객관적인 자료 구축 미흡, 수집된 정보의 신뢰성 부족 등과 같은 문제점이 도출되었다. 본 연구에서는 크랙실링작업 시 발생되는 정보를 신속.정확하게 수집 및 축적하여 이력관리로 활용하고 작업 주체간의 정보교류를 효율적으로 수행할 수 있도록 지원하는 PDA 및 웹 기반 크랙실링 작업정보 수집 시스템을 제안하고자 한다.

폐기물의 용융처리에 의한 시멘트 원료의 합성(II) (Synthesis of Cement Raw Materials by Melting of Industiral Wastes(II))

  • 황연;손용운;정헌생;이홍기;박현서
    • 자원리싸이클링
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    • 제6권1호
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    • pp.29-34
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    • 1997
  • 산업 폐기물의 일종인 석회석 슬러지, 폐주물사, 석탄회 및 폐유리병을 고온에서 용융 슬래그화 하여 시멘트 원료로서의 활용 가능성을 검토하고자 하였다. 각 폐기물을 혼합한 후 용융처리하여 얻은 용융 슬래그는 $\beta$-$C_2$S(2CaO.$SiO_2$) 및 $C_2$AS(2CaO.$Al_2$$O_3$.$SiO_2$)의 2가지 상으로 구성되어 있다. 폐기물의 용융처리시 용융온도, 냉각속도 및 염기도 등을 변화시키면서 이들 요인이 $\beta$-$C_2$S상의 생성율에 미치는 영향을 조사하였다. 시멘트 원료로서 활용이 가능한 $\beta$-$C_2$S상의 함율을 높이기 위해서는 첫째 용융온도를 낮추어 용융슬래그의 제조에 필요한 최소한의 온도에서 용융시키고, 둘째 용융물을 고온에서 급냉시키며, 셋째 낮은 염기도를 갖도록 혼합물의 조성을 조절하는 것이 필요하다.

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PACVD 방법으로 TiN 코팅시 공정변수가 작은 동공 내부의 코팅층 형성에 미치는 영향 (Effects of Process Parameters on Formation of TiN Coating Layer in Small Holes by PACVD)

  • 김덕재;조영래;백종문;곽종구
    • 한국재료학회지
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    • 제11권6호
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    • pp.441-447
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    • 2001
  • PACVD 방법으로 다이캐스팅용 금형에 적용할 수 있는 TiN 코팅막을 형성시키는 연구를 하였다. 직류 펄스전원을 사용하여 지름이 4 mm인 작은 동공내부에 최고 20 mm 깊이까지 균일한 TiN 코팅층을 형성할 수 있었다. 코팅공정시 발광분광분석기를 사용해 Ti와 $N_{2}$$Ar^{+}$의 분광선을 측정함으로써 TiN 코팅막의 형성기구에 대하여 고찰하였다. 듀티비율이 50% 이상인 경우는 Ti, $N_{2}^{+}$$Ar^{+ }$ 의 분광선이 나타났으나, 듀터비율이 28.6%이하인 경우 분광선이 전혀 나타나지 않았으며 TiN 코팅층의 형성도 불안정하였다. 펄스전원으로 Bipolar로 사용한 경우 Unipolar를 사용한 경우보다 지름이 4 mm인 구멍에서 2배 깊게 코팅되었다.

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효소면역측정법을 위한 장티푸스 균체항원의 부착방법 (Methods for Coating the Killed Whole Cell Antigens of Salmonella typhi in Enzyme-linked Immunosorbent Assay)

  • 김윤원;황응수;국윤호;최강원;김익상;차창용;이승훈
    • 대한미생물학회지
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    • 제20권1호
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    • pp.91-102
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    • 1985
  • The advantages of enzyme-linked immunosorbent assay(ELISA) are its senstivity and simplicity in detecting IgG, IgM and IgA antibody. To apply ELISA to diagnosis of typhoid fever, antigen such as lipopolysaccharide of Salmonella typhi or killed whole cell must be coated on solid phase. It is easy to coat lipopolysaccharide on ELISA plate but troublesome to purify it. As it is easy to obtain the killed whole cells, the development of the appropriate method by which those antigens of S. typhi are optimally coated on solid phase is needed. To establish the appropriate method, carbonate buffer, methanol or poly-L-lysine was applied as binding substance on polystyrene or polyvinylchloride plate as solid phase when the killed whole cell antigens of S. typhi varided as follows: $10^6$, $10^7$, $10^8$ and $10^9\;cell/ml$. The criteria of the optimal method were determined as follows: 1. The optical density of positive sera is above 1.0(0.6 in IgM) at 1:10 serum dilution and is 0.3(0.2 in IgM) higher than that of negative sera: 2. The O.D. of sera is flat or lowering according to serum dilution: 3. It must be that the O.D. of negative sera is lower than 0.2 at the point of serum dilution where the O.D. of positive sera is higher than 1.0(0.5 in IgM). The results obtained were summarized as follows: 1. The methods which fitted the above criteria were to use poly-L-lysine as binding substance, polyvinylchloride plate as solid phase and $10^7\;cell/ml$ as antigen concentration of S. typhi(poly-L-lysine/polyvinylchloride/$10^7$) and poly-L-lysine/polyvinylchloride/$10^8$ in detecting IgG antibody, methanol/polystyrene/$10^9$, poly-L-lysine/polyvinylchloride/$10^8$ and poly-L-lysine/polyvinylchloride/$10^9$ in IgM and carbonate buffer/polystyrene/$10^8$, carbonate buffer/polystyrene/$10^9$, methanol/polystyrene/$10^8$, methanol/polyvinylchloride/$10^8$, methanol/polyvinylchloride/$10^9$, poly-L-lysine/polyvinylchloride/$10^8$ and poly-L-lysine/polyvinylchloride/$10^9$ in IgA. 2. The coaling method using poly-L-lysine, polyvinylchloride plate and $10^8\;cell/ml$ was best to assay IgG, IgM and IgA antibody all in one. By this method, to assay the each immunoglobulin calss with an appropriate fixed serum dilution, 1:320 dilution was best.

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실리콘 실험실에 구리 오염을 방지 할 수 있는 고밀도/고균일의 Solder Bump 형성방법 (Fabrication Method of High-density and High-uniformity Solder Bump without Copper Cross-contamination in Si-LSI Laboratory)

  • 김성진;주철원;박성수;백규하;이희태;송민규
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.23-29
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    • 2000
  • 사용되는 metal구분 없이 반도체 공정장비들을 사용함으로써 cross-contamination을 유발시킬 수 있다. 특히, copper(Cu)는 확산이 쉽게 되어 cross-contamination에 의해 수 ppm정도가 wafer에 오염되더라도 트랜지스터의 leakage current발생 요인으로 작용할 수 있기 때문에 Si-IC성능에 치명적인 영향을 미칠 수 있는데, Si-LSI 실험실에서 할 수 있는 공정과 Si-LSI 실험실을 나와 할 수 있는 공정으로 구분하여 최대한 Si-LSI 장비를 공유함으로써 최소한의 장비로 Cu cross-contamination문제를 해결할 수 있다. 즉, 전기도금을 할 때 전극으로 사용되어지는 TiW/Al sputtering, photoresist (PR) coating, solder bump형성을 위한 via형성까지는 Si-LSI 실험실에서 하고, 독립적인 다른 실험실에서 Cu-seed sputtering, solder 전기도금, 전극 etching, reflow공정을 하면 된다. 두꺼운 PR을 얻기 위하여 PR을 수회 도포(multiple coaling) 하고, 유기산 주석과 유기산 연의 비를 정확히 액 조성함으로서 Sn:Pb의 조성비가 6 : 4인 solder bump를 얻을 수 있었다. solder를 도금하기 전에 저속 도금으로 Cu를 도금하여, PR 표면의 Cu/Ti seed층을 via와 PR표면과의 저항 차를 이용하여 PR표면의 Cu-seed를 Cu도금 중에 etching 시킬 수 있다. 이러한 현상을 이용하여 선택적으로 via만 Cu를 도금하고 Ti층을 etching한 후, solder를 도금함으로써 저 비용으로 folder bump 높이가 60 $\mu\textrm{m}$ 이상 높고, 고 균일/고 밀도의 solder bump를 형성시킬 수 있었다.

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$MnO_2$-코팅 모래흡착제 제조 및 As(III) 산화처리 적용 (Preparation of $MnO_2$-Coated Sand and Oxidation of As(III))

  • 정재현;양재규;송기훈;장윤영
    • 대한환경공학회지
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    • 제28권1호
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    • pp.54-60
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    • 2006
  • 주문진사 및 석영사를 담체로 사용하여 코팅온도, 코팅시간, 및 초기 망간용액 주입농도를 변화시키면서 망간(IV)을 코팅시킨 모래흡착제($MnO_2$-Coated Sand, MCS)를 제조하였으며 As(III)의 산화효율을 비교하였다. MCS 제조의 최적조건은 코팅효율 및 As(III) 산화능으로 부터 선정하였다. 망간 코팅효율은 코팅시간에는 크게 영향을 받지 않았지만 코팅온도가 증가함에 따라 증가하였다. 반면 As(III)의 산화능은 코팅온도가 증가됨에 따라 크게 감소하여 나타났다. 이러한 결과들을 고려하여 MCS의 최적 코팅 조건을 $150^{\circ}C$ 온도조건과 1시간의 가열시간으로 선정할 수 있었다. Mn(II) 주입농도가 늘어남에 따라 망간 코팅효율은 뚜렷이 증가하였지만 As(III)의 산화능은 0.8 Mn(II) mol/kg sand 조건에서 최대값을 보여주었다. MCS로 부터의 망간의 용출은 pH가 감소함에 따라 크게 증가하여 나타났다. 최적 조건에서 제조한 MCS를 사용하여 As(III)의 산화반응 특성을 회분식 실험을 통하여 조사한 결과, MCS의 As(III) 산화특성은 MCS의 농도에 대하여 비례적인 반응속도를 보여주었으며 pH가 감소할수록 As(III)의 산화속도가 증가하였다.