• The Korean Journal of Ceramics
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• 제4권1호
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• pp.43-46
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• 1998

We have investigated the formation and thermal stability of cobalt aluminide(CoAl) thin films on GaAs. In order to obtain cobalt-aluminide thin films, we deposited a multilayer of Co/Al on GaAs, and subsequently annealed the samples at 80$0^{\circ}C$ for 30 min. After annealing, single-phase cobalt aluminide was produced showing a flat and uniform interface with GaAs. which indicates that cobalt aluminide (CoAl) is thermally stable with GaAs. In addition, the adherence and mechanical properties of the as-deposited, and annealed Co/Al multilayer structure on GaAs are compatible with those required for device fabrication processes. The electrical property of the CoAl/GaAs contact shows rectifying characteristics, indicating that the diodes were usable as rectifying gate electrodes.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제5권1호
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• pp.8-13
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• 1992

일련의 Al/Tb-Fe-Co 다층박막 시편이 DC마그네트론 스퍼터링에 의해 제조되었다. 이 박막들은 (xA/yB)n의 형태이고 여기서 x와 y는 각각 Al 및 Tb-Fe-Co 박막의 두께를 나타내고 n은 각 박막의 수를 나타낸다. 각 박막의 두께는 2~40nm이다. Al과 Tb-Fe-Co박막의 두께변화에 따른 다층박막의 자기적 성질이 vibration sample magnetometry(VSM)에 의해 측정되었다. 이들 다층박막은 동일한 스퍼터링조건에서 제조되고 수평 자기적 이방성 특성을 보이고 있는 단층 Tb-Fe-Co박막을 기준시편으로 하여 자기적 성질이 비교되었다. 다층박막 시스템에서는 현저한 계면 또는 박막두께의 효과가 발견되었으며 이들 효과에 의해 단층박막의 수평자기체가 다층박막에서는 강한 수직자기체로 변화되는 것을 알 수 있고, 또한 Al과 Tb-Fe-Co합금 경계구역에 스퍼터링에 따른 약 2nm두께의 dead layer가 존재함이 입증 되었다.

• 한국자기학회지
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• 제8권1호
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• pp.27-33
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• 1998

스파터링법으로 Si(001) 기판 위에 증착된 Fe(1000 $\AA$)/Al2O3(t$\AA$)/Co(1000$\AA$) 자기 삼층 접합들의 터널링 자기저항 성질을 연구하였다. 두께 t=50~200$\AA$의 Al2O3층을 반응성 rf 스파터링법으로 바닥 자성층위에 직접 증착하였다. 비교응 위해, Pt/Al2O3/Pt 터널링 접합을 제조하여 상온에서 전류.전압(I.V)특성을 측정한 결과, 확인한 비선형 nonmhic 거동을 나타내었다. 이로부터 반응성 스파터링된 Al2O3가 상온에서도 phnhole이 없는 휼룔한 절연 터널링 장벽을 형성함을 확인할 수 있었다. Fe/Al2O3/Co 자기 터널링 접합즐은 Pt/Al2O3/Pt 접합들에 비해 상당한 접합저항의 열화를 보였으며, 상온에서 대략 0.1%의 터널링 자기저항비를 나타내었다. Fe를 꼭대기 전극으로 하는 전극으로 하는 접합들에 비해, Co을 꼭대기 전극으로 하는 대부분의 자기 터널링 접합들이 보다 안정된 I.V 및 터널링 자기저항 특성을 보였다. 이러한 실험결과들을 자기 터널링 접합들의 계면구조와 관련지어,Pt/Al2O3/Ptwjq합과 비교하여 논의하였다.

• 대한화학회지
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• 제21권1호
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• pp.53-59
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• 1977

알루민산나트륨과 알루민산칼륨 용액에 $CO_2$가스 吹入法에 의해 $NaAlCO_3(OH)_2\;(Dawsonite)와\;KAlCO_3(OH)_2$를 合成하였다. 이 反應은 80 ∼ $90^{\circ}C$에서 $Na_2O/Al_2O_3,\;K_2O/Al_2O_3$의 몰比가 各 各 6∼8, 8∼10인 알루민산알칼리 용액중에 $CO_2$가스를 吹?하여 達成되었다. 알루민산알칼리 용액중에 $HCO_3^-$이 多量 存在하며 알루미나가 平衡固相으로서 Boehmite로 存在할 때 高純度의 Dawsonate와 $KAlCO_3(OH)_2$가 生成된다는 것을 알았다. 이런 條件下에서 合成된 Dawsonite와 $KAlCO_3(OH)_2$의 示性式은 赤外線吸收스펙트럼 分析結果 各各 $NaAlO(OH)HCO_3와\;KAlO(OH)HCO_3$로 나타내는 것이 妥當하다고 생각된다. 또 電子顯微鏡觀察로부터 Dawsonite는 纖維狀結晶, $KAlCO_3(OH)_2$는 針狀結晶으로 되어 있다는 것을 알았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.195-195
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• 2008

CAS계 유리에 $CaCO_3-Al_2O_3$ 혼합물 및 화합물을 10, 30 wt% 첨가하여 저온 소걸 및 마이크로파 유전 특성을 고찰하였다. CAS계 유리의 연화온도는 $841^{\circ}C$ 이며, CAS계 유리에 $CaCO_3$ 와 30 wt%의 $CaCO_3-Al_2O_3$ 혼합물을 melting되며, 10 wt%의 $CaCO_3$, $Al_2O_3$, $1CaCO_3-1Al_2O_3$ 혼합물 및 $CaAl_2O_4$ 화합물를 10 wt% 첨가하였을 때 $900^{\circ}C$ 이하에서 소걸이 가능하였다. 복합체의 XRD 상 분석 결과, CaCO3를 첨가하였을 때에는 모든 조성이 비정질을 나타내었고, $Al_2O_3$와 $1CaCO_3-1Al_2O_3$ 혼합물은 $Al_2O_3$ 결정상이 생성되었고, $CaAl_2O_4$ 화합물은 $CaAl_2Si_2O_8$의 hexagonal와 anorthite 결정상이 생성되었다. 따라서 CAS-10 (A, C-A, CA) 복합체는 $900^{\circ}C$에서 각각 유전율 ($\varepsilon_r$) 6.4, 6.9, 5.15 와 품질계수 ($Q^*f$) 2,400, 1,500, 3,000의 마이크로파 유전 특성을 나타내어 LTCC 기판 재료로 사용이 가능하며, 특히 $CaAl_2O_4$ 화합물을 사용하였을 때 가장 우수한 유전 특성을 나타내는 것을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제23권5호
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• pp.255-264
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• 2013

$CoAl_2O_4$는 열적 및 화학적으로 매우 안정한 물질이며 독특한 광학적 특성으로 인해 도자기 제품, 유리, 페인트, 플라스틱을 장식하는 세라믹 착색제로 사용되어져 왔다. 본 연구에서는 착체중합법(Polymerized complex method)과 고상합성법(Solid state reaction)을 이용하여 단상의 $CoAl_2O_4$ 청색 무기 안료를 합성하였고, 잉크젯 프린팅용 잉크로의 응용 시 노즐 막힘 및 분산안정성과 같은 문제점을 방지하기 위해 고에너지 밀링 공정 중 하나인 어트리션밀을 이용하여 입자를 미세화하였다. 밀링 공정은 직경 1 mm의 지르코니아 볼을 이용하여 BPR(Ball to powder weight ratio) 100 : 1, 800 rpm의 조건에서 3시간 동안 진행되었다. 합성된 안료는 XRD, FE-SEM, TEM, PSA, 그리고 CIE $L^*a^*b^*$ 측정을 통하여 어트리션밀링 전후의 특성을 분석하였다. XRD 측정 결과 단상의 $CoAl_2O_4$ 청색 무기 안료가 합성되었고, 고에너지 밀링 공정을 통하여 100~200 nm의 입자 크기를 가지는 청색 나노 무기 안료를 얻었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제11권10호
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• pp.72-77
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• 1998

The effects of Al micro-bumps on the magnetic properties of CoCr(Pt)Ta/Cr films deposited on glass substrates were investigated. The coercivity increased and the coercivity squareness decreased by incorporating Cr/Al underlayers. The cause of the coercivity increase is attributed to the reduction of Co(0002) texture, the increase of magnetic isolation of CoCr(Pt)/Ta grains, and the refinement of CoCr(Pt)/Ta grains deposited on Cr/Al underlayers. The effects of an Al overlayer on the magnetic properties of CoCr(Pt)Ta/Cr films were also studied. The decrease of coercivity squareness is ascribed to the magnetic isolation of CoCr(Pt)Ta grains.

• 한국자기학회지
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• 제9권6호
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• pp.296-300
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• 1999

DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 금속 마스크를 사용하여 십자형태로 substrate/Ta/NiFe/FeMn/NiFe/CoFe/Al2O3/CoFe/NiFe와 substrate/Ta/NiFe/CoFe/Al2O3/CoFe/NiFe/FeMn/NiFe 스핀 터널링 접합 구조를 제조하였다. 이러한 구조에서 절연층(Al2O3)의 형성조건과 각 층의 두께와 파워에 대한 증착율에 변화를 주어 24.3%의 자기 저항비를 얻었다. 두 종류의 구조에 대한 자기적 특성 비교와 Corning glass 7059와 Si(111) 기판의 종류에 따른 결과를 비교하였으며 소자 제조때 수반되는 온도변화에 대한 특성변화를 알아보고자 열처리를 하였다. 열처리 결과 자기 저항비는 15$0^{\circ}C$까지는 어느 정도 일정한 값을 유지하다가 18$0^{\circ}C$ 열처리 후 갑자기 감소하는 결과를 얻었다.

• 열처리공학회지
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• 제24권1호
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• pp.16-22
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• 2011

Al-Co/AlN-Co multilayer films with different layer thicknesses were prepared by using a two-facing target type D.C sputtering (TFTS) system. The deposited films were annealed isothermally at different temperatures and their microstructure, magnetic properties and resistivity were investigated. The magnetization of as-deposited films is very small irrespective of layer thickness. It was found that annealing conditions and layer thickness ratio (LTR) of Al-Co to AlN-Co can control the microstructure as well as the physical properties of the prepared films. The resistivity and magnetization increase and the coercivity decreases with decreasing LTR. High resistivity and sufficient magnetization were obtained for the films with LTR = 0.35. Films having such considerable magnetization and resistivity will be a potential candidate to be used for a high density recording material.

• 대한금속재료학회지
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• 제49권3호
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• pp.256-263
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• 2011

We have synthesized Al-Co/AlN-Co multilayer films with different layer thicknesses by using a Two-Facing Target Type dc Sputtering (TFTS) system. The deposited films were annealed isothermally at different temperatures and their microstructure, magnetic properties and resistivity were investigated. The magnetization of the as-deposited films was found to be very small, irrespective of layer thickness. It was found that the annealing conditions and layer thickness ratio of Al-Co to AlN-Co (LTR) were able to control the microstructure, as well as the physical properties of the prepared films. The resistivity and magnetization increased and the coercivity decreased with a decreasing LTR. A high resistivity of 2500 ${\mu}{\Omega}-cm$, a magnetization of 360 $emu/cm^3$, and a coercivity of 5 Oe were obtained for the films with LTR=0.175.