• 한국자기학회지
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• 제12권5호
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• pp.174-178
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• 2002

미소결함을 가진 금속체에 교류자기장을 인가하면 결함부근에는 와전류의 분포가 달라져 이에 의해 금속체를 관통하는 교류자기장은 결함부근에서 차이를 가진다. 이 교류자기장을 비정질 와이어로 된 센서헤드로 측정하여 센서헤드의 유기전압 크기로부터 결함 유무를 검출하는 방법에 대해 검토하였다. 비정질 와이어는 Co-based재료로 자왜가 거의 0이며 고투자율 자성체이고 비정질 와이어는 길이가 15mm, 직경이 100$\mu\textrm{m}$인 원주형 자성체이다. 실험대상 금속체로 0.5mm의 단일 직선 갭을 가진 두께 1mm의 동판과 0.1mm의 갭이 규칙적으로 배열된 두께 25$\mu\textrm{m}$의 Al 판를 이용하였다. 스파이럴 코일에 인가하는 교류자기장의 주파수는 100KHz~600KHz였다. 본 실험의 결과에서 동판에서는 유기전압의 최대치와 최소치의 차가 약 2.5㎷ 얻어졌고, Al판에서는 500KHz에서 0.4㎷가 얻어져 직선 갭의 유무를 유기전압의 크기만으로 확인할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제16권6호
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• pp.276-278
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• 2006

스위칭 특성을 향상시키기 위하여 비정질 강자성 CoFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합 (MTJ)의 스위칭 특성을 연구하였다. 자기터널접합의 구조는 $Si/SiO_{2}/Ta$ 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 10/CoFe $7/AlO_{x}/CoFeSiB\;(t)/Ru\;60\;(nm)$이다. CoFeSiB는 $560\;emu/cm^{3}$의 낮은 포화자화도와 $2800\;erg/cm^{3}$의 높은 이방성 상수를 가졌다. 이러한 특성이 자기터널접합의 낮은 보자력($H_{c}$)과 높은 자장민감도를 갖게 한다. 이것은 또한 Landau-Lisfschitz-Gilbert 방정식에 근거한 미세자기 전산시뮬레이션을 통하여 submicrometersized elements에서도 확인하였다. CoFeSiB 자유층 두께를 증가함으로서 스위칭 특성은 반자화 자기장의 증가로 인하여 더욱더 나빠졌다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.281-286
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• 2002

In odder to investigate the magnetic properties of CoCr-based bilayered thin films on kind of underlayer, we introduced amorphous Si layer to Co-Cr(-Ta) magnetic layer as underlayer. First, we prepared CoCr and CoCrTa single layer using the Facing Targets Sputtering system to investigate theirs properties. It was revealed that with increasing the film thickness of CoCr, CoCrTa single layer, crystalline orientation and perpendicular coercivity was improved. The CoCrTa thin film showed bettor crystalline and magnetic characteristics than CoCr thin film. As a result of investigating magnetic properties of CoCr and CoCrTa magnetic layer on introducing the Si underlayer, perpendicular coercivity and saturation magnetization of CoCr/Si and CoCrTa/Si bilayered thin film were decreased due to the increased grain size and diffusion of Si atoms to magnetic layer. And they showed constant with increasing the film thickness of Si thin film. However, in case of CoCrTa/Si bilayered thin film, in-plane coercivity was controlled low at about 250Oe. The c-axis orientations of CoCr/si and CoCrTa/Si bilayered thin film showed a good crystalline characteristics as about $2^{\circ}$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1996년도 재료학회 추계학술발표회
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• pp.20-20
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• 1996

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1994년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.38-39
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• 1994

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 International Symposium on Magnetics The 2000 Fall Conference
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• pp.502-503
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• 2000

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2016년도 임시총회 및 하계학술연구발표회
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• pp.80-80
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• 2016

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2016년도 자성 및 자성재료 국제학술대회
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• pp.60-61
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• 2016

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권11호
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• pp.4005-4010
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• 2011

We investigated thermal behavior of spin-coated films of P(HB-co-HHx)/PEG blends by using infraredreflection absorption (IRRAS) spectroscopy and 2D correlation spectroscopy. Based on 2D IRRAS correlation spectra, we could determine the sequence of spectral intensity changes with increasing temperature that PEG band changes first and then a band for crystalline component of P(HB-co-HHx) changes before a band for amorphous component. The intensities of bands for PEG and amorphous P(HB-co-HHx) were changed greatly as PEG weigh % of P(HB-co-HHx)/PEG blends increased. Transition temperatures of P(HB-co-HHx)/PEG blends were successfully determined by 2D gradient mapping method. The transition temperature of spincoated films of 98/2 and 90/10 P(HB-co-HHx)/PEG blends and 80/20 P(HB-co-HHx)/PEG blend determined by 2D gradient map are, respectively, about 137.5 and $132.5^{\circ}C$. Furthermore, P(HB-co-HHx)/PEG blends show an additional transition temperature that have been interpreted in terms of different lamellar thicknesses in spin coated films.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.276-283
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• 2005

Magnetic tunneling transistor (MTT) device using the amorphous n-type Si semiconductor film for base and collector consisting of the [CoFe/NiFe](free layer) and Si(top layer) multilayers was used to study the spin-dependent hot electron magnetocurrent (MC) and tunneling magnetoresistance (TMR) at room temperature. A large MC of 40.2 % was observed at the emitter-base bias voltage ( $V_{EB}$ ) of 0.62 V. The increasing emitter hot current and transfer ratio ( $I_{C}$/ $I_{E}$) as $V_{EB}$ are mainly due to a rapid increase of the number of conduction band states in the Si collector. However, above the $V_{EB}$ of 0.62 V, the rapid decrease of MC was observed in amorphous Si-based MTT because of hot electron spin-dependent elastic scattering across CoFe/Si interfaces.