• 제목/요약/키워드: Class-F

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Performance Comparison between Inverse Class-F and Class-F Amplifiers Based on the Waveform Analysis

  • Yang, Youn-goo;Woo, Young-Yun;Kim, Bum-man
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제2권1호
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    • pp.5-10
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    • 2002
  • We have analized the inverse class-F and class-F amplifiers using their waveforms. From the analytic equations derived from the analysis, we have calculated tole efficiencies, output powers, DC power dissipations, and optimum fundamental load impedances of the inverse class-F and class-F amplifiers. We also have compared them for various operation conditions, which include the same peak current, saute DC power dissipation, same fundamental RF output power, and same fundamental load impedance with different Ron(on-resistance). These analyses have clearly shown the performance limitations, advantages, and guide to the optimized design of the inverse class-F amplifiers.

LOWER AND UPPER FORMATION RADICAL OF NEAR-RINGS

  • Saxena, P.K.;Bhandari, M.C.
    • Kyungpook Mathematical Journal
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    • 제19권2호
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    • pp.205-211
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    • 1979
  • In this paper we continue the study of formation radical (F-radical) classes initiated in [3]. Hereditary and stronger properties of F-radical classes are discussed by giving construction for lower hereditary, lower stronger and lower strongly hereditary F-radical classes containing a given class M. It is shown that the Baer F-radical B is the lower strongly hereditary F-radical class containing the class of all nilpotent ideals and it is the upper radical class with $\{(I,\;N){\mid}N{\in}C,\;N\;is\;prime\}{\subset}SB$ where SB denotes the semisimple F-radical class of B and C is an arbitrary but fixed class of homomorphically closed near-rings. The existence of a largest F-radical class contained in a given class is examined using the concept of complementary F-radical introduced by Scott [5].

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Inverse Class-F 기법을 이용한 900 MHz 전류 모드 Class-D RF 전력 증폭기 설계 (Design of Current-Mode Class-D 900 MHz RF Power Amplifier Using Inverse Class-F Technology)

  • 김영웅;임종균;강원실;구현철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제22권12호
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    • pp.1060-1068
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    • 2011
  • 본 논문에서는 900 MHz 대역에서 동작하는 전류 모드 Class-D(Current-Mode Class-D: CMCD) 전력 증폭기를 설계 및 제작하고 특성을 분석하였다. 차동 구조에 의해 짝수차 고조파 성분이 제거된다는 점에 착안하여 출력단의 일반적인 CMCD 회로의 병렬 공진기를 제거하고 inverse class-F 전력 증폭기를 push-pull 구조로 연결하여 CMCD 전력 증폭기를 설계하였다. 로드-풀 기법을 이용하여 GaN 소자 기반의 inverse class-F 및 이를 적용한 CMCD 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 제작한 CMCD는 34.2 dBm의 출력과 64.5 %의 드레인 효율을 가지며, 이는 출력측에 공진기 구조를 가지는 일반적인 CMCD 전력 증폭기의 드레인 효율과 비교했을 때 13.6 %의 효율 향상을 가진다.

Design of Dualband Class-F PAs for Cellular and WLAN Applications

  • Lee, Chang-Min;Park, Young-Cheol;Yoon, Hoi-Jin
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제10권1호
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    • pp.6-12
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    • 2010
  • In this paper, highly efficient class-F power amplifiers(PAs) with harmonic-controlling transmission lines(TLs) were built for cellular and WLAN applications at 840 MHz and 2.4 GHz each. Also, based on these single-band PAs, a dualband class-F PA was designed after a careful investigation into the harmonics of the two frequencies. The harmonic-controlling TL was designed for the class-F operation at dualband by switching the length of the shunt $\lambda$/4 TL part, while the series $\lambda$/4 TL is optimized for both frequencies. To verify the performance, two class-F PAs optimized at each frequency and a dualband class-F PA at the corresponding frequencies were built with the secondand the third-harmonic control circuits at each frequencies. As a result, the PA#1 at 840 MHz has a peak drain efficiency of 81.2 % with an output power of 24.4 dBm, while the PA#2 at 2.35 GHz shows a drain efficiency of 94.5 % with an output of 22.8 dBm. Finally, the dualband class-F PA#3 showed 60.5 % and 50.9 % drain efficiencies at 840 MHz and 2.4 GHz, with powers of 23.8 dBm and 19.62 dBm, respectively.

CMRC(Compact Microwave Resonance Circuit) 구조를 적용한 고효율, 고선형성 Class-F 전력증폭기 (A Highly Efficiency, Highly linearity Class-F Power Amplifier Using CMRC Structure)

  • 이종민;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제44권7호통권361호
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    • pp.12-16
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    • 2007
  • 본 논문은 일반적으로 고효율 특성을 가지고 있는 class-F 전력 증폭기의 출력 단에서 기생되는 2차 고조파 성분을 제거함으로 3차 IMD (Intermodulation distortion) 특성을 개선하였다. class-F 전력 증폭기의 경우 과부동 특성으로 인해 고효율을 얻을 수 있으나 선형성 측면에서는 많은 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문은 특별한 선형화 기술을 적용하지 않고 CMRC 구조를 적용하여 2차 고조파를 제거하여 선형성을 나타내는 U 특성을 개선하였다. CMRC 구조의 경우 광대역 저지대역 특성을 가지고 있으며 PBG 구조 보다 작은 크기로 더 좋은 특성을 얻을 수 있다.

ON RELATIVE CLASS NUMBER AND CONTINUED FRACTIONS

  • CHAKRABORTY, DEBOPAM;SAIKIA, ANUPAM
    • 대한수학회보
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    • 제52권5호
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    • pp.1559-1568
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    • 2015
  • The relative class number $H_d(f)$ of a real quadratic field $K=\mathbb{Q}(\sqrt{m})$ of discriminant d is the ratio of class numbers of $O_f$ and $O_K$, where $O_K$ denotes the ring of integers of K and $O_f$ is the order of conductor f given by $\mathbb{Z}+fO_K$. In a recent paper of A. Furness and E. A. Parker the relative class number of $\mathbb{Q}(\sqrt{m})$ has been investigated using continued fraction in the special case when $(\sqrt{m})$ has a diagonal form. Here, we extend their result and show that there exists a conductor f of relative class number 1 when the continued fraction of $(\sqrt{m})$ is non-diagonal of period 4 or 5. We also show that there exist infinitely many real quadratic fields with any power of 2 as relative class number if there are infinitely many Mersenne primes.

RELATIVE CLASS NUMBER ONE PROBLEM OF REAL QUADRATIC FIELDS AND CONTINUED FRACTION OF $\sqrt{m}$ WITH PERIOD 6

  • Lee, Jun Ho
    • East Asian mathematical journal
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    • 제37권5호
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    • pp.613-617
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    • 2021
  • Abstract. For a positive square-free integer m, let K = ℚ($\sqrt{m}$) be a real quadratic field. The relative class number Hd(f) of K of discriminant d is the ratio of class numbers 𝒪K and 𝒪f, where 𝒪K is the ring of integers of K and 𝒪f is the order of conductor f given by ℤ + f𝒪K. In 1856, Dirichlet showed that for certain m there exists an infinite number of f such that the relative class number Hd(f) is one. But it remained open as to whether there exists such an f for each m. In this paper, we give a result for existence of real quadratic field ℚ($\sqrt{m}$) with relative class number one where the period of continued fraction expansion of $\sqrt{m}$ is 6.

고효율 전력증폭기 설계를 위한 새로운 고조파 조절 회로 기반의 입출력 정합 회로 (In/Output Matching Network Based on Novel Harmonic Control Circuit for Design of High-Efficiency Power Amplifier)

  • 최재원;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제46권2호
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    • pp.141-146
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    • 2009
  • 본 논문에서는 새로운 고조파 조절 회로를 이용한 Si LDMOSFET 고효율 전력증폭기를 구현하였다. 본 고조파 조절 회로는 2차, 3차 고조파 성분에 대하여 단락 임피던스를 갖으며, 입출력 정합 회로를 설계하기 위하여 사용된다. 제안된 고조파 조절 회로의 효율 개선 효과가 class-F 혹은 inverse class-F 고조파 조절 회로 보다 우수하다는 것을 증명하였다. 또한, 고조파 조절 회로가 출력 정합 회로뿐만 아니라, 입력 정합 회로에도 사용될 경우, 제안된 전력증폭기의 효율은 더욱 더 개선된다. 제안된 전력증폭기의 최대 전력 효율 (PAE)의 측정값은 1.71 GHz의 주파수 대역에서 82.68%이다. Class-F와 inverse class-F 전력증폭기와 비교할 때, 제안된 전력증폭기의 최대 PAE 측정값은 $5.08\;{\sim}\;9.91\;%$ 향상된다.

나선형 구조의 PBG(Photonic Bandgap)를 적용한 고효율 Class-F 전력 증폭기 (A Highly Efficiency CLass-F Power Amplifier Using The Spiral PBG(Photonic Bandgap) Structure)

  • 김선영;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권9호
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    • pp.49-54
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    • 2008
  • 본 논문에서는 class F 전력 증폭기의 출력 정합단에 새로운 광전자밴드갭(PBG) 구조를 적용하여 높은 효율을 얻을 수 있도록 하였다. 제안된 나선형 PBG 구조는 비평면 제조 공정을 요구하지 않는 유전체 판 위에 패턴을 뜬 2차원의 규칙적인 격자이다. 이 구조는 2차 고조파에서 높은 저지 특성을 갖는다. 또한 더욱 가파른 스커트 특성을 보인다. 이 새로운 PBG 구조는 효율향상을 위하여 class F 전력 증폭기에 적용되어 질 수 있다. 나선형 PBG 구조를 적용한 class F 전력 증폭기의 power-added efficiency(PAE)는 코드분할 다중접속(CDMA) 응용에서 73.62 %의 효율을 얻을 수 있었다. 이 결과는 제안한 PBG 구조를 적용하지 알은 기존의 Class F 전력 증폭기와 비교했을 때 6.2 % 향상된 결과를 보여준다.

Class function table matrix of finite groups

  • Park, Won-Sun
    • 대한수학회지
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    • 제32권4호
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    • pp.689-695
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    • 1995
  • Let G be a finite group with k distinct conjugacy classes $C_1, C_2, \cdots, C_k$ and F an algebraically closed field such that char$(F){\dag}\left$\mid$ G \right$\mid$$. We denoted by $Irr_F$(G) the set of all irreducible F-characters of G and $Cf_F$(G) the set of all class functions of G into F. Then $Cf_F$(G) is a commutative F-algebra with an F-basis $Irr_F(G) = {\chi_1, \chi_2, \cdots, \chi_k}$.

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