Wireless power transmission system is one of the very interesting field not only in a technical and economical point of view but also that people are still trying to realize lossless power transmission. This paper has a purpose on the efficient power transmission at the passive type ICcard by using wireless power transmission system. The most difficult but important part of the passive type RF-ID system is building the system that supplies power from Reader-antenna to IDcard-antenna. To check what is the most efficient way to deliver power depending on what kind of specifications of the power-amp in reader, antenna and antenna in IDcard is for operating IDcard circuit efficiently receiving the power from reader-antenna. For this, we used 125kHz sinewave for RF signal as a basic specification, power-amp : OP-Amp for amplifying signal and AB Class push-pull power-amp for amplifying power, loop type antenna.
We study the one-sided regularity of matrices in upper triangular matrix rings in relation with the structure of diagonal entries. We next consider a ring theoretic condition that ab being regular implies ba being also regular for elements a, b in a given ring. Rings with such a condition are said to be commutative at regular product (simply, CRP rings). CRP rings are shown to be contained in the class of directly finite rings, and we prove that if R is a directly finite ring that satisfies the descending chain condition for principal right ideals or principal left ideals, then R is CRP. We obtain in particular that the upper triangular matrix rings over commutative rings are CRP.
The purpose of this paper is to introduce some new class of rings that are closely related to the classes of sharp domains, pseudo-Dededkind domains, TV domains and finite character domains. A ring R is called a ${\phi}$-sharp ring if whenever for nonnil ideals I, A, B of R with $I{\supseteq}AB$, then I = A'B' for nonnil ideals A', B' of R where $A^{\prime}{\supseteq}A$ and $B^{\prime}{\supseteq}B$. We proof that a ${\phi}$-Dedekind ring is a ${\phi}$-sharp ring and we get some properties that by them a ${\phi}$-sharp ring is a ${\phi}$-Dedekind ring.
In this article, presents an analog multiplier using a general-purpose operational amplifier (opamp). The realization method is based on the quarter-square technique, which utilize the square-law characteristic of the class AB output stage of the opamp. The experimental results verifying the proposed multiplier performances are also included. The linearity error and the total harmonic distortion is about 0.8% and 1.6%, respectively.
This paper proposed the new current feed-back amplifier for low supply voltage application. The input stage was designed to be a class-AB circuit and achieve the low supply-voltage operation down to $2V_{TH}+2V_{DS(SAT)}$. With the self-adjust bias current, the high performance can be adopted with high stability. The circuit was successfully proven by the simulation with MOSIS 0.5 ${\mu}$m MOS technology.
Activation-induced cytidine deaminase (AID) is an enzyme that is predominantly expressed in germinal center B cells and plays a pivotal role in immunoglobulin class switch recombination and somatic hypermutation for antibody (Ab) maturation. These two genetic processes endow Abs with protective functions against a multitude of antigens (pathogens) during humoral immune responses. In B cells, AID expression is regulated at the level of either transcriptional activation on AID gene loci or post-transcriptional suppression of AID mRNA. Furthermore, AID stabilization and targeting are determined by post-translational modifications and interactions with other cellular/nuclear factors. On the other hand, aberrant expression of AID causes B cell leukemias and lymphomas, including Burkitt's lymphoma caused by c-myc/IgH translocation. AID is also ectopically expressed in T cells and non-immune cells, and triggers point mutations in relevant DNA loci, resulting in tumorigenesis. Here, I review the recent literatures on the function of AID, regulation of AID expression, stability and targeting in B cells, and AID-related tumor formation.
본 논문은 전력증폭기의 효율을 개선하기 위한 도허티증폭기의 특성 분석에 관한 것이다. 도허티증폭기의 특성을 분석하기 위해 2-tone신호와 WCDMA신호를 사용하였고 180W PEP LDMOSFET을 사용하였다. 제작된 도허티증폭기는 출력 전력 20W에서 약 10%정도의 효율개선을 나타냈지만 선형성이 저하되는 특성을 나타내었다. 저하된 선형성을 개선시키기 위해 carrier 증폭기(Amp. A)와 peaking 증폭기(Amp. B)를 각각 변화하였으며, carrier 증폭기는 높은 PEP(Peak Envelope Power)와 적은 Id(drain current)가 되도록 하였고, peaking 증폭기는 높은 이득과, 낮은 gate bias에서 IMD(Intermodulation Distortion)가 상쇄되도록 하였다. 최종 측정 결과 출력전력 20W에서 선형성은 class AB증폭기와 비교하여 유사한 결과를 얻었으며, 효율은 약 10% 이상의 개선을 얻을 수 있었다.
This paper presents a second-generation CMOS current conveyor (CCII) consisting of a rail-to-rail complementary N- and P-channel differential input stage for the voltage input, a class AB push-pull stage for the current input, and current mirrors far the current outputs. The CCII was implemented using a double-poly triple-metal 0.6 ${\mu}$m n-well CMOS process, to confirm its operation experimentally. A prototype chip achieves a rail-to-rail swing ${\pm}$2.4 V under ${\pm}$2.5 V power supplies and shows the exact voltage and current following performances up to 100 MHz. Because of its high performances, the CCII proposed herein is quite useful for a building block of current-mode circuits. The applications of the proposed CCII to current-mode filters are also described.
Kim, Seong-Joong;Sung, Yoo-Chang;Lim, Byong-Chan;Kwon, Oh-Kyong;Chang, Kye-Eon
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.530-532
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2002
We have developed a low-power, high slew-rate OP-AMP for large size and high resolution TFT-LCDs which have 8${\mu}$A quiescent current with settling time less than 6${\mu}$sec. The proposed OP-AMP contains newly developed the driving circuit of class-AB output stage which can achieve a low quiescent current less than 8${\mu}$A and a slew-rate higher than 3.14V/${\mu}$sec.
Riewruja, V.;Wangwiwattana, C.;Guntapong, R.;Chaikla, A.;Linthong, A.
제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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제어로봇시스템학회 2000년도 제15차 학술회의논문집
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pp.514-514
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2000
In this article, the realization of a precision full-wave rectifier circuit for analog signal processing, which operates throughout in the current domain, is presented. The circuit makes use of a MOS class B/AB configuration, and provides a wide dynamic range and wide-band capability. The rectifier has a simple circuit configuration and is suitable for implementing in CMOS integrated circuit form as versatile building block. The characteristic of the circuit exhibits a low distortion en the output signal at low level input signal. PSPICE simulation results demonstrating the characteristic of the proposed circuit are included.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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