Jinhyo, Park;Jeonggeon, Kim;Seungwook, Lee;Donggeun, Lee
Particle and aerosol research
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v.18
no.4
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pp.129-136
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2022
The line width of circuits in semiconductor devices continues to decrease down to a few nanometers. Since nanoparticles attached to the patterned wafer surface may cause malfunction of the devices, it is crucial to remove the contaminant nanoparticles. Physical cleaning that utilizes momentum of liquid for detaching solid nanoparticles has recently been tested in place of the conventional chemical method. Dropwise impaction has been employed to increase the removal efficiency with expectation of more efficient momentum exchange. To date, most of relevant studies have been focused on drop spreading behavior on a horizontal surface in terms of maximum spreading diameters and average spreading velocity of drop. More important is the local liquid velocity at the position of nanoparticle, very near the surface, rather than the vertical average value. In addition, there are very scarce existing studies dealing with microdroplet impaction that may be desirable for minimizing pattern demage of the wafer. In this study, we investigated the local velocity distribution in spreading liquid film under various impaction conditions through the CFD simulation. Combining the numerical results with the particle removal model, we estimated an effective cleaning diameter (ECD), which is a measure of the particle removal capacity of a single drop, and presented the predicted ECD data as a function of droplet's velocity and diameter particularly when the droplets are microns in diameter.
The purpose of this research was two-folds; first, to investigate the type of soil contaminated in the Hunsang excavated from the Milchang-gun burial of Mapo for the purpose of proposing the adequate washing method, second, to utilize the chemical degradation result obtained from the previous research to identify the natural dye source used in the Hunsang textile. The application of KS K0251 test showed that the soil was more oleophilic than hydrophilic thus indicating that wet cleaning was more adequate that dry cleaning for the removal of Hunsang soil. The GC-MS result of the Hunsang extraction showed dimethyl phthalate and 2,4-di-tert-butylphenol as its degradation product and these coincided with the degradation products from the alizarin standard data of previous research. The comparison of the two suggested that it is likely that Hunsang was dyed with madder which has alizarin as its major chromophore.
We have studied the method of silicon direct bonding using the mixture of $HNO_$, $H_2O_2$, and HF chemicals called the controlled slight etch (CSE) solution for the effective wafer cleaning. CSE, two combinations of oxidizing and etching agents, have been used to clean the silicon surfaces prior to wafer bonding. Two wafers of silicon and silicon dioxide were contacted each other at room temperature and postannealed at $300{\sim}1100^{\circ}C$ in $N_2$ ambient for 2.5 h. We have cleaned silicon wafers with the various HF concentrations and characterized the parameters with regard to surface roughness, chemical nature, chemical oxide thickness, and bonding energy. It was observed that the chemical oxide thickness on silicon wafer decreased with increasing HF concentrations. The initial interfacial energy and final energy postannealed at $1100^{\circ}C$ for 2.5h measured by the crack propagation method was 122 $mJ/m^2$ and 2.96 $mJ/m^2$, respectively.
Since the emissions composition from the household products have potentially been associated with health risks for building occupants, the chemical composition emitted from the products should be surveyed. The current study identified the emission composition for 42 liquid household products, using a purge-and-trap method. This evaluation was done by classifying the household products into five product classes (deodorizers, household cleaners, color removers, pesticides, and polishes). Nineteen compounds were chosen on the basis of selection criteria. The quality control program for purge-and-trap and analytical systems included tests of laboratory blank Tenax traps and blank water samples, and the determination of calibration equation, measurement precision, method detection limit (MDL), and recovery. The number of chemicals varied according to the product categories, ranging from 4 for the product category of bleaches to 12 for the product categories of air fresheners and nail color removers. For all product categories, the emission composition and concentrations varied broadly according to product. It is noteworthy that most household products emit limonene: 19 of 25 cleaning products; 5 of 6 deodorizers; 1 of 3 pesticides; 3 of 3 color removers; and 4 of 5 polishes. It was suggested that the use of household products sold in Korea could elevate the formation of secondary toxic pollutants in indoor environments, by the reaction of limonene with ozone, which entered indoor environments or might be generated by indoor sources such as electronic air cleaning devices and copying machines.
Park, Hong-Soo;Ahn, Sung-Hwan;Shim, Il-Woo;Jo, Hye-Jin;Hahm, Hyun-Sik;Kim, Yeoung-Chan;Kim, Seong-Kil
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.23
no.1
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pp.37-44
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2006
Solvent-free low foaming scouring agents (LFSC) were prepared by blending of 2-ethylhexylaminoethyl sulfate (2-EHAS), POE(10) octadecylbenzyl- ammonium chloride (POBAC) and Sedlan FF-200 (FF-200). As the results of several tests, 2-EHAS/POBAC/FF-200/water (8g/12g/20g/60g) mixture (LFSC-5) showed good cleaning power, penetrating ability and stability to alkali, and gave less problem in water pollution. The foaming power of LFSC-5 measured by Ross and Miles method was 8mm foam height immediately after foaming, and that measured by Ross and Clark method was less than 300mm foam height at $30^{\circ}C$, and 18mm at $80^{\circ}C$. As a result, LFSC-5 proved a good low foaming scouring agent for fiber.
Polycrystalline Si films have been used in many applications such as thin film transistors(TFT), image sensors and LSI applications. In this research deposition of Si films at low temperatures with remote plasma enhanced CVD from Si2H6-SiF4-H2 on SiO2 was studied and their crystallinity was investigated. It was condluded that growth of crystalline Si films was favorable with (1) low Si2H6 flow rates, (2) moderate plasma power, (3) moderate SiF4 flow rates, (4) moderate substrate temperature, and (5) suitable method of surface cleaning.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.7
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pp.424-432
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2000
The plasma surface treatment, using hydrogen gas, of the silicon wafer was investigated as a pretreatment for the application to silicon-on-insulator (SOI) wafers using the silicon direct bonding technique. The chemical reactions of hydrogen plasma with surfaces were used for both the surface activation and the removal of surface contaminants. As a result of exposure of silicon wafer to the plasma, an active oxide layer was formed on the surface, which was rendered hydrophilic. The surface roughness and morphology were estimated as functions of plasma exposing time as well as of power. The surface became smoother with decreased incident hydrogen ion flux by reducing plasma exposing time and power. This process was very effective to reduce the carbon contaminants on the silicon surface, which was responsible for a high initial surface energy. The initial surface energy measured by the crack propagation method was 506 mJ/m2, which was up to about three times higher than that of a conventional RCA cleaning method.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.12
no.11
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pp.4711-4717
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2011
Formation of TiN films by PVD method and the DC and RF sputtering deposition method can be applied, the injected gas to generate plasma ionization rate of the film forming speed is slow away, anything to increase the adhesion between films limitations have. To improve this, to investigate the deposition and ion beam evaporation simultaneously IBAD(Ion beam assisted deposition) when used, Ion beam surface coating material prior to the survey because the surface cleaning effect of a large, high film adhesion can be obtained. In addition, the high vacuum and low temperature, high purity thin film of uniform thickness in the benefits is.
This study was carried out to find the optimum chemical cleaning (CIP) conditions for ceramic microfiltration membrane process of Y drinking water treatment plant. B train consists of coagulation as pretreatment process with membrane was chemically cleaned 9 times more than that of A train with ozonation and coagulation. The frequent CIP of B train was due to improper CIP method suggested by membrane manufacture as well as different membrane fouling between A and B train resulting from the different pretreatment processes. That is, recovery rate of CIP was overestimated because the rate was calculated based on normalized trans membrane pressure (TMP) rather than normalized permeability. And also, iron oxide fouling was ineffectively removed by citric acid. By using a mixture of 1% citric acid and 0.1 N sulfuric acid as reagent for acid CIP step, the recovery rate of CIP was the highest while CIP efficiency by 0.1 N sulfuric acid was the lowest. When sulfuric acid concentration increased from 0.1 N to 0.3 N in mixture, total recovery rate of CIP was not increased due to the decreased CIP efficiency in alkali CIP step by 0.3% NaOCl although its rate in acid CIP step was increased. It was proved through the experiment result of CIP sequence changes that an acid followed by alkali CIP was more effective than that of the reverse method.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.20
no.8
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pp.6-14
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2006
This paper is a study about a proper method of plasma generation to cleaning method and a high frequency power equipment circuit to generation of plasma that used cleaning of chamber for TFT-LCD PECVD. The high density plasma required for cleaning causes a possibility of high density plasma more than $1{\times}10^{11}[EA/cm^3]$. It apply a ferrite core of ferromagnetic body to a existing ICP form. In case of power transfer equipment on 400[kHz] high frequency to generation of plasma it makes certain a stable switching operation in condition of plasma through using a inverter form for general purpose HB. And it demonstrates the performance of power transfer equipment using methods of measurement which use a transformer of series combination the density of plasma and the rate of dissolution of $NF_3$ in condition of $A_r\;and\;NF_3$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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