본 논문에서는 SOI 기판 위에 새롭게 제안된 측면 채널과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자를 제작하였다. Top-silicon의 측면이 채널영역이 되고 나노 점이 이 채널 영역의 위에 반응성 이온 식각(RIE)에 의해 형성되는 구조를 가지는 이 소자는 측면 채널(edge channel)의 너비가 SOI기판의 열산화에 의해 얇아진 top-silicon의 두께에 의해 결정되고, 나노 점의 크기는 반응성 이온 식각(RIE) 및 전자선 직접 묘화에 의해 결정된다. 제작된 나노 구조 소자의 I/sub d/-V/sub d/, I/sub d/-V/sub g/ 특성 및 -20V에서 +14V까지의 게이트 전압 영역에서 문턱전압의 변화 범위가 약 1V정도 되는 기억소자의 특성을 얻었다.
비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET는 단채널 효과를 감소시킬 수 있는 새로운 구조의 트랜지스터이다. 본 연구에서는 비대칭 DGMOSFET의 전도중심에 따른 차단전류를 분석하고자 한다. 전도중심은 채널 내 캐리어의 이동이 발생하는 상단게이트에서의 평균거리로써 상하단 게이트 산화막 두께를 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에서 산화막 두께에 따라 변화하는 요소이며 상단 게이트 전압에 따른 차단전류에 영향을 미치고 있다. 전도중심을 구하고 이를 이용하여 상단 게이트 전압에 따른 차단전류를 계산함으로써 전도중심이 차단전류에 미치는 영향을 산화막 두께 및 채널길이 등을 파라미터로 분석할 것이다. 차단전류를 구하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수 형태의 해석학적 전위분포를 유도하였다. 결과적으로 전도중심의 위치에 따라 차단전류는 크게 변화하였으며 이에 따라 문턱전압 및 문턱전압이하 스윙이 변화하는 것을 알 수 있었다.
본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 산화막두께, 채널도핑농도 그리고 상하단 게이트 전압 등과 같은 소자 파라미터에 따른 전도중심 및 전자농도가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 대칭구조와 비교하면 상하단 게이트 산화막의 두께 및 게이트 전압을 각각 달리 설정할 수 있으므로 단채널효과를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점을 가지고 있다. 그러므로 상하단 산화막두께 및 게이트 전압에 따른 전도중심 및 전자분포의 변화를 분석하여 심각한 단채널효과인 문턱전압이하 스윙 값의 저하 현상을 감소시킬 수 있는 최적의 조건을 구하고자 한다. 문턱전압이하 스윙의 해석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 전위분포의 해석학적 모델을 구하였다. 결과적으로 소자 파라미터에 따라 전도중심 및 전자농도가 크게 변화하였으며 문턱전압이하 스윙은 상하단 전도중심 및 전자농도에 의하여 큰 영향을 받는 것을 알 수 있었다.
Stamping process and rubber pad forming process were performed to manufacture the bipolar plate for fuel cells. For that, a vacuum die casting process and a semi-solid forming process wherein liquid-state materials were used were adopted. After preparing the blank with the stainless steel thin plate having a thickness of 0.1 mm, the bipolar plate channel was formed with the stamping process and rubber pad forming process. The depth of the bipolar plate channel prepared by the stamping method was 0.45 mm and the depth of the bipolar plate channel prepared by the rubber pad forming process was 0.41 mm. Meanwhile, with the vacuum die casting and semi solid forming, the bipolar plate having a channel depth of 0.3 mm, same as the size of the die, could be formed.
Flame characteristics of a methane-air premixed flame stabilized in a heat-regenerative small combustor were investigated experimentally. A small combustor having two counter-current shallow channels and a combustion space at one side was developed. In which the channel-gap was less the ordinary quenching distance of a stoichiometric methane-air premixed flame. Two design parameters of channel gap and thickness of the middle wall, which is located between two channels for unburned and burned gases, were varied. Flame stabilization conditions and characteristic flame behaviors were experimentally examined. Conclusively, Blowout conditions were governed mostly by the scale of the combustion space, and flashback conditions into the channel are dominated by the channel gap. Surface temperatures of the combustor were between 100 to 500$^{\circ}C$. Additionally, two distinctive flame stabilization modes of radiation and well-stirred?reaction were observed and their applicability was discussed.
Small and large conductance $Ca^{2+}$-activated $K^+(SK_{Ca}\;and\;BK_{Ca})$ channels are implicated in the modulation of neuronal excitability. We investigated how changes in peripheral $K_{Ca}$ channel activity affect mechanical sensitivity as well as the afferent fiber type responsible for $K_{Ca}$ channel-induced mechanical sensitivity. Blockade of $SK_{Ca}$ and $BK_{Ca}$ channels induced a sustained decrease of mechanical threshold which was significantly attenuated by topical application of capsaicin onto afferent fiber and intraplantar injection of 1-ethyl-2-benzimidazolinone. NS1619 selectively attenuated the decrease of mechanical threshold induced by charybdotoxin, but not by apamin. Spontaneous flinching and paw thickness were not significantly different after $K_{Ca}$ channel blockade. These results suggest that mechanical sensitivity can be modulated by $K_{Ca}$ channels on capsaicin-sensitive afferent fibers.
A MESFET device with double $\delta-doped$ channel is designed and investigated by computer simulation. The device with optimized design parameters such as a doping ratio and a spacer thickness, shows superior performance to conventional MESFETs. The effects of the FWHM of $\delta-doped$ layers device characteristics are investigated to account for the thermal process
Optimization of the sub-micron N-channel MOSFET with the LDD(Lightly Doped Drain)structure has been investigated. LDD devices with various length of n-region, n-dose and n-implantation species were fabricated for this purpose. It will be shown that LDD devices have lower substrate current by an order of magnitude and higher breakdown voltage than the conventional devices with comparable channel length. Optimized LDD structure has been found when the sidewall thickness is 2500\ulcorner and n-region is phosphorus implantd with the dose of 1.0E13/cm\ulcorner It has been found that transconductance degradation is less than 20%.
전체 채널 길이는 같지만 드레인과 게이트사이의 진성영역 길이(Lin), 드레인 및 소스의 불순물 농도, 유전율, 유전체 두께가 다른 N-채널 Tunneling FET의 특성을 비교 분석하였다. 사용된 소자는 SOI 구조의 N-채널 Tunneling FET이다. 진성영역 길이는 30~70nm, 드레인 dose 농도는 $2{\times}10^{12}cm^{-2}{\sim}2{\times}10^{15}cm^{-2}$, 소스 dose 농도는 $1{\times}10^{14}cm^{-2}{\sim}3{\times}10^{15}cm^{-2}$, 유전율은 3.9~29이고, 유전체 두께는 3~9nm이다. 소자 성능 지수는 Subthreshold slope(S-slope), On/off 전류비, 누설전류이다. 시뮬레이션 결과 진성영역 길이가 길며 드레인 농도가 낮을수록 누설전류가 감소한 것을 알 수 있었다. S-slope은 소스의 불순물 농도와 유전율이 높으며 유전체 두께는 얇을수록 작은 것을 알 수 있었다. 누설전류와 S-slope을 고려하면 N-채널 TFET 소자 설계 시 진성영역 폭이 넓으며 드레인의 불순물 농도는 낮고, 소스 농도와 유전율이 높으며 유전체 두께는 얇게 하는 것이 바람직하다.
The spectral aerosol optical thickness of vertical air columns were measured by a ground-based multi-channel sunphotometer at the BAPMoN station(36$^{\circ}$31'N, 126$^{\circ}$19'E) in Anmyon Island, Korea, from 1 March 1998 to 31 May 1998. We used the data of three yellow sand and two clear sky days in order to analyze the temporal variations in aerosol optical thickness at the station. The basic aerosol optical thickness generally represented smaller than 0.3 in a clear sky and the range 0.5 to 1.1 in yellow sand. Especially the aerosol optical thickness represented larger than 0.9 in a heavy yellow sand. It was found that the aerosol optical thickness of yellow sand was highly increased in comparison with the case of a clear sky andparticles larger than 0.5$mu extrm{m}$ were also increased in the spectral distribution of aerosol volume during yellow sand. Consequently the spectral variations in tropospheric aerosol caused by yellow sand were determined by the number concentration of particles larger than 0.5${\mu}{\textrm}{m}$ and the magnitude of yellow sand.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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