• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회B
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• pp.2654-2659
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• 2007

Fluid flow and temperature distribution inside a molten zinc bath were investigated by computational fluid dynamics method. Modeling the channel inductor where alternating current of 60Hz was applied, Lorentz force and generated heat were obtained and later supplemented as source terms to momentum and heat equations. The present work validates CFD technique is effectively adopted when the inductor hardware modification or its configuration is considered for the optimum flows.

• 전자공학회논문지
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• 제54권1호
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• pp.33-38
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• 2017

본 논문에서는 채널 당 3.125-Gb/s 동작 속도를 갖는 4-채널 공통-캐소드 VCSEL 다이오드 드라이버 어레이 칩을 구현하였다. 스위칭 동작하는 메인 드라이버의 동작속도 향상을 위해, 액티브 인덕터를 사용한 전치증폭단과 이퀄라이저 기능을 탑재한 입력버퍼단으로 구성하였다. 특히 개선된 입력버퍼단의 경우, 주파수 영역의 피킹으로 대역폭 증대뿐 아니라 비교적 적은 전류로 동작하도록 설계하였다. 본 논문에서 사용한 VCSEL 다이오드는 2.2 V 순방향 전압과 $50{\Omega}$ 기생저항 및 850 fF 기생 캐패시턴스를 갖는다. 또한, 3.0 mA 변조전류 및 3.3 mA 바이어스 전류로 동작하므로, 두 개의 독립적인 전류소스로 구동 가능한 current steering 기반의 메인 드라이버를 설계하였다. 제안한 4-채널 광 송신기 어레이 칩은 $0.11-{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 칩 코어의 면적은 $0.15{\times}0.18{\mu}m^2$ 이며, 채널 당 22.3 mW 전력소모를 갖는다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권7호
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• pp.17-22
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• 2011

본 논문에서는 인덕티브 커플링 송수신 회로를 위한 효과 적인 신호 전달 기법을 제안하기 위하여 인덕티브 커플링 채널과 기존의 신호 전달 기법들을 분석 하였다. 신호 전달 기법을 공정히 비교하기 위하여 새로운 성능 비교 지수를 소개하고 이를 토대로 비교 결과를 산출할 시 NRZ 신호 전달 기법이 기존에 제안 되었던 BPM 신호 전달 기법보다 더 우수함을 나타내었다. 모의실험은 CMOS 0.13${\mu}m$ 공정을 이용하여 송수신 회로를 설계하였으며 인덕터는 칩 내 spiral 인덕터를 가정하여 모델링 하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권1호
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• pp.122-130
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• 2015

This paper presents a 6 Gb/s 4-channel arrayed transimpedance amplifiers (TIA) with the gain control for 4-channel passive optical network in $0.13{\mu}m$ complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. A regulated cascode input stage and inductive-series peaking are proposed in order to increase the bandwidth. Also, a variable gain control is implemented to provide flexibility to the overall system. The TIA has a maximum $98.1dB{\Omega}$ gain and an input current noise level of about 37.8 pA/Hz. The die area of the fabricated TIA is $1.9mm{\times}2.2mm$ for 4-channel. The power dissipation is 47.64 mW/1ch.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2004년도 전력전자학술대회 논문집(2)
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• pp.489-493
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• 2004

연료전지는 차세대 대체 에너지원으로 부각되고 있다. 그러나 연료전지시스템 특성상 전류의 정격이 큼으로 전류의 리플성분을 감소시킬 필요가 있다. 본 논문에서는 부스트 컨버터 회로에서 인덕터에 흐르는 전류의 리플성분을 줄이기 위한 방법으로 3-channel 감${\cdot}$가극성 커플링 인덕터를 사용한 부스트 컨버터를 제안하였고 이를 일반적인 인덕터, 2-channel 감${\cdot}$가극성 커플링 인덕터를 사용한 컨버터 시스템과 비교 분석하고 시뮬레이션을 통해 시스템의 적합성을 검증하였다. 커플링 인덕터를 사용함으로써 전류 리플 성분이 감소될 뿐 아니라 시스템 효율, 무게, 가격 면에서의 효과도 기대 된다.

• Journal of Power Electronics
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• 제19권1호
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• pp.1-10
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• 2019

Current imbalance is the main factor affecting the lifespan of light-emitting diode (LED) lighting systems and is generally solved by active or passive approaches. Given many new lighting applications, independent control is particularly important in achieving different levels of luminance. Existing passive and active approaches have their own limitations in current sharing and independent control, which bring new challenges to the design of LED drivers. In this work, a multichannel resonant converter based on switched-capacitor control (SCC) is proposed for solving this challenge. In the resonant network of the upper and lower half-bridges, SCC is used instead of fixed capacitance. Then, the individual current of the LED array is obtained through regulation of the effective capacitance of the SCC under a fixed switching frequency. In this manner, the complexity of the control unit of the circuit and the precision of the multichannel outputs are further improved. Finally, the superior performance of the proposed LED driver is verified by simulations and a 4-channel experimental prototype with a rated output power of 20 W.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권8호
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• pp.53-60
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• 2005

최근 낮은 기가비트급 광통신 집적회로의 구현에 sub-micron CMOS 공정이 적용되고 있다. 본 논문에서는 표준 0.35mm CMOS 공정을 이용하여 4채널 3.125Gb/s 차동 전치증폭기 어레이를 구현하였다. 설계한 각 채널의 전치증폭기는 차동구조로 regulated cascode (RGC) 설계 기법을 이용하였고, 액티브 인덕터를 이용한 인덕티브 피킹 기술을 이용하여 대역폭 확장을 하였다 Post-layout 시뮬레이션 결과, 각 채널 당 59.3dBW의 트랜스임피던스 이득, 0.5pF 기생 포토다이오드 캐패시턴스에 대해 2.450Hz의 -3dB 대역폭, 그리고 18.4pA/sqrt(Hz)의 평균 노이즈 전류 스펙트럼 밀도를 보였다. 전치증폭기 어레이의 공급전원은 단일전압 3.3V 이고, 전력소모는 92mw이다. 이는 4채널 RGC 전치증폭기 어레이가 저전력, 초고속 광인터컨넥트 분야에 적합함을 보여준다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권5호
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• pp.235-241
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• 2013

A low power CMOS control circuit is applied in an integrated DC-DC buck converter. The integrated converter is composed of a feedback control circuit and power block with 0.35 ${\mu}m$ CMOS process. A current-sensing circuit is integrated with the sense-FET method in the control circuit. In the current-sensing circuit, a current-mirror is used for a voltage follower in order to reduce power consumption with a smaller chip-size. The N-channel MOS acts as a switching device in the current-sensing circuit where the sensing FET is in parallel with the power MOSFET. The amplifier and comparator are designed to obtain a high gain and a fast transient time. The converter offers well-controlled output and accurately sensed inductor current. Simulation work shows that the current-sensing circuit is operated with an accuracy of higher than 90% and the transient time of the error amplifier is controlled within $75{\mu}sec$. The sensing current is in the range of a few hundred ${\mu}A$ at a frequency of 0.6~2 MHz and an input voltage of 3~5 V. The output voltage is obtained as expected with the ripple ratio within 1%.

• 한국음향학회지
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• 제26권6호
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• pp.276-285
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• 2007

본 논문에서는 현재까지 주파수 영역에서 개발된 4종류의 라우드스피커 TS 매개변수 규명법들에 대하여 비교 검토하였다. 보이스 코일 인덕터에 대한 상세한 모델링을 위해 주파수 종속 모델링 기법을 소개하였고 관련된 매개변수들을 유도하였다. 라우드스피커의 동적 질량을 알고 있을 때에 TS 매개변수를 규명하는 방법을 소개하고 이를 실제 라우드스피커에 적용할 때에 고려할 사항들도 기술하였다. 1채널 장비로 전기 임피던스를 측정할 때에는 크기만을 측정하게 되므로 위상값 추정을 위해 최소 위상 변환법을 사용하는 방법도 기술하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제39B권7호
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• pp.440-448
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• 2014

TWDM-PON 시스템 수신부에 사용될 $4{\times}10$ Gb/s Transimpedance Amplifier (TIA) 어레이가 $0.13{\mu}m$ CMOS 기술로 구현하였다. TIA의 대역폭 향상을 위하여 인덕터 피킹 기술과 1.2 V 기반의 저전압 설계기술을 제안한다. 0.5 pF PD 용량에서 7 GHz 3 dB 대역폭을 구현한다. 1.2V 공급에서 채널당 31 mW를 소모하는 동안 Trans-resistance gain 은 $71.81dB{\Omega}$이다. TIA의 입력 감도는 -33.62 dBm를 갖는다. 4 채널을 포함하는 전체 칩 크기는 $1.9mm{\times}2.2mm$ 이다.