• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2294-2296
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• 2005

Multilayer microstrip lines are an integral part of an MMIC. This paper presents an analysis of multilayer GaAs-MMIC microstrip line using a spectral domain method(SDM) taking into account the effect of the variation in the thickness of various layers of substrates on the characteristic impedance and the effective dielectric constant of the line. This work is expected to be useful in GaAs foundries for accurate CAD modelling of the microstrip lines up to 40GHz.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제29권2호
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• pp.104-112
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• 2015

This paper deals with an methodology for acquiring optimal order of rational function model in FDNE(frequency dependent network equivalents) with GA(genetic Algorithm). In order to analyze the modern power system with huge complexity, an practical and efficient equivalent model is needed which represents the system's characteristics of transient phenomenon. this paper shows developing a z domain rational function model which have the resultant coefficient from proposed GA simulation. To demonstrate this methodology, some simulations are performed with practical power system of NZ which applied with fault condition and nonlinear converter load.

• International Journal of Fuzzy Logic and Intelligent Systems
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• 제7권3호
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• pp.171-175
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• 2007

In this paper a methodology has been proposed to compute the parameters of the multilayer earth model using a genetic algorithm(GA). The results provided by the GA constitute the indispensable data that can be used in circuital or field simulations of grounding systems. This methodology allows to proceed toward a very efficient simulation of the grounding system and an accurate calculation of potential on the ground's surface. The sets of soil resistivity used for GA are measured in Jeju area.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송∙미디어공학회 2020년도 하계학술대회
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• pp.62-65
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• 2020

본 논문에서는 ATSC3.0 Layered-Division-Multiplexing Multiple-Inputs-Multiple-Outputs 방송 시스템에서 Core-Layer(CL) 신호 복조 시 기존 Gaussian-Approximation(GA) 기법과 Partial-GA(PGA) 기법을 선택적으로 사용하여 PGA 기법과 성능은 거의 동일하며 복잡도는 더 작은 새로운 Hybrid PGA(HPGA) 복조 기법을 제안하고자 한다. 제안된 복조 기법은 수신단 신호의 Injection Level(IL) 값이 송신 IL보다 높아 CL 신호 입장에서 채널 상태가 좋을 경우 GA 기법을 사용하고, 반대로 수신단 IL 값이 송신 IL보다 낮아 채널 상태나 좋지 않을 경우 성능을 우선한 PGA 기법을 사용하게 된다. 실험 결과 성능은 PGA 기법과 거의 동일하고 복잡도는 PGA 기법의 복잡도 대비 약 25% 정도 작아짐을 보인다.

• 지능정보연구
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• 제19권4호
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• pp.55-79
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• 2013

본 연구에서는 집중형 센터를 가진 역물류네트워크(Reverse logistics network with centralized centers : RLNCC)를 효율적을 해결하기 위한 혼합형 유전알고리즘(Hybrid genetic algorithm : HGA) 접근법을 제안한다. 제안된 HGA에서는 유전알고리즘(Genetic algorithm : GA)이 주요한 알고리즘으로 사용되며, GA 실행을 위해 0 혹은 1의 값을 가질 수 있는 새로운 비트스트링 표현구조(Bit-string representation scheme), Gen and Chang(1997)이 제안한 확장샘플링공간에서의 우수해 선택전략(Elitist strategy in enlarged sampling space) 2점 교차변이 연산자(Two-point crossover operator), 랜덤 돌연변이 연산자(Random mutation operator)가 사용된다. 또한 HGA에서는 혼합형 개념 적용을 위해 Michalewicz(1994)가 제안한 반복적언덕오르기법(Iterative hill climbing method : IHCM)이 사용된다. IHCM은 지역적 탐색기법(Local search technique) 중의 하나로서 GA탐색과정에 의해 수렴된 탐색공간에 대해 정밀하게 탐색을 실시한다. RLNCC는 역물류 네트워크에서 수집센터(Collection center), 재제조센터(Remanufacturing center), 재분배센터(Redistribution center), 2차 시장(Secondary market)으로 구성되며, 이들 각 센터 및 2차 시장들 중에서 하나의 센터 및 2차 시장만 개설되는 형태를 가지고 있다. 이러한 형태의 RLNCC는 혼합정수계획법(Mixed integer programming : MIP)모델로 표현되며, MIP 모델은 수송비용, 고정비용, 제품처리비용의 총합을 최소화하는 목적함수를 가지고 있다. 수송비용은 각 센터와 2차 시장 간에 제품수송에서 발생하는 비용을 의미하며, 고정비용은 각 센터 및 2차 시장의 개설여부에 따라 결정된다. 예를 들어 만일 세 개의 수집센터(수집센터 1, 2, 3의 개설비용이 각각 10.5, 12.1, 8.9)가 고려되고, 이 중에서 수집센터 1이 개설되고, 나머지 수집센터 2, 3은 개설되지 않을 경우, 전체고정비용은 10.5가 된다. 제품처리비용은 고객으로부터 회수된 제품을 각 센터 및 2차 시장에서 처리할 경우에 발생되는 비용을 의미한다. 수치실험에서는 본 연구에서 제안된 HGA접근법과 Yun(2013)의 연구에서 제안한 GA접근법이 다양한 수행도 평가 척도에 의해 서로 비교, 분석된다. Yun(2013)이 제안한 GA는 HGA에서 사용되는 IHCM과 같은 지역적탐색기법을 가지지 않는 접근법이다. 이들 두 접근법에서 동일한 조건의 실험을 위해 총세대수 : 10,000, 집단의 크기 : 20, 교차변이 확률 : 0.5, 돌연변이 확률 : 0.1, IHCM을 위한 탐색범위 : 2.0이 사용되며, 탐색의 랜덤성을 제거하기 위해 총 20번의 반복실행이 이루어 졌다. 사례로 제시된 두 가지 형태의 RLNCC에 대해 GA와 HGA가 각각 실행되었으며, 그 실험결과는 본 연구에서 제안된 HGA가 기존의 접근법인 GA보다 더 우수하다는 것이 증명되었다. 다만 본 연구에서는 비교적 규모가 작은 RLNCC만을 고려하였기에 추후 연구에서는 보다 규모가 큰 RLNCC에 대해 비교분석이 이루어 져야 할 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.180-180
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• 2012

Heteroepitaxial GaN nano- and micro-rods (NMRs) are one of the most promising structures for high performance optoelectronic devices such as light emitting diodes, lasers, solar cells integrated with Si-based electric circuits due to their low dislocation density and high surface to volume ratio. However, heteroepitaxial GaN NMRs growth using a metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) machine is not easy due to their long surface diffusion length at high growth temperature of MOVPE above $1000^{\circ}C$. Recently some research groups reported the fabrication of the heteroepitaxial GaN NMRs by using MOVPE with vapor-liquid-solid (VLS) technique assisted by metal catalyst. However, in the case of the VLS technique, metal catalysts may act as impurities, and the GaN NMRs produced in this mathod have poor directionallity. We have successfully grown the vertically well aligned GaN NMRs on Si (111) substrate by means of self-catalystic growth methods with pulsed-flow injection of precursors. To grow the GaN NMRs with high aspect ratio, we veried the growth conditions such as the growth temperature, reactor pressure, and V/III molar ratio. We confirmed that the surface morphology of GaN was strongly influenced by the surface diffusion of Ga and N adatoms related to the surrounding environment during growth, and we carried out theoretical studies about the relation between the reactor pressure and the growth rate of GaN NMRs. From these results, we successfully explained the growth mechanism of catalyst-free and mask-free heteroepitaxial GaN NMRs on Si (111) substrates. Detailed experimental results will be discussed.

• 한국결정성장학회지
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• 제20권3호
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• pp.113-116
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• 2010

본 논문에서는 Sb를 촉매제로 이용하는 경우의 InGaN 나노구조의 성장과 구조적 특징 및 광학적 특성에 대해서 연구하였다. 결정성장에 있어서 촉매제의 사용은 성장 모드의 변화와 결정 결함의 감소 등을 위한 목적으로 많이 사용되어왔다. 본 연구에서는 혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 사용하여 (0001) 사파이어 기판 위에 InGaN 나노구조를 성장하였고, 구조적 및 광학적 특성은 scanning electron microscope(SEM)과 photoluminescence(PL)를 통해 평가하였다. Sb이 첨가되지 않은 경우에는 InGaN 나노구조가 c-축 방향으로 정렬되는 경향을 보이지만 Sb이 첨가된 경우에는 InGaN 나노구조의 c-축 방향이 기판에 대해 평행하거나 경사진 방향으로 정렬되고 있는 것을 관찰할 수 있었다. In의 조성은 Sb 의 첨가 여부에 관계없이 약 3.2% 정도로 계산되었다. 이러한 결과들로부터 측면 배향된 나노입자를 활성층으로 하는 광소자에 적용할 경우 압전 전계를 완화할 수 있기 때문에 광소자의 발광 성능을 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다.

• ETRI Journal
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• 제27권1호
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• pp.75-80
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• 2005

This paper addresses a fully-integrated low phase noise X-band oscillator fabricated using a carbon-doped InGaP heterojunction bipolar transistor (HBT) GaAs process with a cutoff frequency of 53.2 GHz and maximum oscillation frequency of 70 GHz. The oscillator circuit consists of a negative resistance generating circuit with a base inductor, a resonating emitter circuit with a microstrip line, and a buffering resistive collector circuit with a tuning diode. The oscillator exhibits 4.33 dBm output power and achieves -127.8 dBc/Hz phase noise at 100 kHz away from a 10.39 GHz oscillating frequency, which benchmarks the lowest reported phase noise achieved for a monolithic X-band oscillator. The oscillator draws a 36 mA current from a 6.19 V supply with 47.1 MHz of frequency tuning range using a 4 V change. It occupies a $0.8mm{\times}0.8mm$ die area.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.636-639
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• 2004

We have synthesized a $Eu^{2{\cdot}}$ -activated $Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $Ba^{2{\cdot}}$ co-doped $Sr_2SiO_4$ yellow phosphor investigated an attempt to develop white LEDs by combining it with a GaN blue LED chip. Three distinct emission bands from the GaN-based LED and the ($Sr_3MgSi_2O_8$:Eu + $Ba^{2{\cdot}}$ co-doped $Sr_2SiO_4$:Eu) phosphor are clearly observed at 405nm, 455 nm and at around 540 nm, respectively. These three emission bands combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. Our results show that GaN (405 nm chip)-based ($Sr_3MgSi_2O_8$:Eu + $Ba^{2{\cdot}}$ co-doped $Sr_2SiO_4$:Eu) exhibits a better luminous efficiency than that of the industrially available product InGaN (460 nm chip)-based YAG:Ce.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권4호
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• pp.454-461
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• 2015

Light enhancement of GaN based light emitting diodes (LEDs) have been investigated by texturing the top p-GaN surface. Nano-textured LEDs have been fabricated using self-assembled Ni nano mask during dry etching process. Experimental results were further compared with simulation data. Three types of LEDs were fabricated: Conventional (planar LED), Surface nano-porous (porous LED) and Surface nano-cluster (cluster LED). Compared to planar LED there were about 100% and 54% enhancement of light output power for porous and cluster LED respectively at an injection current of 20 mA. Moreover, simulation result showed consistency with experimental result. The increased probability of light scattering at the nano-textured GaN-air interface is the major reason for increasing the light extraction efficiency.