A SiC-$CeO_2$ composite membrane was successfully fabricated using an ally-hydridopolycarbosilane (AHPCS) binder and treated by dip-coating at 60 times with a $CeO_2$ sol solution. The dip-coated SiC membrane was calcined at 773 K and then sintered at 1173 K under an air atmosphere. The coated membrane was characterized by X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and a BET surface analysis. The difference in permeation performance between $H_2$ and CO gases was measured by varying the temperature. The permeation flux of $H_2$ on the SiC membrane with layered $CeO_2$ was obtained as $8.45{\times}10^{-6}\;mol/m^2sPa$ at room temperature. The CO permeation flux was $2.64{\times}10^{-6}\;mol/m^2sPa$ at room temperature. The reaction enthalpy (${\Delta}H^{\circ}$) for the hydrogen permeation process was calculated as -7.82 J/mol by Arrhenius plots.
Fekri, F.;Shahidi, M.;Foroughi, M.M.;Kazemipour, M.
Journal of Electrochemical Science and Technology
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제10권2호
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pp.148-158
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2019
The corrosion protection of AA2024 PPy coated samples doping with nanosized metal oxides, including $TiO_2$ and $CeO_2$ nanoparticles and $Nd_2O_3$ nanorods, during exposure to the solutions of 0.1 M $H_2SO_4$ and 3.5% NaCl was evaluated by electrochemical impedance spectroscopy (EIS) and linear polarization resistance (LPR) techniques. The nanorods of $Nd_2O_3$ were synthesized by cathodic pulse electrochemical deposition technique. The barrier properties of the different PPy coatings containing nanosized metal oxides immersed in $H_2SO_4$ solution were ranked as follows: $Nd_2O_3$ > $TiO_2$ > $CeO_2$. Therefore, the $Nd_2O_3$ coating sample provided the highest corrosion protection at any time of immersion up to 72 hours after immersing in $H_2SO_4$ solution. On the other hand, the $CeO_2$ coating sample displayed the best anticorrosive properties among the other coating samples after immersion in NaCl solution up to 28 days. This is due to the inhibition effect of cerium ions on aluminum alloys at near-neutral solutions.
Thermal conductivities in $La_2Ce_2O_7-Gd_2Ce_2O_7-Y_2Ce_2O_7$ ternary system have been investigated. Pyrochlore phases formed at all ternary compositions and their sinterbilities were decreased with La addition. Thermal conductivities showed a minimum value at $La_2Ce_2O_7$ with moderate increases as $Y^{3+}$ and $Gd^{3+}$ ions replaced $La^{3+}$. Thermal expansion anomaly observed in $La_2Ce_2O_7$, which might be detrimental to TBC application, were suppressed by $Y^{3+}$ and $Gd^{3+}$ additions, with resultant thermal conductivities, $1.3{\sim}1.5 W/mK$ at $1000^{\circ}C$.
This review deals with one of the surface modification techniques, chemical conversion coating and particularly cerium-based conversion coatings (CeCC) as a promising substitute for chromium and phosphate conversion coating on magnesium and its alloys. The CeCCs are commonly considered environmentally friendly. The effects of surface preparation, coating thickness, bath composition, and e-paint on the corrosion behavior of CeCCs have been studied on the AZ31 magnesium alloy. This review also correlates the coating microstructural, morphological, and chemical characteristics with the processing parameters and corrosion protection. Results showed that the as-deposited coating system consists of a three layer structure (1) a nanocrystalline MgO transition layer in contact with the Mg substrate, (2) a nanocrystalline CeCC layer, and (3) an outer amorphous CeCC layer. The nanocrystalline CeCC layer thickness is a function of immersion time and cerium salt used. The overall corrosion protection was crucially dependent on the presence of coating defects. The corrosion resistance of AZ31 magnesium alloy was better for thinner CeCCs, which can be explained by the presence of fewer and smaller cracks. On the other hand, maximum corrosion protection was achieved when AZ31 magnesium samples with thin CeCCs are e-painted. The e-paint layer further restricts and hinders the movement of chloride and other aggressive ions present in the environment from reaching the magnesium surface.
Silica-based ceramic-matrix composites have shown promise as advanced materials for many applications such as chemical catalysts, ceramics, pharmaceuticals, and electronics. $SiO_2$-CuO-$CeO_2$ multi-component powders and their thin film, using an oxalic acid template as a chelating agent, have larger surface areas and more uniform pore size distribution than those of inorganic acid catalysts. $SiO_2$-CuO-$CeO_2$ composite powders were synthesized using tetraethylorthosilicate, copper (II) nitrate hemi (pentahydrate), and cerium (III) nitrate hexahydrate with oxalic acid as template or pore-forming agent. The process of thermal evolution, the phase composition, and the surface morphology of these powders were monitored by thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA), X-ray diffractometry (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and energy dispersive X-ray spectrometry (EDXS). The mesoporous property of the powders was observed by Brunner-Emmett-Teller surface (BET) analysis. The improved surface area of this powder template with oxalic acid was $371.4m^2/g$. This multi-component thin film on stainless-steel was prepared by sol-gel dip coating with no cracks.
Copper is able to work as a current collector under wide range of hydrocarbon fuels without coking in Solid oxide fuel cells (SOFCs). The application of copper in SOFC is limited due to its low melting point, which result in coarsening the copper particle. This work focuses on the sintering of copper powder with ceria coating layer. Ceria-coated powder was prepared by thermal decomposition of urea in $Ce(NO_3)_3\cdot6H_2O$ solution, which containing CuO core particles. The ceria-coated powder was characterized by XRD, ICP, and SEM. The thermal stability of the ceria-coated copper in fuel atmosphere $(H_2)$ was observed by SEM. It was found that the ceria coating layer could effectively hinder the grain growth of the copper particles.
Syngas and hydrogen from the $CeO_2/ZrO_2$ coated foam devices were investigated under simulated solar radiation. The $CeO_2/ZrO_2$ coated SiC, Ni and Cu foam device were prepared using drop-coating method. Syngas production step was performed at $900^{\circ}C$, and hydrogen production process was performed for ten repeated cycles to compare the CeO2 conversion in syngas production step, $H_2$ yield in hydrogen production step and cycle reproducibility. The produced syngas had the $H_2$/CO ratio of 2, which was suitable for methanol synthesis or Fischer-Tropsch synthesis process. In addition, syngas and hydrogen production process is one of the promising chemical pathway for storage and transportation of solar heat by converting solar energy to chemical energy. After ten cycles of redox reaction, the $CeO_2/ZrO_2$ was analyzed using XRD pattern and SEM image in order to characterize the physical and chemical change of metal oxide at the high temperature.
The effect of $BaCeO_3$ doping on the critical current density of YBCO film by TFA-MOD method was studied. $BaCeO_3$ doping was made by two method; one is direct addition of $BaCeO_3$ nano-sized powder prepared by citrate process followed by grinding with planetary ball mill for 10 hours. Another is addition of Ba-Ce precursor solution prepared with Ba-acetate and Ce acetate dissolved in TFA to the YBCO-TFA precursor solution. The film was made by standard dip coating and heat treatment process with conversion temperature of $790^{\circ}C$ in 1000 ppm oxygen containing moisturized Ar gas atmosphere. The direct addition of $BaCeO_3$ powder resulted in YBCO film with good epitaxial growth and no evidence of second phase formation. The addition through precursor solution resulted in the increase of critical current density upto 30 at% doping and uniform dispersion of $BaCeO_3$ fine inclusion was confirmed by SEM-EDX.
CeO$_2$ thin films have used in wide applications such as SOI, buffer layer, antirflection coating, and gate dielectric layer. CeO$_2$takes one of the cubic system of fluorite structure and shows similar lattice constant (a=0.541nm) to silicon (a=0.543nm). We investigated CeO$_2$films as buffer layer material for nonvolatile memory device application of a single transistor. Aiming at the single transistor FRAM device with a gate region configuration of PZT/CeO$_2$ /P-Si , this paper focused on CeO$_2$-Si interface properties. CeO$_2$ films were grown on P-type Si(100) substrates by 13.56MHz RF magnetron sputtering system using a 2 inch Ce metal target. To characterize the CeO$_2$ films, we employed an XRD, AFM, C-V, and I-V for structural, surface morphological, and electrical property investigations, respectively. This paper demonstrates the best lattice mismatch as low as 0.2 % and average surface roughness down to 6.8 $\AA$. MIS structure of CeO$_2$ shows that breakdown electric field of 1.2 MV/cm, dielectric constant around 13.6 at growth temperature of 200 $^{\circ}C$, and interface state densities as low as 1.84$\times$10$^{11}$ cm $^{-1}$ eV$^{-1}$ . We probes the material properties of CeO$_2$ films for a buffer layer of FRAM applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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