Park, Sewoong;Park, Taejun;Lee, Sangyeob;Chung, Choong-Heui
Korean Journal of Materials Research
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v.30
no.3
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pp.131-135
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2020
Silver nanowire (AgNW) networks have been adopted as a front electrode in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin film solar cells due to their low cost and compatibility with the solution process. When an AgNW network is applied to a CIGS thin film solar cell, reflection loss can increase because the CdS layer, with a relatively high refractive index (n ~ 2.5 at 550 nm), is exposed to air. To resolve the issue, we apply solution-processed ZnO nanorods to the AgNW network as an anti-reflective coating. To obtain high performance of the optical and electrical properties of the ZnO nanorod and AgNW network composite, we optimize the process parameters - the spin coating of AgNWs and the concentration of zinc nitrate and hexamethylene tetramine (HMT - to fabricate ZnO nanorods. We verify that 10 mM of zinc nitrate and HMT show the lowest reflectance and 10% cell efficiency increase when applied to CIGS thin film solar cells.
Kim, Dong Myeong;Jang, Jun Sung;Karade, Vijay Chandrakant;Kim, Jin Hyeok
Korean Journal of Materials Research
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v.31
no.11
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pp.619-625
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2021
Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) based thin-film solar cells have attracted growing attention because of their earth-abundant and non-toxic elements. However, because of their large open-circuit voltage (Voc)-deficit, CZTSSe solar cells exhibit poor device performance compared to well-established Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGS) and CdTe based solar cells. One of the main causes of this large Voc-deficit is poor absorber properties for example, high band tailing properties, defects, secondary phases, carrier recombination, etc. In particular, the fabrication of absorbers using physical methods results in poor surface morphology, such as pin-holes and voids. To overcome this problem and form large and homogeneous CZTSSe grains, CZTSSe based absorber layers are prepared by a sputtering technique with different RTA conditions. The temperature is varied from 510 ℃ to 540 ℃ during the rapid thermal annealing (RTA) process. Further, CZTSSe thin films are examined with X-ray diffraction, X-ray fluorescence, Raman spectroscopy, IPCE, Energy dispersive spectroscopy and Scanning electron microscopy techniques. The present work shows that Cu-based secondary phase formation can be suppressed in the CZTSSe absorber layer at an optimum RTA condition.
Weather elements were observed by the AWS (Automatic Weather System) and dustfall particles were collected by the modified American dust jar (wide inlet bottle type) at 4 sampling sites in Busan area from March. 1999 to February, 2000. Thirteen chemical species (Al, Ca, Cd, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Ni, Pb, Si, and Zn) were analyzed by AAS and ICP. The purposes of this study were to estimate qualitatively various bulk deposition flux of dustfall and insoluble components by applying regional and seasonal wind intensity. Frequency of wind speed were found in order of low(1-3m/s), very low(<1m/s), medium(3-8m/s) and high(>8m/s), and annual mean had higher range at low(1-3m/s) for 56.3%. Strong negative linear correlation were observed between dustfall and wind direction (northeastern and eastern), but strong positive linear correlation were observed between dustfall and wind direction (western and northwestern) at industrial, commercial and coastal zone(p<0.05). While a negative correlation were observed between wind speed frequency of very low(<1 m/s) and dustfall, and positive correlation were observed between wind speed frequency of low(1-3m/s) and dustfall in coastal zone(p<0.05). The correlation coefficient was observed 0.556 between wind speed frequency of low(1-3m/s) and Ni by commercial zone(p<0.05). The correlation coeffcient show well-defined insoluble trace metals (Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Pb, and Zn) and wind speed frequency of low(1-3m/s) at coastal zone, which was found significant difference(p<0.01).
Kim, Tae-Won;Park, Jae-Cheol;Park, Sin-Yeong;Song, Guk-Jong
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.05a
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pp.45-46
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2015
Se 원소가 포함된 $CuIn_xGa_{1-x}Se_2$(CIGS) 단일 스퍼터링 타겟을 이용하여 후처리 공정없이 단일 스퍼터링 공정만으로 CIGS 흡수층 박막을 증착하여 소자 특성을 확인하였다. 단일 CIGS 흡수층 공정이 적용된 CIGS 박막태양전지 소자(유리기판/Mo/단일 CIGS 흡수층 박막/CdS/i-ZnO/Al-doped ZnO/Ni-Al grid)에서 10.0%의 태양광 변환 효을을 달성하였으며, 이는 기존의 복잡한 공정구조를 해결하여 대면적 양산화 CIGS 제조 공정에도 적용할 수 있음을 확인하였다.
The geology of the Seungryung Zn deposit, located in the Muzu basin, consists of Precambrian leucocratic granitic gneiss, Cretaceous clastic rocks, pyroclastic rocks, and intrusive rocks. The deposit shows a weakly skarnized hydrothermal replacement ore developed along limestone bed in the gneiss. The mineralization can be divided into three stages: the early skarnization producing garnet and pyroxene, the main mineralization in the middle stage precipitating most metallic minerals such as magnetite, sphalerite, chalcopyrite, pyrrhotite, Pb-Ag-Bi-S system minerals, and the late stage for altered or low temperature minerals such as chlorite and marcasite. Pb-Ag-Bi-S system minerals include heyrovskite-eskimoite solid solution, lillianite-gustavite solid solution, and vikingite. Chalcopyrite diseases are quite common in sphalerite showing bead chains and dusting textures. The ${\delta}^{34}S$ values of sulfides minerals are concentrated within the narrow range of 3.4~4.1‰ for pyrite, 3.3~4.3‰ for sphalerite, 4.0~4.3‰ for chalcopyrite, and 2.8‰ for galena, suggesting that most sulfur is of igneous origin. Sulfur isotope geothermometry is calculated to be $346{\sim}431^{\circ}C$, implying that the mineralization occurred at relatively high temperature. FeS contents of sphalerite are relatively high in the range of 6.58~20.16 mole% (avg. 16.58 mole%) with the enrichment of Mn compared to Cd, similarly to representative skarn Pb-Zn deposits in South Korea. On the contrary, sphalerite from Au-Ag deposits in the Seolcheon mineralized zone around the Seungryung deposit is enriched in Cd, showing similar feature like representative epithermal Au-Ag deposits. This suggests that around the related igneous rocks, magnetite and sphalerite were produced at high temperature in the Seungryung deposit, and with decreasing temperature and compositional change of mineralizing fluids, Au-Ag mineralization proceeded in the Seolcheon mineralized zone.
We prepared and characterized $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$(CIGS) films using a elemental co-evaporation method for absorbing layer of high efficiency thin film solar cells. The CIGS films deposited on a soda-lime glass exhibited low resistivity because of higher carrier concentration. Na was accumulated at the CIGS surface and the 0 and Se were also accumulated at the surface, suggesting that oxidation is a driving force of Na accumulation. The structure of CIGS film was modified or a secondary phase was formed in the Cu-poor CIGS bulk films probably due to the incorporation of Na into Cu vacancy sites. As the Ga/(In+Ga) ratio increased, the diffraction peaks of $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ films were shifted to larger angle and splitted, and the grain size of $Cu_{0.91}(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ films became smaller. All $Cu_{0.91}(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ films showed the p-type conductivity regardless of the Ga/(In+Ga) ratio. Ag/n-ZnO/i-ZnO/CdS/$Cu_{0.91}(In_{0.7}Ga_{0.3})Se_2$/Mo solar cells were fabricated. The currently best efficiency in this study was 14.48% for $0.18cm^2$ area ($V_{oc}=581.5mV,\;J_{sc}=34.88mA$, F.F=0.714).
Son, Jin Gyeong;Choi, Eunjin;Piao, Yuanzhe;Han, Sang Woo;Lee, Tae Geol
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.355-355
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2016
There has been an explosive development of nanocrystal (NC) synthesis and application due to their composition-dependent specific properties. Despite the composition, shape, and size of NCs foremost determine their physicochemical properties, the surface state and molecule conjugation also drastically change their characteristics. To make practical use of NCs, it is a prerequisite to understand the NC surface state and the degree to which they have been modified because the reaction occurs on the interface between the NCs and the surrounding medium. We report in here an analysis method to identify conjugated ligands and their binding states on semiconductor nanocrystals based on their molecular information. Surface science techniques, such as time-of-flight secondary-ion mass spectrometry (ToF-SIMS) and FT-IR spectroscopy, are adopted based on the micro-aggregated sampling method. Typical trioctylphosphine oxide-based synthesis methods of CdSe/ZnS quantum dots (QDs) have been criticized because of the peculiar effects of impurities on the synthesis processes. Since the ToF-SIMS technique provides molecular composition evidence on the existence of certain ligands, we were able to clearly identify the n-octylphosphonic acid (OPA) as a surface ligand on CdSe/ZnS QDs. Furthermore, the complementary use of the ToF-SIMS technique with the FT-IR technique could reveals the OPA ligands' binding state as bidentate complexes.
An optimum synthetic condition was studied for the MCS used as a silicone monomer. The contact mixture was made from the four component catalyst system($CuCl/ZnCl_2/Sn/Cd$) and silicon particles. The contact mass was used for a series of experiments with methyl chloride, which were designed and done to explore the optimum condition for MCS synthesis by an experimental design method. The optimum temperature and MeCl flow rate, which were obtained using 50g contact mass at 60rpm and 1 atm, were in the range of $300-305^{\circ}C$ and of 70-80ccm. Also a continuous run was performed to confirm the conditions. The results showed that the average reaction rate and selectivity were 170(g-MCS/hr.kg-Si) and 0.05 respectively at 67% conversion of MeCl and 92% silicon utilization rate. Also the parameters of overall reaction rate equation and a total pressure were estimated on the basis of the results of the continuous run.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.14
no.1
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pp.1-6
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2000
In this paper, organic dispersion type back light EL(Electroluminescent) devices were manufactured using Ethyl hydroxy ethyl cellulose as organic binder, ZnS:Cu as phosphor powder and $BaTiO_3$ as dielectrics by screen printing method, which are focused on as a new light source. The properties of the fabricated organic dispersion type back light EL devices were showed $1.98[mA/\m^2]$ of current density, 0.075[W] of power consumption, 7.1[nF] of capacitance at $25[^{\circ}C]$, 100[V], 400[Hz], respectively. Also brightness of the fabricated device was revealed $20~110[cd/\m^2]$ at 50~150[V] and the change of color was shoed bluish green of x=0.1711, y=0.3676 which are color coordinate by CIE.
In the removal of heavy metals from the mine deposit using electrokinetic processes, the effects of operation under both constant current and constant potential conditions were estimated. The results of soil pH distributions for DDW-20 V and DDW-100 mA cases after the electrokinetic remediation tests were observed. In the former case, soil pH was not much changed and kept to almost constant value just little higher than initial soil pH of 3.52, except near the cathode, which was about pH 5. While in the latter case, soil pHs of anode and the cathode regions were less than pH 3 and about 6, respectively. The electroosmotic flow to the cathode increased rapidly till 10 hrs and decreased steadily and then maintained to constant rate until the end of operation at constant current condition. Electric potential gradient was continuously increased to as much as 34.375 V/cm. At the steady state, values of the apparent electric conductivity for DDW-20 V and DDW-100 mA were around 40 ${\mu}\textrm{s}$/cm and 30 ${\mu}\textrm{s}$/cm, respectively. In the DDW-100mA test, Cu, Cd, and Zn except Pb showed the tendency of moving toward the cathode. While in the DDW-20 V case, it was observed that Cu, Zn, and Pb except Cd were not moved to any directions. The results of the tests demonstrated that the electrokinetic soil remediation process could be operated better under constant current condition than constant electric potential condition.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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