Aspergillus sp. CC-29 ws selected for its strong protease activity among various stains of molds found in soil. It was found that the production of alkaline protease reached to maximum when the wheat bran medium containing glucose as carbon source had been cultured for 4 days. Alkaline proteased was purified 36.10 fold from Aspergillus sp. CC-29 The purification procedures included ammonium sulfate fractunation gel filteration on Sepha-dex G-75 G-150 and DEAE-cellulose ion-exchange chromatography, The yield of the purified enzyme was 22.40% The purified enzyme was confirmed as a single band by the polyacryla-mide. When the purified enzyme was applied to SDS-PAGE the molecular weight was estima-ted 24000. The optimum pH for the enzyme activity was 9.0 and the optimum temperature was 4$0^{\circ}C$ The reaction of this enzyme followed typical Michaelis-Menten kinetics with the Km value of 2.10$\times$10-4M with the Vmax of 29.41 $\mu$g/min. The enzyme was reactively stable in alkalic condition and unstable by heat treatment. The activity of alkaline protease was increased by the addition of Ca2+ whereas it was inhibited by Hg2+ Zn2+ at concentration of 1$\times$10-3M.
Under accelerated industrial developments environment pollution comes out to be very stirious. Especially the ions of heavy metal from wastewater, even if they are minimal, accumulated in ecology circle and do finally injury to human health. The general process for removal of heavy metals include coagulation and following sedimentation, ion -exchange and active carbon adsorption and sedimentation that applicate in popular, needs the expense of coagulant the additional treatment of sludge on the general process of coagulation and sedimentation. It is also a serious problem that the second pollution caused by coagulant. However chelating adsorption that uses natural chelating high- molecular compound has not pollution problem Among chelating high- molecules, the diminishing chitin that contained in crustaceans as crawfish and crab in our country with affluent water resources are easy to get. So it is advantageous to use this ubiquitous material for removing heavy metals because we could reuse natural resource. In this research, the author tested the effectiveness of the adsorption and removal of heavy metal ions by chitin and its derivatives. Chitin and cellulose became beads and used as flocculant, in this test. The results are as follows . First, bead showed higher removal ratio than powder in the comparative test on adsorbents such as chitin, chitosan and cellulose. Secondly, in the variety test by the kinds of adsorbent and time. chitosan bead and cellulose bead that showed the highest removal ratio. One hour need to remove the ions of heavy metal. Thirdly, the results of the adsorption degree test by pH revealed high removal ratio adsorption of chitin, cellulose and chitosan bead in alkalin condition but chitosan bead in acidic condition.
HFL-I 세포를 이용하여 immediate assay를 시행하였다. 발생한 repair의 양이 없기 때문에 $LogSn=-n{\gamma}({\alpha}d+{\beta}d^2$)에서 ${\gamma}$의 값은 1이며 이는 LQ model과 같다. 그리고 세포생존율의 데이터를 바탕으로 ${\alpha}$, ${\beta}$, ${\alpha}/{\beta}$의 값을 얻었다. 또한 12시간, 36시간, 48시간 후 delayed assay를 시행하여 marchese model 통해 ${\gamma}$값을 도출한 후 Pot entially lethal damage repair (PLDR)가 발생한 양을 확인하였다. delay time이 길어질수록 ${\gamma}$값은 감소함으로써 PLDR의 양이 증가함을 확인하였고 이에 따라 세포생존율은 상승됨을 보였다. 탄소빔의 1분할, 2분할, 3분할, 4분할 조사 시 각각의 interval 시간동안 나타나는 ${\gamma}$값 역시 감소하고 있음을 확인하여 PLDR의 발생을 확인할 수 있었지만 ${\gamma}$값만 감안한 marchese model을 surviving fraction값에 적용 시 오류 발생함을 보였다. 이는 탄소빔 분할조사 시 다른 회복의 매커니즘이 존재함을 뜻하여 이를 적용할 수 있는 새로운 파라미터가 고려되어져야 할 것이다.
Recently, graphene and graphene-based materials such as graphene oxide (GO) or reduced graphene oxide (R-GO) draws a great attention for electronic devices due to their structures of one atomic layer of carbon hexagon that have excellent mechanical, electrical, thermal, optical properties and very high specific surface area that can be high potential for chemical functionalization. R-GO is a promising candidate because it can be prepared with low-cost from solution process by chemical oxidation and exfoliation using strong acids and oxidants to produce graphene oxide (GO) and its subsequent reduction. R-GO has been used as semiconductor or conductor materials as well as sensing layer for bio-molecules or ions. In this work, reduced graphene oxide field-effect transistor (R-GO FET) has been fabricated with ITO extended gate structure that has sensing area on ITO extended gate part. R-GO FET device was encapsulated by tetratetracontane (TTC) layer using thermal evaporation. A thermal annealing process was carried out at $140^{\circ}C$ for 4 hours in the same thermal vacuum chamber to remove defects in R-GO film before deposition of TTC at $50^{\circ}C$ with thickness of 200 nm. As a result of this process, R-GO FET device has a very high stability and durability for months to serve as a transducer for sensing applications.
유일한 탄소 및 에어지원으로 메탄올만을 이용하여 성장하는 새로운 절대 메탄올 자화세균을 토양으로 부터 분리하였다. 분리균주는 그람음성의 운동성이 없고 포자를 형성하지 않는 간균으로 정대호기성 세균이었다. 이 균주는 catalase 활성과 oxidase 활성을 가지고 있으며, nitrate를 nitrite로 환원시킬 수 있고 성장시 vitamin이나 특이한 생육인자를 요구하지 않았다. 세대시간은 1.6시간으로 메탄올 동화경로로는 ribulose monophosphate pathway(Entner-Doudoroff 변형경로)를 이용하나 α-ketoglutarate dehydrogenase 활성은 없었다. Ammonium ion은 glutamate dehydrogenase를 이용하여 동화하였다. DNA의 guanine plus cytosine 함량은 61.0 mol%이고 세포내 지방산으로는 누고 straight-chain saturated C$^{16:0}$ acids(palmitie acids)와 unsaturated C$^{16:1}$ acids(palmitoleic acids)를 가지고 있으나 이외에도 두 종류의 unidentified C$_{17}$ branched fatty acid도 포함하고 있었다. Major ubiquinone은 Q-8이나 Q-6와 Q-7을 특이하게 소량 가지고 있었다. Phospatidylethanolamine과 Phosphatidylglycerol이 주요한 phospholip의 구성물질이나 diphosphatidylgycerol도 소량 포함하고 있었다. 위와같은 생리적, 생화학적 자료로 부터 분리균주를 새로은 종 즉, Methylohacillus methanolovorus sp. nov.로 명명하였다.
고온에서 만들어진 인조흑연을 음극 재료로 사용하여, 전기화학적으로 완전 충전된 상태에서 형성된 리튬이 층간 삽입된 인조흑연 화합물에 대하여 XRD와 DSC 분석 및 $^7Li-NMR$를 사용하여 특성화하였다. X-선 회절 결과로부터, 음극에 리튬이 충전된 상태의 인조 흑연 층간화합물의 경우, 1 stage가 주요한 회절선으로 강하게 나타났음 알 수 있었다. 리튬의 기저 평면 사이에 열적 안정성과 관련하여, 발열반응과 흡열반응의 변화량으로부터 리튬의 흑연 층간에서의 발산과 상관관계가 있음을 알 수 있다. $^7Li-NMR$ 스펙트럼 결과로부터, 방향족성의 증가와 삽입된 리튬의 거동으로부터 흡수선의 이동과 흡수밴드의 변이가 수반됨을 나타내었다. 이들 결과로부터, 리튬이 흑연층에 이상적으로 채워짐에 따라 높은 파장 쪽에서 이동이 나타남을 알 수 있다. 이러한 현상은 채워지지 않은 전자껍질에 전하이동밀도의 증가때문으로 여겨진다. 또한 리튬이 탄소층 사이에 채워짐과 관련하여 채워진 리튬의 무질서한 전자 스핀 방향과 불균일한 자기차수로 인하여 흡수밴드가 좁아진 것으로 여겨진다.
본 논문에서는 철근 콘크리트 단면에서 동시에 진행되는 중성화와 염화물 침투에 의해 진행되는 내구성 문제에 대해 서로 다른 콘크리트의 특성과 주변 환경의 영향을 매개변수 분석을 통해 수행하였다. 이를 위해 콘크리트의 미세 공극 구조의 변화 및 중성화와 염소이온 투과의 상호 화학반응이 직접 지배방정식 형태로 고려된 최신 모델을 사용하여 이 복합작용의 분석을 수행하였다. 이산화탄소, 염소이온, 열 및 수분의 복합적인 이동이 직접 고려되었다. 문헌상의 실험 데이터를 분석하여 모델의 입력변수를 결정하고 계산의 편의성을 증진시켰다. 이 모델을 상용유한요소 프로그램인 COMSOL의 사용자 모듈형태로 개발 하였다. 이 상호작용에 영향을 미치는 물-바인더비 (w/b), 골재-바인더비 (a/b), 플라이에쉬 함량, CSH 함량, 콘크리트 초기공극률 등을 정량적으로 분석하였다. 결과에 의하면, 중성화와 염소이온 침투의 상호작용은 다양한 재료 물성치에 영향을 받는다.
Failure analysis of pre-insulated pipe (SPPS 380, 400A) transporting high temperature water ($95{\sim}110^{\circ}C$) for a plant was carried out. The damaged area (${\Phi}5mm$) of pre-insulated pipe was found only on welds. The chemical composition of damaged pipe meets specification of carbon steel pipes for pressure service (KS D 3562). As results of microstructure analysis, crack propagated from outer to inside after pitting corrosion occurred on the outside surface. The non-metallic inclusion existed on the end of crack. And the non-metallic inclusion continuously and linearly formed along with the bond line of welds. Based on SEM-EDS analysis, the nonmetallic inclusions have higher Manganese (Mn) and Oxygen (O) content but sulfur (S) was not detected. As results of water quality analysis, hydrogen ion concentration and minerals like Fe, Mg, Si were in low level. But the content of dissolved oxygen (11.2 ppm) was slightly higher than that of standard. It seems that the cause of damaged pipe is grooving corrosion due to MnO inclusion formed on bond line and corrosion took place nearby welds.
Interest in flexible transparent conducting films (TCFs) has been growing recently mainly due to the demand for electrodes incorporated in flexible or wearable displays in the future. Indium tin oxide (ITO) thin films, which have been traditionally used as the TCFs, have a serious obstacle in TCFs applications. SWNTs are the most appropriate materials for conductive films for displays due to their excellent high mechanical strength and electrical conductivity. In this work, the fabrication by the spraying process of transparent SWNT films and reduction of its sheet resistance on PET substrates is researched Arc-discharge SWNTs were dispersed in deionized water by adding sodium dodecyl sulfate (SDS) as surfactant and sonicated, followed by the centrifugation. The dispersed SWNT was spray-coated on PET substrate and dried on a hotplate. When the spray process was terminated, the TCF was immersed into deionized water to remove the surfactant and then it was dried on hotplate. The TCF film was then was doped with Au-ionic doping treatment, rinsed with deionized water and dried. The surface morphology of TCF was characterized by field emission scanning electron microscopy. The sheet resistance and optical transmission properties of the TCF were measured with a four-point probe method and a UV-visible spectrometry, respectively. This was confirmed and discussed on the XPS and UPS studies. We show that 87 ${\Omega}/{\Box}$ sheet resistances with 81% transmittance at the wavelength of 550nm. The changes in electrical and optical conductivity of SWNT film before and after Au-ionic doping treatments were discussed. The effect of Au-ion treatment on the electronic structure change of SWNT films was investigated by Raman and XPS.
The capacitive coupled plasma (CCP) has been extensively used in the semiconductor industry because it has not only good uniformity, but also low electron temperature. But CCP source has some problems, such as difficulty in varying the ion bombardment energy separately, low plasma density, and high processing pressure, etc. In this reason, dual frequency CCP has been investigated with a separate substrate biasing to control the plasma parameters and to obtain high etch rate with high etch selectivity. Especially, in this study, we studied on the etching of $SiO_2$ by using the pulse-time modulation in the dual-frequency CCP source composed of 60 MHz/ 2 MHz rf power. By using the combination of high /low rf powers, the differences in the gas dissociation, plasma density, and etch characteristics were investigated. Also, as the size of the semiconductor device is decreased to nano-scale, the etching of contact hole which has nano-scale higher aspect ratio is required. For the nano-scale contact hole etching by using continuous plasma, several etch problems such as bowing, sidewall taper, twist, mask faceting, erosion, distortions etc. occurs. To resolve these problems, etching in low process pressure, more sidewall passivation by using fluorocarbon-based plasma with high carbon ratio, low temperature processing, charge effect breaking, power modulation are needed. Therefore, in this study, to resolve these problems, we used the pulse-time modulated dual-frequency CCP system. Pulse plasma is generated by periodical turning the RF power On and Off state. We measured the etch rate, etch selectivity and etch profile by using a step profilometer and SEM. Also the X-ray photoelectron spectroscopic analysis on the surfaces etched by different duty ratio conditions correlate with the results above.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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