Lee, Dong Hoon;Choi, Dong Soo;Jung, Yong Chul;Kim, Sang Min
Journal of the Korean Society of Safety
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v.29
no.3
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pp.34-38
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2014
In Display such as LCD, LED, and AMOLED or semiconductor related industries are required to have static ionizer in order to produce reliable goods since the ionizer can create balanced ion that is delivered to producing goods to minimize electrical damages when manufacturing. However, the most general type of ionization is called, "Corona Discharge" that has a slight chances to generate unequal and unstable amount of each +/- ion to the target object. Then, the ionization performance will drastically decrease and end up with quality deterioration problem. In this research, our objective to resolve the current issue via applying "Coupling Condenser" on each counter electrodes of Corona discharging type ionizer. The result is that the ion balance was maintained the satisfied range that is within +/-100V when we changed the duty ratio of the High Voltage of Pulse AC about 40 ~ 70%. In addition, when levelling the High Voltage of Pulse AC, the ion balance holds the range within +20 ~ 0V. Even though we have tested the same experiment for a year, we have seen the range changes roughly ${\pm}50V$.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.58
no.2
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pp.232-238
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2009
Flicker, also known as voltage fluctuation, is a newest problem of power quality issues, because it is caused by nonlinear loads such as electrical arc furnace and large-scale induction motor, which are country-widely used as the heavy industries of a country develop. An international standard, International Electrotechnical Commission (IEC) 61000-4-15, was published in 1997 and revised in 2003. With increasing concerns about flicker, its mitigation methods have been also studied. General countermeasures for flicker are divided into three categories: a) enhancing the capacity of supplying system, b) Series elements including series reactor and series capacitor and c) power electronic devices including static VAR compensator (SVC) and static synchronous compensator (STATCOM). This paper introduces how to mitigate the voltage flicker at the point of common coupling (PCC) and presents how to simulate and compare the flicker alleviating effects by each mitigation method, using IEC flickermeter based on the Matlab/Simulink program.
Transactions of the Korean Society of Machine Tool Engineers
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v.17
no.2
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pp.110-113
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2008
Embedded capacitor technology is one of the effective packing technologies for further miniaturization and higher performance of electric packaging system. In this paper, the embedded capacitors were simulated and fabricated in 8-layered printed circuit board employing standard PCB processes. The composites of barium titanante($BaTiO_3$) powder and epoxy resin were employed for the dielectric materials in embedded capacitors. Theoretical considerations regarding the embedded capacitors have been paid to understand the frequency dependent impedance behavior. Frequency dependent impedance of simulated and fabricated embedded capacitors was investigated. Fabricated embedded capacitors have lower self resonance frequency values than that of the simulated embedded capacitors due to the increased parasitic inductance values. Frequency dependent capacitances of fabricated embedded capacitors were well matched with those of simulated embedded capacitors from the 100MHz to 10GHz range. Quality factor of 20 was observed and simulated at 2GHz range in the 10 pF embedded capacitors. Temperature dependent capacitance of fabricated embedded capacitors was presented.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.4
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pp.281-287
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1998
$BiNbO_4$ ceramics doped with 0.07wt% $V_2O_5$ and 0.03wt% CuO (BNC3V7) were sucessfully sintered at $900^{\circ}C$ through the firing process with Ag electrode. The BNC3V7 shows typically Dielectric constant of 44.3, Thermal Coefficient of resonance Frequency(TCF) of 2 ppm/$^{\circ} and $Qxf_o$ value of 22,000 GHz. The laminated chip Low Pass Filter (LPF) is very sensitive to chip processing parameters, was confirmed by the computer simulation as a function of Q(Quality factors), filter size, capacitor layer thickness, inductor pattern widths. The multilayer type LPF was fabricated by screen-printing with Ag electrode after tape casting and then compared with the simulated characteristics. The results show that characterization of band pass width was similar to that of designed ones.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.22
no.6
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pp.469-475
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2017
Using impedance matching techniques as a way to increase system power transferability in capacitive wireless power transmission has been widely investigated in conventional studies. However, these techniques tend to increase the circuit volume and thus counterbalance the advantage of the simplicity in the energy link structure. In this paper, a compact circuit topology with one leakage-enhanced transformer is proposed in order to minimize the circuit volume for the capacitive power transfer system. This topology achieves a reactive compensation, and the system quality factor value can be reduced by the turn ratio. As a result, this topology not only reduces the overall system volume but also minimizes the voltage stress of the link capacitor. An optimal design guideline for the leakage-enhanced transformer is also presented. The advantages of the proposed scheme over the conventional method in terms of power efficiency and circuit volume are revealed through an analytic comparison. The feasibility of applying the new topology is also verified by conducting 50 W hardware tests.
A three-phase three-level shunt active filter controlled by fuzzy logic current controller which can compensate current harmonics generated by nonlinear loads is presented. Three-level inverters and fuzzy controllers have been successfully employed in several power electronic applications these past years. To improve the conventional pwm controller performance, a new control scheme based on fuzzy current controller is adopted for three-level (NPC) shunt active filter. The scheme is designed to improve compensation capability of APF by adjusting the current error using a fuzzy rule. The inverter current reference signals required to compensate harmonic currents use the synchronous reference detection method. This technique is easy to implement and achieves good results. To maintain the dc voltage across capacitor constant and reduce inverter losses, a proportional integral voltage controller is used. The simulation of global system control and power circuits is performed using Matlab-Simulink and SimPowerSystem toolbox. The results obtained in transient and steady states under various operating conditions show the effectiveness of the proposed shunt active filter based on fuzzy current controller compared to the conventional scheme.
This paper proposes and designs a new output filter called an LCFL filter for application to three phase three wire shunt active power filters (SAPF). This LCFL filter is derived from a traditional LCL filter by replacing its capacitor with a C-type filter, and then constructing an L-C-type Filter-L (LCFL) topology. The LCFL filter can provide better switching ripple attenuation capability than traditional passive damped LCL filters. The LC branch series resonant frequency of the LCFL filter is set at the switching frequency, which can bypass most of the switching harmonic current generated by a SAPF converter. As a result, the power losses in the damping resistor of the LCFL filter can be reduced when compared to traditional passive damped LCL filters. The principle and parameter design of the LCFL filter are presented in this paper, as well as a comparison to traditional passive damped LCL filters. Simulation and experimental results are presented to validate the theoretical analyses and effectiveness of the LCFL filter.
This paper proposes a scheme of auto-tuning fuzzy PI controller and input voltage feed forward to control the output voltage of a three-phase Z-source inverter (ZSI). The proposed scheme adjusts the ts (Kp and Ki) in real time in order to find the most suitable Kp and Ki for PI controller and to simplify the controller design. The proposed scheme is verified the validity by experiment and co-simulation in PSIM and MATLAB/SIMULINK both load step change and input DC voltage variation in Z-source inverter, and has compared with the conventional PID control scheme. The experiment results involve of three-phase output voltage, Z-network capacitor voltage and dc-link peak voltage value. By those analysis and comparison, the availability of the proposed method in output voltage transient response quality improving has been verified. Compared with conventional PID method, the proposed method showed a more effective and robust control performance for coping with the severe disturbance conditions.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.64
no.2
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pp.79-84
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2015
Voltage sags are considered the dominant disturbances affecting power quality. Dynamic voltage restorers(DVRs) are mainly used to protect sensitive loads from the electrical network voltage disturbances such as sags or swells and could be used to reduce harmonic distortion of ac voltages. The typical DVR topology essentially contains a PWM inverter with LC Filter, an injection transformer connected between the ac voltage line and the sensitive load, and a DC energy storage device. For injecting series voltage, the PWM inverter is used and the passive filter consist of inductor(L) and capacitor(C) for harmonics elimination of the inverter. However there are voltage pulsation responses by the characteristic of the LC passive filter that eliminate the harmonics of the PWM output waveform of the inverter. Therefore, this paper presented design and feedback performance of LC filter used in the DVRs. The voltage control by LC filter should be connected in the line side since this feedback method allows a relatively faster dynamic response, enabling the elimination of voltage notches or spikes in the beginning and in the end of sags and strong load voltage THD reduction. Illustrative examples are also included.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.195-196
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2005
In recent years, as the needs of MOS's a high quality is desired to get the superior electrical characteristics and reliability on MOSFET. As an alternative gate dielectric have drawn considerable alternation due to their superior performance and reliability properties over MOSFET, 2'nd silicidation formation process has been proposed as a dielectric growth/annealing process. In this study the author observed process characteristics on MOS structure. In view points of the process characteristics of MOS capacitor, the oxygen & polysilicon was analyzed by SIMS analysis on l'st & 2'nd Ti process, the oxygen and Si2 contents[Count/sec] of 1.5e3 & 3.75e4 on l'st process and l.1e3 & 2.94e4 on 2'nd process, the Ti contents' of 8.2e18 & 6.5e18 on 1'st and 2'nd process. The sheet resistance[$\Omega/sq.$] was 4.5 & 4.0, the film stress[dyne/cm 2] of 1.09e10 & 1.075e10 on l'st and 2'nd process. I could achieved the superior MOS characteristics by 2'nd silicidation process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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