Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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v.9
no.2
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pp.689-692
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2005
Bioelectrical Impedance Analysis(BIA) can measure body water amount and then body fat mass. Locate 4 electrode in palm to measure efficiently and flow current(50kHz, 800uA) in body for measuring voltage and capacitance. And proposed method to measure body fat with hight, weight, age and distinction of sex.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1994.05a
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pp.75-78
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1994
Organic ultra thin films about 500${\AA}$ in thickness are fabricated by LB(Langmuir-Blodgett) technique and their gas detect properties are investigated. The LB films deposited are made of the specimen named as N-docosyl pyridinium(TCNQ) and the deposition is verified by capacitance conductivity measurement. From the study of gas detect properties with I-V characteristics and UV spectrum we have found that their conductivities were increased about 3 times of magnitude and peaks of UV spectrum were decreased.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1997.11a
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pp.290-293
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1997
In this paper, volume resistivity is studied so that the electrical properties for transformer oil due to the stirring temperature of BTA is investigated. A measurement of volume resistivity using the VMG-1000 highmegohm meter is recorded after 10 minutes when the each voltage, and DC 100[V], 250[V], 500[V] and 1000[V] is applied, according to the step voltage appliaction method. A coaxial cylindrical liquid electrode to measure volume resistivity of specimen is used, and its geometric capacitance is 16[pF].
Park, Hyun-June;Jang, Dong-Uk;Choi, Nam-Ho;Choi, Jong-Sun;Kim, Jung-Soo
Proceedings of the KIEE Conference
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2003.07b
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pp.1285-1287
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2003
The aging of the insulation reduces the electrical and mechanical strength of the insulation. At same point, a voltage surge or mechanical shock from a traction motor start will fracture or break down the insulation. To achieve the expected life usually requires extensive laboratory evaluation of the insulation systems and the use of accelerated aging tests. There are several nondestructive test available for checking. the condition of motor insulation, the probable extent of aging, and the rate of which aging is taking place. So the insulation characteristics of stator coil were each analyzed by measurement of dielectric loss($tan{\delta}$), capacitance and partial discharge. The method of diagnosis is able to analyze the aging condition and predict the life of the traction motor.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.85-86
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2007
A poly(vinylidene fluoride-trifluoroethyene) (P(VDF-TrFE)) copolymer thin film having ${\beta}$ phase was prepared by sol-gel method. The electrical properties of the film were studied to evaluate the possibility for appling to a ferroelectric random access memory. In order to characterize its electrical properties, we produced a MFS (metal-ferroelectric-semiconductor) structure by evaporation of Au electrodes. The C-V (capacitance-voltage) measurement revealed that the Au/P(VDF-TrFE)/Si structure with a 4 wt% film had a memory window width of about 0.5V for a bias voltage sweep of 1V.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.59
no.4
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pp.372-376
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2010
Electrolytic capacitors have been widely used in power electronics system because of the features of large capacitance, small size, high-voltage, and low-cost. Electrolytic capacitors, which is most of the time affected by aging effect, plays a very important role for the power electronics system quality and reliability. Therefore it is important to estimate the parameter of an electrolytic capacitor to predict the failure. The estimation of the equivalent series resistance(ESR) is important parameter in life condition monitoring of electrolytic capacitor. This paper proposes a simple technique to measure the ESR of an electrolytic capacitor. This method uses a switching DC/DC boost converter to measure the DC Bus capacitor ESR of power converter. Main advantage of the proposed method is very simple in technique, consumes very little time and requires only simple instruments. Simulation results are shown to verify the performance of the proposed method.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.240-243
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1999
(Sr$\sub$0.85/Ca$\sub$0.15/)TiO$_3$thin films were deposited on Pt-coated TiO$_2$/SiO$_2$/Si wafer by the rf sputtering method. Experiments were conducted to investigate the electrical properties of SCT thin films with various top electrode. C-F and C-V measurements show that SCT thin films annnealed at 600$^{\circ}C$ have a larger capacitance than SCT thin films deposited at 400$^{\circ}C$ , and there is nearly no difference between top electrodes. I-V measurement show that Pt top electrode have a good leakage current density of < 10nA/$\textrm{cm}^2$,. making them suitable for DRAM application.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.194-195
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2006
Aluminum oxide films directly grown on n-type 6H-SiC(0001) substrates were fabricated by RF magnetron sputtering system. Metal-insulator-semiconductor(MIS) C-V properties with aluminum oxide thin films showed hysteresis and f1at band voltage shift. The dielectric constant of the film calculated from the capacitance at the accumulation region was about 5. Typical gate leakage current density of film at room temperature was the order of $10^{-9}\;A/cm^2$ at the range of within 2MV/cm. The breakdown did not occur at the film within the measurement range.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.527-528
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2006
A dissipation factor standard of decade type having the range of 1 to 0.0001 at the frequency of 1 kHz and 10 kHz was fabricated using "T" networks combined R and C components. The values of the fabricated dissipation factor standard were adjusted within 1% of the nominal values at 0.0001 dial range and 0.05% at the others. This dissipation factor standard is used as a working standard for calibration of a impedance measurement meter at KRISS and as a primary standard of dissipation factor field at NML-SIRIM in Malaysia.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.161-162
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2006
Scaling rules for TFT application devices have led to the necessity of ultra thin dielectric films and high-k dielectric layers. In this paper, The advantages of high concentration of nitrogen in silicon oxide layer deposited by using $N_2O$ in Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) reported about Ellipsometric measurement, Capacitance-Voltage characterization and processing conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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