• 한국전산구조공학회논문집
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• 제33권4호
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• pp.209-216
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• 2020

본 논문에서는 CR 쉘 요소 해석 기법을 활용하여 모터사이클 후방프레임의 해석을 수행하였다. CR 쉘 요소 해석기법은 적은 요소수에서 NASTRAN보다 빠르게 수렴하는 결과를 보여주었다. 후방프레임은 수직 방향에 대해 실 주행 조건 시 엔진 RPM과 근접한 고유진동수를 가짐을 보여주었다. 2가지 설계변수를 반영한 세 가지 경우에 대한 해석이 제시되었으며, 보강용 자재는 동일한 중량 변화 내에서 두께 변화에 비해 더 유용한 수단임을 확인할 수 있었다. 본 연구의 구조 해석은 차후 모터사이클 후방프레임의 내구성을 향상하는 설계 개선 연구에 효과적으로 활용될 수 있다.

• 한국항공우주학회지
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• 제48권8호
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• pp.565-571
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• 2020

본 논문에서는 항공기 Wing-box 모델에 대한 비선형 구조해석의 계산을 정확하고 효율적으로 수행하기 위해 병렬계산 알고리즘을 개발하였다. 이를 위해 co-rotation 이론 기반 비선형 쉘 요소를 적용하였으며 요소기반 분할 병렬계산 알고리즘을 개발하였다. 기 개발 해석은 선행연구결과 및 기존 상용프로그램의 예측결과와 비교하여 정확성을 확인하였으며 병렬계산의 효율성을 분석하였다. 마지막으로 고세장비 날개 wing-box 구조에 적용하였으며 단방향 공력-구조 결합해석을 수행하였다.

• 한국전산구조공학회논문집
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• 제28권5호
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• pp.485-490
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• 2015

구조의 기하학적 비선형해석을 위해 대표적으로 Total Lagrangian, Updated Lagrangian 정식화 기법이 있다. 이러한 고전적인 정식화 과정은 요소의 변형률을 가정하는 방법에 따라 그리고 요소의 절점 수에 따라 추가의 수학적 정식화 과정이 요구된다. 하지만 비교적 최근에 정립된 Co-roational(CR) 이론은 기 존재하는 보, 판, 쉘 요소에 독립적으로 요소 절점자유도에 따라 일정하게 적용하여 대변위, 작은 변형률을 갖는 구조의 기하비선형 해석을 가능케 한다. 본 논문에서는 회전자유도를 갖는 삼각평면요소에 대한 CR 기법을 정식화하였고 동적해석으로 확장하여 이를 상용프로그램과 검증하였다. 해석에 사용한 삼각평면요소는 OPtimal Triangular(OPT) 평면요소이다.

• 한국항공우주학회지
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• 제50권5호
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• pp.317-323
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• 2022

본 논문에서는 c-스파 단면을 갖는 복합재 로터 블레이드에 대해 co-rotational(CR) 이론 기반 비선형 쉘 요소를 사용하는 In-house code를 통해 고유진동수를 구하고, 이를 이용하여 블레이드의 진동특성을 예측하는 심층신경망 모델을 개발하였다. 심층신경망 모델은 무작위 두께 분포를 갖는 데이터와 스팬 방향으로 두께 감소 경향성을 보이는 데이터를 통해 심층신경망 모델의 정확성을 평가하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1341-1342
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• 2006

Electrical characteristics of field-effect thin film transistors (TFTs) with p-channels of CdTe/CdHgTe core-shell nanocrystals are investigated in this paper. For the fabrication of bottom- and top-gate TFTs, CdTe/CrHgTe nanocrystals synthesized by colloidal method are first dispersed on oxidized p+ Si substrates by spin-coating, the dispersed nanoparticles are sintered at $150^{\circ}C$ to form the channels for the TFTs, and $Al_{2}O_{3}$ layers are deposited on the channels. A representative bottom-gate field-effect TFT with a bottom-gate $SiO_2$ layer exhibits a mobility of $0.21cm^2$/ Vs and an Ion/Ioff ratio of $1.5{\times}10^2$ and a representative top-gate field-effect TFT with a top-gate $Al_{2}O_{3}$ layer provides a field-effect mobility of $0.026cm^2$/ Vs and an Ion/Ioff ratio of $2.5{\times}10^2$. $Al_{2}O_{3}$ was deposited for passivation of CdTe/CdHgTe core-shell nanocrystal layer, resulting in enhanced hole mobility, Ior/Ioff ratio by 0.25, $3{\times}10^3$, respectively. The CdTe/CdHgTe nanocrystal-based TFTs with bottom- and top gate geometries are compared in this paper.