본 논문에서는 vertical shunt symmetric inductor를 이용하여 CMOS LNA의 설계에 있어서 회로의 면적을 줄이는 설계기술 및 구현에 관한 내용을 제시하고자 한다. 본 연구에 있어서 vertical shunt symmetric inductor는 LNA의 입력단과 출력단을 3GHz로 정합하기 위해서 사용되었다. 이렇게 구현된 보다 면적에 있어서 효율적인 증폭기를 0.18um digital logic공정으로 구현되었다. 본 논문에서는 일반적으로 LNA에서 사용하고 있는 inductor를 이용하는 경우와, vertical shunt symmetric inductor를 이용하여 LNA를 설계하는 경우에 대한 부분을 비교하였고, 최종적으로 면적에 효율적인 회로설계 기술을 제시하고자 한다.
최근 무선통신용 LSI는 배터리 수명과 관련하여, 저전력 동작이 중요시되고 있다. 따라서 Digital CMOS 신호처리와 더불어 동작 가능한 SI (Switched-Current) circuit를 이용하는 Current-mode 신호처리가 주목받고 있다. 그러나 SI circuit의 기본인 Current Memory는 Charge Injection에 의한 Clock Feedthrough라는 문제점을 갖고 있기 때문에, 전류 전달에 있어서 오차를 발생시킨다. 본 논문에서는 Current Memory의 문제점인 Clock Feedthrough의 해결방안으로 CMOS Switch의 연결을 검토하였고, 0.25${\mu}m$ CMOS process에서 Memory MOS와 CMOS Switch의 Width의 관계는 simulation 결과를 통하여 확인하였으며, MOS transistor의 관계를 분명히 하여, 설게의 지침을 제공한다.
CMOS아날로그 및 아날로그 디지탈시스템은 여러 개의 기본회로로 구성되어지며 그중에서도 증폭회로 부분은 시스템의 성능을 결정할 수도 있는 중요한 블럭중에 하나이다. 증폭회로는 시스템에서 사용되어지는 용도에 따라서 여러가지 구조(고이득, 저전력, 고속회로등)를 가지며 이러한 증폭회로를 설계하기 위하여 증폭기내의 입력증폭단의 설계 방법도 다양하다. 본 논문에서는 CMOS 상보형 차동이득 구조를 갖는 새로운 형태의 입력 차동증폭 회로를 제안하였다. 제안된 회로는 CMOS 상보형 회로에 의하여 고이득 특성을 가지며, 바이어스 전류를 내부적으로 공급하여 전체 시스템 구성시, 바이어스회로를 구성하기 위한 트랜지스터의 수를 줄일 수 있다. 이 회로를 표준 $1.5{\mu}m$ 공정파라메타를 이용한 SPICE 시뮬레이션을 통하여 광범위하게 이용되고 있는 CMOS 차동증폭 회로와 비교해 본 결과, 오프셋, 위상마진등의 특성이 그대로 유지된 상태에서 이득이 배가 되었다. 또한 제안된 회로를 이용하여 높은 출력스윙(-4.5V-+4.5V)과 함께 7nsec(CL-1pF) 이하의 세틀링시간을 갖을 수 있는 CMOS비교기를 설계하였다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제7권1호
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pp.28-35
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2007
This paper presents a high-speed flash analog-to-digital converter (ADC) for ultra wide band (UWB) receivers. In this flash ADC, the interpolating technique is adopted to reduce the number of the amplifiers and a linear and wide-bandwidth interpolating amplifier is presented. For this ADC, the transistor size for the cascaded stages is inversely scaled to improve the trade-off in bandwidth and power consumption. The active inductor peaking technique is also employed in the pre-amplifiers of comparators and the track-and-hold circuit to enhance the bandwidth. Furthermore, a digital-to-analog converter (DAC) is embedded for the sake of measurements. This chip has been fabricated in $0.13{\mu}m$ 1P8M CMOS process and the total power consumption is 113mW with 1V supply voltage. The ADC achieves 4-bit effective number of bits (ENOB) for input signal of 200MHz at 5-GSample/sec.
This paper describes a CMOS data recovery circuit using oversampling technique. Digital oversampling is done using a delay locked loop circuit locked to multiple clock periods. The delay locked loop circuit generates the vernier delay resolution less than the gate delay of the delay chain. The transition and non-transition counting algorithm for 4x oversampling was implemented for data recovery and verified through FPGA. The chip has been fabricated with 0.6um CMOS technology and measured results are presented.
Kwon, Yu-Mi;Kang, Hee-Sung;Lee, Jung-Hee;Lee, Yong Soo
센서학회지
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제23권2호
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pp.73-81
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2014
Silicon PIN diode radiation sensors and CMOS readout circuits were designed and fabricated in this study. The PIN diodes were fabricated using a 380-${\mu}m$-thick 4-inch n+ Si (111) wafer containing a $2-k{\Omega}{\cdot}cm$ n- thin epitaxial layer. CMOS readout circuits employed the driving and signal processes in a radiation sensor were mixed with digital logic and analog input circuits. The primary functions of readout circuits are amplification of sensor signals and the generation of the alarm signals when radiation events occur. The radiation sensors and CMOS readout circuits were fabricated in the Institute of Semiconductor Fusion Technology (ISFT) semiconductor fabrication facilities located in Kyungpook National University. The performance of the readout circuit combined with the Si PIN diode sensor was demonstrated.
High Integration ratio of CMOS circuits incredily increases the test cost during the design and fabrication processes because of the FET fault(Stuck-on faults and Stuck-off faults) which are due to the operational characteristics of CMOS circuits. This paper proposes a test generation algorithm for an arbitrarily large CMOS circuit, which can unify the test steps during the design and fabrication procedure and be applied to both static and dynaic circuits. This algorithm uses the logic equations set for the subroutines resulted from arbitrarily dividing the full circuit hierarchically or horizontally. Also it involves a driving procedure from output stage to input stage, in which to drive a test set corresponding to a subcircuit, only the subcircuits connected to that to be driven are used as the driving resource. With this algorithm the test cost for the large circuit such as VLSI can be reduced very much.
A low-power down-sampling mixer in a low-power digital 65 nm CMOS technology is presented. The mixer consumes only 830 ${\mu}W$ at 1.2 V supply voltage by combining an NMOS and a PMOS mixer with cascade transistors at the output. The measured gain is (19 ${\pm}$1 dB) at frequencies between 100 MHz and 3 GHz. An IIP3 of -5.9 dBm is achieved.
본 논문에서는 저소비 전력이고 회로설계가 용이한 CMOS 회로를 이용하여 음성신호 처리용 SCF를 집적화 할때 OP AMP를 디지탈 부분과 공존할 수 있도록 ${\pm}$5V로 전원을 설정하여 CMOS OP AMP의 설계예를 들고 설계방법에 의해 구한 MOS 트랜지스터의 채널폭과 길이를 설계회로에 적용하여 LAYOUT 하였으며 시뮬레이션을 통하여 동작특성을 조사하였다. 또한 이 설계법은 주어지는 설계조건에 따라 설계 되어지므로 다른 용도의 CMOS OP AMP 설계에도 이용되어질 수 있을 것이다.
본 논문에서는 A/D 변환기, 모션 예측 회로와 ROI(Region of Interest) 탐지를 위한 주의 모듈로 구성된 CMOS 디지털 이미지 센서를 소개한다. 현재 논문에서 제시하고 있는 이미지 센서의 A/D 변환기와 모션 예측 기능은 하드웨어인 $0.6{\mu}m$의 CMOS 프로세싱 회로(processing circuit)로 구현되어 있으며, ROI 탐지는 주의 모듈로서 소프트웨어로 구현되어 있다. 현재의 이미지 센서는 명암도의 변화에 반응하며, 모션을 예측하기 위해 시간정보를 사용하기 때문에 이미지 센서의 응용분야는 한정되어 있다. 센서라는 본래의 특징을 가지게 하면서 이의 응용분야를 확장하기 위하여 정지영상 및 동영상을 위한 특징기반 주의 모듈을 사용하여 이미지 센서에 인지기능을 부여하고자 한다. 이러한 접근법을 통해 이미지 센서는 모션이 예측되지 않다거나 명암도 변화가 감지되지 않을 경우에도 부가적인 기능을 할 수 있다. 실험결과를 통해 현재 구현된 이미지 센서의 효율성 및 다양한 분야로의 확장가능성을 확인할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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