• 제목/요약/키워드: CMOS VCO

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채널 폭 변화에 따른 전압-제어 발진기의 신뢰성 특성 (Reliability Characteristics of Voltage-Controlled Oscillator with Channel Width Variation)

  • 최진호;임인택
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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    • pp.717-718
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    • 2013
  • CMOS로 구성된 전압-제어 발진기의 채널 폭과 길이가 변화하면, 입력 전압에 따른 출력 주파수가 변화할 것이다. 본 논문에서는 FLL(Frequency Locked Loop) 회로의 구성 요소로 사용되는 전압-제어 발진기의 채널 폭 변화에 따른 전기적인 특성 변화를 시뮬레이션을 통하여 살펴보고자 한다. 그리고 변화하는 채널 폭에 따른 전압-제어 발진기의 신뢰성 특성을 향상하기 위한 방안을 살펴보고자 한다.

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A 120 GHz Voltage Controlled Oscillator Integrated with 1/128 Frequency Divider Chain in 65 nm CMOS Technology

  • Kim, Namhyung;Yun, Jongwon;Rieh, Jae-Sung
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권1호
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    • pp.131-137
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    • 2014
  • A 120 GHz voltage controlled oscillator (VCO) with a divider chain including an injection locked frequency divider (ILFD) and six static frequency dividers is demonstrated using 65-nm CMOS technology. The VCO is designed based on the LC cross-coupled push-push structure and operates around 120 GHz. The 60 GHz ILFD at the first stage of the frequency divider chain is based on a similar topology as the core of the VCO to ensure the frequency alignment between the two circuit blocks. The static divider chain is composed of D-flip flops, providing a 64 division ratio. The entire circuit consumes a DC power of 68.5 mW with the chip size of $1385{\times}835{\mu}m^2$.

주파수 3체배기를 이용한 W 밴드 주파수 합성기 설계 (Design of W Band Frequency Synthesizer Using Frequency Tripler)

  • 조형준;;김성균;김병성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제24권10호
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    • pp.971-978
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    • 2013
  • 본 논문에서는 65 nm RF CMOS 공정을 이용하여 26 GHz 위상 고정 루프(PLL)를 설계하고, 주파수 3체배기(tripler)를 이용하여 W 밴드 주파수 합성기를 설계하였다. 26 GHz VCO는 22.8~26.8 GHz, 3체배기의 출력은 74~75.6 GHz의 주파수 조정 범위를 갖는다. 제작한 주파수 합성기는 총 75.6 mW의 전력을 소모하며, 3체배기의 최종 출력은 1 MHz 오프셋에서 -75 dBc/Hz, 10 MHz 오프셋에서 -101 dBc/Hz의 위상 잡음 특성을 갖는다.

1V 미만 전원 전압에서 저 위상잡음에 적합한 차동 콜피츠 전압제어 발진기 회로 (A Differential Colpitts-VCO Circuit Suitable for Sub-1V Low Phase Noise Operation)

  • 전만영
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제6권1호
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    • pp.7-12
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    • 2011
  • 본 논문은 1 V 미만의 전원 전압에서 저 위상잡음을 갖는 발진 신호의 발생에 적합한 차동 콜피츠 전압제어 발진기 (VCO: Voltage Controlled Oscillator) 회로를 제안한다. 제안된 회로는 전류원으로 인덕터를 사용함으로써 1 V 미만의 전원 전압에서 저 위상잡음의 발진을 보다 용이하게 한다. 공진기 손실을 보다 줄이기 위하여 단일 콜피츠 발진기의 두 개의 궤환 커패시터 중의 하나를 바렉터 (varactor)로 대체하였다. $0.18{\mu}m$ RF CMOS 기술을 사용하는 포스트 레이아웃 (post-layout) 시뮬레이션 결과는 0.6 V에서 0.9 V 사이의 전원 전압에서 제안된 회로가 1MHz 오프셋 주파수에서 나타내는 위상잡음은 널리 알려진 교차 결합 전압제어 발진기의 위상잡음보다 적어도 7 dBc/Hz 이상 낮음을 보여준다.

링 전압 제어 발진기의 트랜지스터 비율에 따른 소모 전력 변화 (Power Consumption Change in Transistor Ratio of Ring Voltage Controlled Oscillator)

  • 문동우;신후영;이미림;강인성;이창현;박창근
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제27권2호
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    • pp.212-215
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    • 2016
  • 본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 5.08 GHz에서 동작하는 링 전압 제어 발진기(Ring Voltage Controlled Oscillator, Ring VCO)를 제작하였다. Ring VCO는 3단 구조로 각 단의 트랜지스터 크기 비율을 다르게 하여 전류 변화에 따른 소모 전력이 달라짐을 확인하였다. Core의 양단 위, 아래에는 Current Mirror로 전류를 제어하도록 구성하였고, 주파수 조절을 위해 제어 전압을 추가하였다. Ring VCO 측정 결과, 주파수 범위는 65.5 %(1.88~5.45 GHz), 출력 전력 -0.30 dBm, 5.08 GHz 중심주파수에서 -87.50 dBc/Hz @1 MHz의 위상잡음을 갖는다. 또한, 2.4 V 전원에서 31.2 mW 소모 전력을 확인하였다.

Low Phase Noise Series-coupled VCO using Current-reuse and Armstrong Topologies

  • Ryu, Hyuk;Ha, Keum-Won;Sung, Eun-Taek;Baek, Donghyun
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제17권1호
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    • pp.42-47
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    • 2017
  • This paper proposes a new series-coupled voltage-controlled oscillator (VCO). The proposed VCO consists of four current-reuse Armstrong VCOs (CRA-VCOs) coupled by four transformers. The series-coupling, current-reuse, and Armstrong topologies improve the phase noise performance by increasing the negative-Gm of the VCO core with half the current consumption of a conventional differential VCO. The proposed VCO consumes 6.54 mW at 9.78 GHz from a 1-V supply voltage. The measured phase noise is -115.1 dBc/Hz at an offset frequency of 1 MHz, and the FoM is -186.5 dBc/Hz. The frequency tuning range is from 9.38-10.52 GHz. The core area is $0.49mm^2$ in a $0.13-{\mu}m$ CMOS process.

Design of charge pump circuit for analog memory with single poly structure in sensor processing using neural networks

  • Chai, Yong-Yoong;Jung, Eun-Hwa
    • 센서학회지
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    • 제12권1호
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    • pp.51-56
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    • 2003
  • We describe a charge pump circuit using VCO (voltage controlled oscillator) for storing information into local memories in neural networks. The VCO is used for adjusting the output voltage of the charge pump to the reference voltage and for reducing the fluctuation generated by the clocking scheme. The charge pump circuit is simulated by using Hynix 0.35um CMOS process parameters. The proposed charge pump operates properly regardless to the temperature and the supply voltage variation.

전원 잡음 영향을 줄이기 위한 VCO 정전압기 분석 (An Analysis of n VCO Voltage Regulator for Reducing the Effect of Power Supply Noise)

  • 허호영;정항근
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제10권2호
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    • pp.269-273
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    • 2009
  • 정전압기는 VCO의 제어전압의 전원 잡음을 줄이기 위해 사용될 수 있다. 정 전압기의 최적 설계를 위해선 정전압기에 대한 정확한 해석이 필요하다. 본 논문에서는 최근 발표된 논문의 정전압기 해석 과정에 MOSFET의 기생 커패시턴스 성분을 고려하지 않은 문제점을 보완하였다. 이 문제점을 이론적으로 분석하여 정확한 해석을 유도하였고, 회로 시뮬레이션과 측정을 통해 검증하였다. 정전압기는 $0.18{\mu}m$ 1P6M CMOS 공정으로 설계되었고, 칩 면적은 $1mm^2$ 이다.

MBOA용 3~10GHz UWB 주파수합성기의 설계 (Design of 3~10GHz UWB Frequency Synthesizer for MBOA System)

  • 김동식;채상훈
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권2호
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    • pp.134-139
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    • 2013
  • UWB의 일종인 MBOA 무선통신 시스템에 내장하기 위한 광대역 RF 주파수 합성기를 $0.13{\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 설계하였다. 효율적인 MBOA 클록신호 생성을 위하여 낮은 주파수를 갖는 하위 밴드에서는 큰 배수로 주파수를 합성하고, 높은 주파수를 갖는 상위 밴드에서는 작은 배수로 주파수를 합성함으로서 VCO의 발진범위를 대폭 줄일 수 있는 새로운 방법을 적용하였다. 설계된 PLL 회로는 P-MOS 코어 구조의 VCO 및 수퍼 다이나믹 구조의 주파수 분할기를 사용하여 고속 및 광대역 동작 범위를 확보하였다.

A 15-GHz CMOS Multiphase Rotary Traveling-Wave Voltage-Controlled Oscillator

  • Zhang, Changchun;Wang, Zhigong;Zhao, Yan;Park, Sung-Min
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제12권3호
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    • pp.255-265
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    • 2012
  • This paper presents a 15-GHz multiphase rotary traveling-wave voltage-controlled oscillator (RTW VCO) where a shielded coplanar stripline (CPS) is exploited to provide better shielding protection and lower phase noise at a moderate cost of characteristic impedance and power consumption. Test chips were implemented in a standard 90-nm CMOS process, demonstrating the measured results of 2-GHz frequency tuning range, -11.3-dBm output power, -109.6-dBc/Hz phase noise at 1-MHz offset, and 2-ps RMS clock jitter at 15 GHz. The chip core occupies the area of $0.2mm^2$ and dissipates 12 mW from a single 1.2-V supply.