• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.170-171
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• 2006

The chemical shift of SiOC film was observed according to the flow rate ratio. SiOC film has the broad main band of $880{\sim}1190cm^{-1}$ and the sharp Si-$CH_3$ bond at $1252cm^{-1}$, and the infrared spectra in the Si-O-C bond moved to low frequency according to the increasing of an oxygen flow rate. The chemical shift affected the carbon content in the SiOC film, and the decreasing of carbon atoms elongated the C-H bonding length, relatively. The main bond without the sharp Si-$CH_3$ bond at $1252cm^{-1}$ consisted of Si-C, C-O and Si-O bonds, and became the bonding structure of the Si-O-C bond.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권11호
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• pp.4468-4472
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• 2010

ICP-CVD 방법에 의해 제작된 SiOC 박막을 유전상수와 화학적 이동의 상관성에 대하여 조사하였다. SiOC 박막은 플라즈마 에너지에 의해서 해리작용과 재결합작용에 의해서 cross link 구조를 갖게 되는 Si-O 와 C-O 결합으로 구성된 $930{\sim}1230\;cm^{-1}$ 영역에서 혼합된 Si-O-C 주 결합으로 이루어졌다. C-O 결합은 $1270cm^{-1}$에서 보여지는 Si-$CH_3$ 결합의 말단부분인 C-H 결합이 전기음성도가 큰 산소에 의해서 끌리는 효과로부터 만들어진 결합이다. 그러나 Si-O 결합은 Si-$CH_3$ 결합이 분해되고 난뒤 2차 이온결합에 의해서 만들어진 결합이다. Si-O 결합의 증가는 주결합에서 오른쪽 결합이 증가하기 때문이며, FTIR 스펙트라에 의해서 red shift로 나타났다. 이러한 결과는 SiOC 박막이 보다 더 안정되고 강한 박막임을 의미한다. 그래서 SiOC 박막은 열처리 후 비정질도가 높고 거칠기가 감소되는 것을 확인하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제17권4호
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• pp.353-357
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• 1996

Second-order rate constants have been measured spectrophotometrically for the reaction of 2,4-dinitrophenyl X-substituted benzenesulfonates with Z-substituted phenoxides in absolute ethanol at 25.0±0.1 ℃. The nucleophilic substitution reaction gives both S-O bond and C-O bond cleavage products. The extent of S-O bond cleavage increases significantly with increasing electron withdrawing ability of the sulfonyl substitutent X, while that of the C-O bond cleavage is independent on the electronic effect of the substituent. On the contratry, the effect of the substituent Z in the nucleophilic phenoxide is more significant for the C-O bond cleavage than for the S-O bond cleavage. Aminolyses of 2,4-dinitrophenyl benzenesulfonate (1) with various 1°, 2° and 3°amines have revealed that steric effect is little important. The extent of S-O bond cleavage increases with increasing the basicity of the amines, but decreases with increasing the basicity of the nucleophilic aryloxides, indicating that the HSAB principle is not always operative. Besides, reactant and solvent polarizability effect has also been found to be an important factor in some cases but not always to influence the reaction site.

• 대한화학회지
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• 제20권2호
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• pp.111-117
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• 1976

Methyl benzamidoxime의 C=N 결합에 의한 configuration 과 N-O 및 C-N 결합에 대한 conformation 에 관하여 확장 Huckel 분자궤도법 계산을 실시하였다. 계산 결과는 C-N 결합의 conformation이 sp-형이면 E-configuration이 Z-configuration보다 더 안정하다. ap-형이면 Z-configuration이 더 안정하다. C=N 결합의 configuration과 C-N 의 conformation이 같으면 N-O의 conformation이 ap-형인 것이 더 안정하다. 이 안정화 에너지의 대부분은 정전기적인 원자간에 힘에 기인하는 것임을 밝혔다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.205-205
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• 2007

The SiOC film of carbon centered system was prepared using bistrimethylsilylmethane and oxygen mixed precursor by the chemical vapor deposition. The chemical properties of the SiOC film were analyzed by the I-V measurement and FTIR spectra. The main bond of 950~1200 cm-1 was composed of the Si-C, Si-O-C and Si-O bonds. The leakage current of the SiOC film increased with the increasing of the carbon content, and the drift of the current was similar to the Si-O-C bond content.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.487-488
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• 2008

SiOC films containing alkyl groups have a low dielectric constant because of the interaction between the C-H hydrogen bonds and the oxygen of high electro-negative atom. The Si-$CH_3$ in a void is broken by the $O_2$, therefore the strength of CH bond in Si-O-O-$CH_3$ bond increases. The Si-O-O-$CH_3$ bond is broken by nucleophilic attack due to Si atom, again. The elongation of C-H bond causes the red shift, and the compression of C-H bond causes the blue shift. Among these chemical shifts, the blue shift from $1000\;cm^{-1}$ to $1250\;cm^{-1}$ was related with the formation of pores. If the oxygen is deficient condition, the methylradicals of the electron-rich substitution group terminate easily the Si-O-Si cross-link, and the pore is originated from the cross-link breakdown due to much methyl radicals of Si-$CH_3$. The dielectric constant of the films decreases due to pore generation.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제7권3호
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• pp.1-4
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• 2008

The chemical shift of SiOC film was observed according to the flow rate ratio. SiOC film had the broad main band of $880\sim1190cm^{-1}$ and the sharp Si-$CH_3$ bond at $1252cm^{-1}$, and the peak position of the main bond in the infrared spectra moved to high frequency according to the increasing of an BTMSM flow rate. So the increment of the alkyl group induced the C-H bond condensation in the film, and shows the blueshift in the infrared spectra. In the case of P5000 system of Applied Materials Corporation, the strong bond of Si-CH3 bond in precursor does not enough to dissociated and ionized, because low plasma energy due to the capactive coupled CVD. Therefore, there was the sharp peak of Si-$CH_3$ bond at $1252cm^{-1}$.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제20권5호
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• pp.559-566
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• 1999

Gas-phase alkylations of delocalized ambident anions, Y---CH---X- where X, Y=CH2, O, or S, have been investigated theoretically at the MP2/6-31+G*//MP2/6-31+G* and QCISD/6-31+G*//MP2/6-31+G* lev-els. O-and S-alkylations (X=O and S) are more favored kinetically by ΔE^≠ = 4.6 and 9.8 kcal mol-1 than the respective C-alkylations even though they are thermodynamically less favored by 22.4 and 6.0 kcal mol-1 respectively. It was found that the transition structures for the C-alkylations are imbalanced due to the endoergic rehybridi-zation of the carbon center from sp2 to sp3 which leads to premature bond contraction of the C-Y bond and delayed bond stretching of the C-X bond. In the O-, or S-alkylation, such endoergic process is not required since the σ-lone pair on O or S is involved in the initial stage of alkylation. The imbalanced TSs for the C-alkylation are accompanied by higher intrinsic barriers and deformation energies.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.112-113
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• 2007

$SiO_2$ 절연 박막위에 희석된 PMMA 유기물을 처리하였다. 유기물 처리량에 따른 $SiO_2$ 박막의 $620{\sim}1100\;cm^{-1}$ 영역의 FTIR 스펙트라를 분석한 결과 0.3~0.7%로 PMMA 처리된 박막에서 친핵성 반응이 밀어나는 것을 확인하였으며, 친핵성 반응이 일어나는 박막들에서 누설전류가 적었으며, 절연특성이 우수한 것을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제34권3호
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• pp.79-85
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• 2024

고압 균질기를 이용하여 면 셀룰로오스 원료로부터 직접 셀룰로오스 나노결정을 추출하고 이에 대한 결정 구조 및 화학적 결합 상태에 대한 연구를 수행하였다. 형성된 셀룰로오스 나노결정은 나노와이어 형태의 구조적 특성을 가지며, 조밀한 구조의 메쉬 형태로 분포하였다. X-ray diffraction (XRD) 분석을 통해 관찰된 Bragg 결정면의 면간거리 계산을 통해 고압 균질기로부터 추출된 셀룰로오스 나노결정이 셀룰로오스 Iβ 하부 다형체인 monoclinc 결정구조를 갖음을 확인하였다. 셀룰로오스 나노결정에 포함된 비정질 영역을 정량적으로 평가하기 위한 Solid-state nuclear magnetic resonance(NMR) 분석 결과 셀룰로오스 나노결정의 결정화도 지수는 5 3.06 %로 계산되었다. 형성된 셀룰로오스 나노결정 표면의 O/C ratio는 0.82로 계산되었으며, C-C 결합 혹은 C-H 결합, C-O 결합, O-C-O 결합 혹은 C=O 결합, O-C=O 결합의 화학적 결합이 셀룰로오스 나노결정 표면의 주요 화학적 상태임을 알 수 있었다.