깍두기 김치 제조를 위한 절단 무의 가공적성에 대해 알아보기 위하여 절단 무를 다양한 품질보존제를 처리하여 $4^{\circ}C$와 $20^{\circ}C$에 저장하면서 품질변화를 측정하였다. 절단 무의 경도는 $4^{\circ}C$와 $20^{\circ}C$ 모두 저장 중에 감소하였는데 1% $CaCl_2$와 2% NaCl+2% sucrose 처리구는 다른 처리구보다 조직연화가 적게 일어났다. 색도 변화를 보면 L값은 $4^{\circ}C$와 $20^{\circ}C$ 모두 초기치보다 감소하였는데 감소율은 $4^{\circ}C$보다 $20^{\circ}C$ 저장에서 높게 나타났다. a값은 저장 중에 약간의 증가 추세를 보였으며 b값은 거의 모든 처리구에서 초기치의 2배가 넘는 변화를 보였다. Vitamin C 함량은 초기치보다 모두 감소했으며 처리별 감소율은 10.4%~95.9%로 처리간 차이가 크게 나타났다. $4^{\circ}C$에서의 함량이 $20^{\circ}C$의 같은 처리구와 비교할 때 높았으며 $4^{\circ}C$와 $20^{\circ}C$ 모두 1% NaCl+1% sucrose 처리구에서 vitamin C 함량이 가장 높게 나타났다. 유리산은 저장함에 따라 malic acid는 감소하고 lactic acid와 acetic acid는 증가하였는데 이러한 현상은 $4^{\circ}C$보다 $20^{\circ}C$에서 현저하게 나타났다.
산화아연에 흡착한 산소종과 CO, $C_2H_4$의 표면반응을 EPR 분광법을 사용하여 연구했다. (1) $25^{\circ}$, $100^{\circ}$, $200^{\circ}$, $300^{\circ}C$등 여러온도에서 산소가 흡착된 산화아연의 EPR 스펙트럼을 비교하여 g = 2.014의 피이크가 산소결합에 trap된 $O^-$에서 나옴을 알았다. (2) 각 온도에서 산소가 흡착된 산화아연을 CO, $C_2H_4$와 접촉시켜 흡착종의 반응성을 알아보았으며, 안정한 $O_2^-$의 EPR스펙트럼을 이용하여 탈착된 표면을 검출했다. (3) 비교적 높은 온도에서 존재하는 $O^-$는 $25^{\circ}C$에서도 CO, $C_2H_4$와 반응하여 완전산화반응을 하며 생성된 흡착종들은 $200^{\circ}C$에서 탈착되었다. (4) $180^{\circ}C$까지 주로 존재하는 $O_2^-$는 CO의 반응하지 않았고 $C_2H_4$와 반응하여 $200^{\circ}C$에서 탈착되는 g=2.002의 등방성 EPR 스펙트럼을 갖는 생성물을 만들었다.
Second-order rate constants have been measured spectrophotometrically for the reactions of aryl benzoates (X-C6H4CO2C6H4-Y) with EtO-, Z-C6H4O- and Z-C6H4C(Me)=NO- in absolute ethanol at 25.0 ℃. All the reactions have been performed in the presence of excess 18-crown-6 ether in order to eliminate the catalytic effect shown by alkali metal ion. A good Hammett correlation has been obtained with a large ρ- value (-1.96) when σ- (Z) constant was used for the reaction of p-nitrophenyl benzoate (PNPB) with Z-C6H4O-. Surprisingly, the one for the reaction of PNPB with Z-C6H4C(Me)=NO- gives a small but definitely positive ρ- value (+0.09). However, for reactions of C6H5CO2C6H4-Y with EtO-, correlation of log k with σ- (Y) constant gives very poor Hammett correlation. A significantly improved linearity has been obtained when σ0 (Y) constant was used, indicating that the leaving group departure is little advanced at the TS of the RDS. For reactions of X-C6H4CO2C6H4-4-NO2 with EtO-, C6H5O- and C6H5C(Me)=NO-, correlations of log k with σ (X) constants for all the three nucleophile systems give good linearity with large positive ρ values, e.g. 2.95, 2.81 and 3.06 for EtO-, C6H5O- and C6H5C(Me)=NO-, respectively. The large ρ values clearly suggest that the present reaction proceeds via a stepwise mechanism in which the formation of the addition intermediate is the RDS.
고체 화합물 La7Os4C9 속에 있는 [Os4C9]21‑ 사슬의 전자구조와 화학결합을 extended Hückel 계산 결과에 의해서 논의하였다. 탄소 원자는 물론 (C2)2‑ 분자의 결합 특성은 비교적 큰 Os-C 상호작용을 나 타내었고 특히 (C2)2‑ 분자의 결합길이 증가는 Fermi level 바로 아래에 Os-C2(1 πg) 결합 밴드의 존재로 인 해서 반결합 1πg 오비탈에 부분적인 전자점유가 일어나기 때문인 것으로 해석된다.
본 연구는 농업생태계에 출현하는 $C_4$ 식물의 출현 양상을 파악하기 위하여 2013년 여름과 가을, 2회에 걸쳐 전국 222 지점의 밭 경작지에서 식물상 및 경작환경을 조사하였으며, 광합성 유형을 판단하기 위해 주요 출현 종에 대한 Kranz 구조 확인과 탄소 안정동위원소 분석을 실시하였다. 밭 경작지에 출현하는 $C_4$ 식물은 9과 33속 54종이었으며 주요 출현종은 쇠비름, 바랭이, 돌피 등이었다. 조사 시기와 생육지 유형에 상관없이 밭 경작지에 출현하는 $C_3$, $C_4$ 식물은 출현하는 전체 종수의 일정 비율로 출현하는 경향을 보였다. $C_4$ 식물의 출현 종수의 변동폭은 크지 않았으며, $C_4$ 식물의 출현율은 $C_4$ 식물의 출현 종수보다 $C_3$ 식물의 출현 종수에 의한 영향을 크게 받았다. 경작면적은 $C_4$ 식물의 출현율에 영향을 미치지 않았으며 여러 제초방법의 동시 시행은 $C_3$ 식물의 출현 종수를 감소시켰다. 특히 예취는 $C_3$ 식물 출현 종수에 큰 감소를 가져왔다. 반면 재배작물수의 증가는 $C_3$, $C_4$ 식물의 출현 증가를 가져왔으나 $C_4$ 식물의 출현율에는 큰 영향을 주지 않았다. 본 연구를 통해 농업생태계에서 다른 생태계에 비해 높은 $C_4$ 출현율을 보인 이유는 경작활동에 의한 $C_3$ 식물 출현 종수의 감소에 따른 것으로 사료된다.
Fe기 비정질합금에서 과냉각액체영역의 유무에 따른 열적 안정성을 비교평가하기 위하여 결정화온도 이하에서 유리천이가 나타나지 않는 $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$합금과 52K의 과냉각 액체영역을 갖는 $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ glassy 합금을 열분석하였다. 등온결정화에 의한 열분석의 결과 JMA plot의 n값은 $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$합금이 1.8-2.2이고 과냉각 액체영역을 갖는 $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ 합금이 2.5-4.0으로서 후자의 경우가 열적으로 안정하였다. 결정화의 양상은 $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$ 합금의 경우 핵생성속도가 일정할 때 확산율속에 의해 결정입자가 성장하는 반면 $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ glassy합금의 경우 핵생성속도가 일정할 때 계면입자가 성장한다. $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ 합금 및 $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$ 합금의 결정화에 필요한 활성화에너지, 핵생성 및 성장에 필요한 활성화에너지는 각각 371, 353kJ/mol, 그리고 324, 301KJ/mol 및 301, 273KJ/mol로서 과냉각 액체영역을 갖는 합금이 열적으로 안정하다고 판단된다.
혐기처리 녹차를 알루미늄 포장에 보관하여 상온, $4^{\circ}C$, $-10^{\circ}C$에 저장 시 품질관련 화학성분인 총질소, 총아미노산, 탄닌, 카페인, 엽록소, 비타민 C 및 지방산은 저장기간이 길어질수록 함량이 감소되었다. 각 성분의 함량 감소폭은 $-10^{\circ}C$ 저장이 상온, $4^{\circ}C$에 비해 적었으며, 함량 감소는 상온에 비해 8개월, $4^{\circ}C$에 비해서는 4개월 정도 지연되었다. 저장 시녹색을 나타내는 'a'값이 감소할수록 품질이 저하되는데, 혐기처리 녹차의 표면 녹색을 나타내는 'a'값은 12개월 저장 시 상온 > $4^{\circ}C$ > $-10^{\circ}C$ 순으로 저장온도가 높을수록 녹색이 감소됨을 알 수 있었다. 형상, 향, 맛 등으로 평가하는 관능평가는 100점 만점에 점수가 낮을수록 품질이 저하되며, 저장온도에 따라 혐기처리 녹차의 품질이 상이하였는데 $-10^{\circ}C$ 12개월 저장 시 80점, $4^{\circ}C$ 8개월 81.1점, 상온 4개월 80.4점으로 저장온도가 낮을수록 품질이 양호하였다. 따라서 본 연구의 내용을 종합한 결과, $-10^{\circ}C$를 혐기처리 녹차의 가장 효과적인 저장온도로 제시하고자 한다.
본 논문에서는 고전압 SiC Power 소자와 집적이 가능한 4H-SiC CMOS에 대해 연구하였다. SiC CMOS 소자 연구를 통해 고출력 SiC Power 소자와 함께 제작을 가능하게 함으로써 SiC 전력소자를 이용하는 고출력 시스템의 효율 및 비용면에서 우수한 성능을 기대할 수 있다. 따라서 4H-SiC 기판에서 CMOS를 설계한 후 TCAD 시뮬레이션을 통해 전기적 특성 및 고온 동작 신뢰성을 비교하였다. 특히 높은 온도에서 신뢰성 있는 동작을 위해 gate dielectric으로 HfO2를 변경함으로써 SiO2보다 열적 특성이 개선됨을 확인하였다.
완두의 트리아실글리세롤의 조성을 구명하기 위하여 TLC로 트리아실글리세롤을 분리 한 후 HPLC를 이용하여 PN별로 분획하고 GLC로 분석 하였다. 이들 결과를 종합하여 트리아실글리세롤의 조성을 추정한 결과 건조된 완두의 트리아실글리세롤은 33종류였으며 주요 트리아실글리세롤은 $C_{16:0}C_{18:2}C_{18:2}(13.4%),\;C_{18:1}C_{18:2}C_{18:3}(9.3%),\;C_{18:1}C_{18:2}C_{18:2}(9.2%),\;C_{18:2}C_{18:2}C_{18:2}(8.1%),\;C_{18:2}C_{18:2}C_{18:3}(6.4%)$ 및 $C_{18:0}C_{18:1}C_{18:2}(5.4%)$이었다.
In order to understand the difference in SiC deposition between the $CH_3SiCl_3-H_2$ and $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ systems, we calculate the phase stability among ${\beta}$-SiC, graphite and silicon. We constructed the phase-diagram of ${\beta}$-SiC over graphite and silicon via computational thermodynamic calculation considering pressure (P), temperature (T) and gas composition (C) as variables. Both P-T-C diagrams showed a very steep phase boundary between the SiC+C and SiC region perpendicular to the H/Si axis, and also showed an SiC+Si region with a H/Si value of up to 6700 in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$, and 5000 in the $CH_3SiCl_3-H_2$ system. This difference in phase boundaries is explained by the ratio of Cl to Si, which is 4 for the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system and 3 for the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system. Because the C/Si ratio is fixed at 1 in the $CH_3SiCl_3-H_2$ system while it can be variable in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system, the functionally graded material is applicable for better mechanical bonding during SiC coating on graphite substrate in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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