• 한국자기학회지
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• 제18권4호
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• pp.136-141
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• 2008

Ru-Co가 복합 치환된 M-type Ba-ferrite($BaFe_{12-2x}Ru_xCo_xO_{19}$)의 치환량 x의 변화에 따른 자기적 특성과 전파흡수 특성에 관해 조사하였다. 기존의 Ti-Co를 치환시킨 경우보다 적은 양의 치환(x=0.3)으로 면내 자기이방성을 보이는 낮은 보자력($H_c$)과 높은 포화자화($M_s$) 값을 얻을 수 있었다. 따라서 Ru-Co 치환량 조절에 의해 GHz 대역에서 자연공명주파수의 조절이 가능하였다. 소결체 및 복합체에서 흡수 주파수 대역은 보자력이 증가할수록 고주파 대역으로 이동한다. 복합체에서 페라이트 혼합량이 증가함에 따라 복소투자율과 복소유전율의 값이 증가하기 때문에 정합주파수는 저주파 대역으로 이동한다. 이러한 특성들을 이용하여 순수한 M-형 육방정 페라이트에 Ru-Co의 치환량, 복합체에서 페라이트 분말의 혼합량, 그리고 흡수체의 두께의 제어를 통하여 GHz 주파수 대역에서 양호한 전자파 흡수체, 노이즈 감쇠재의 제조가 가능함을 제시할 수 있다.

• 정보처리학회논문지C
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• 제11C권1호
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• pp.141-148
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• 2004

최근 초고속 인터넷, HDTV, 3차원 입체 고 선명 TV, 그리고 ATM backbone 망 등과 같은 광대역 통신의 요구가 빠른 속도로 증가하고 있다. 따라서 무선망을 통한 광대역 데이터를 전송하기 위해 Ka 대역 주파수의 사용이 요구된다. 그런데 Ka 대역 주파수를 사용하면 강우에 의한 페이딩이나 대기손실에 의해 수신 데이터의 성능이 심각하게 영향을 받는다. 따라서 채널환경에 의한 성능 감소를 극복하기 위해 적응형 모뎀이 요구된다. 본 논문에서는 채널환경을 극복하는 155Mbps급 적응형 모뎀의 구조를 제시하고 설계한다. Ka 대역의 무선통신 채널에 대한 강우감쇠를 보상하기 위해 다양한 부호 율을 갖는 적응형 부호화 기법 및 TC-8PSK, QPSK, BPSK와 같은 다중 변조기법을 채택한다. 또한 본 논문에서는 다중 복조기에서 변조방식의 정보 없이 복조하기 위한 블라인드 복조방법을 제안하고, 빠른 위상모호성 해결 방법을 제안하며, SPW모델에 의해 적응형 모뎀의 설계와 시뮬레이션 결과를 제시한다. 본 155Mbps급 적응형 Modem은 $0.25\mu{m}$ CMOS 표준 셀 기술과 95만 게이트로 설계하고 구현하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권1호
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• pp.76-79
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• 2016

본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 $0.25{\mu}m$의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12 mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2~9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템 등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다.

• 정보처리학회논문지C
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• 제9C권1호
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• pp.73-78
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• 2002

무선 ATM망에서 동적 슬롯할당을 행하기 위해서는 이동국(MT)에서 요구되는 슬롯량은 이동국의 트래픽 특성을 반영하는 동적 변수들(DPs)에 의해 예측된다. VBR 트래픽에서 슬롯할당은 시의존성 특성 및 서비스품질(QoS) 요구를 고려하여 이동국에서 행해진다. 본 논문에서는 동적 변수들-버퍼상태 정보와 버퍼상태 변화-이 대역내 신호방식으로 전송된다. 또한, 기지국(BS)은 각 이동국의 트래픽 특성을 고려하여 동적 슬롯할당을 수행한다 다시 말해서, 이동국 버퍼가 특정한 임계값을 넘으면 버퍼상태 정보는 기지국에게 '버퍼풀 상태'의 가능성을 알리며, 버퍼상태 변화는 이동국에게 입력 셀에 대한 버퍼상태의 변화를 알려준다 만약 버퍼상태 정보가 '낮음(임계값보다 큰 경우)'과 '급상승' 상태이면 셀 전송지연과 셀 손실이 발생하는 '버퍼풀'을 가져온다. 이때 기지국은 이동국에게 부가적인 슬롯을 할당하며 이동국은 버퍼내의 셀들을 전송한다. 시뮬레이션을 통해 제안된 방식이 EPSA 대역내 신호방식보다 샌 지연과 셀 손실에 대한 성능이 우수함을 보여준다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.1-4
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• 1975

임팻다이오드의 임지던스크기가 연류에 교류를 중첩시켜 가할경우 변화하는 특성을 고찰하였다. 스펙트럼분석기상에서 반송파영점측정방법으로 견파수변조된 파의 특성을 측달하였다. 각파수변조는 아주 작은 교류신호전압으로 가능하며 변조주파수를 일정히하고 신호전압을 증가시키면 소요대역폭이 아주 커지고 신호전압을 일정히하고 변조각파수를 작게할때 대역건은 약간 좁아지는 결과를 얻었다. This paper dells with the impedance variations of the IMPATT diode depending upon the small a.c. coomponent superimposed on the d.c. bias. The frequency deviation of the modulated wave is measured using a carrier null method on microwave spectrum analyser. Frequency modulation is achieved by the weack a.c. signal superimposed on the d.c. bias. The bandwidth rapidly increase with increasing modulation signal magnitude for constant modulation frquency and slightly decrease with decreasing modulation frequency for constant modulation signal magnitude.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권10호
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• pp.45-52
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• 2008

본 논문에서는 무선으로 전력과 데이터를 받는 온서 센서 태그 칩을 $0.18-{\mu}m$ CMOS공정으로 제작하였다. 태그 칩 구동에 필요한 전력은 쇼트키 다이오드로 구성된 전압체배기를 이용하여 리더로부터 받는 UHF 대역 (900 MHz) RF 신호를 이용하여 발생시킨다. 태그 칩이 위치한 부분의 온도는 sub-threshold 모드에서 동작하는 새로운 저전력 온도-전압 변환기를 이용하여 측정되고, 이 아날로그 전압은 8-bit 아날로그-디지털 변환기를 통해 디지털 데이터로 표시된다. ASK 복조기와 간단한 디지털 회로로 구성된 회로 블록을 이용해 여러 태그 칩 중에 단일 칩을 선택할 수 있는 식별자 정보를 인식할 수 있다. 제작된 온도 센서는 주변 환경 온도 $20^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$ 사이의 온도를 측정한 결과, $0.64^{\circ}C/LSB$의 해상도를 나타내었다. 온도 센서 구동에 필요한 입력 전력은 -11 dBm이었고, 온도 오차는 최대 $0.5^{\circ}C$, 칩 면적은 $1.1{\times}0.34mm^2$, 동작주파수는 100 kHz, 전력소모는 64 ${\mu}W$, 변환율은 12.5 k-samples/sec을 가진다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1766-1768
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• 2004

This paper describes the prediction of location of PD signals in GIS using the difference in the measured time between first and second wave arrival by the external-type PD sensors. It is well accepted that the electromagnetic wave in GIS propagates at the velocity of $3{\times}10^8$m/s. Consequently, we could identify the location of PD with high accuracy. The experience at the fields and the problems for the judgment are also discussed in detail.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 제5회 학술대회 논문집 일렉트렛트 및 응용기술연구회
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• pp.21-24
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• 2003

휴대이동전화의 고성능화, 소형화에 따라서 전자부품들은 고집적화가 요구되고 있다. 이에 따라서 많은 수의 수동부품을 회로 기판 내에 내장화하기 위한 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic: 저온동시소성)기술이 적용된 부품의 출현이 계속되고 있다. 본 연구에서는 이러한 저온동시소성 기술을 활용하여 제품을 개발하기 위해서 고주파수 대역의 소자의 특성을 측정 하였다. 측정된 소자의 특성을 적용하기 위해서 소자 쿠폰을 제작하으며 고주파 회로 분석과 시뮬레이션 결과를 통해서 수동소자가 내장된 PAM( 전력증폭기), FBAR용 모듈 기판을 제작하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권3호
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• pp.182-186
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• 2004

In this paper, 2.4GHz WLAN BPF(Band Pass Filter) which has two DGS(Defected Ground Structure) unit cells was simulated and manufactured. To do this, a unit DGS resonator with resonant frequency is designed. Then the BPF for WLAN with the center frequency of 2.4GHz md the bandwidth of 200MHz is designed using two DGS resonator, finally this circuit is fabricated. We also proposed the equivalent circuit of the BPF employing two DGS resonator. The BPF with DGS was obtained experimental results with network analyzer Agilent 8510C. The measured result shows good agreement with simulated data. Experimental results show the center frequency of 2.45GHz, the insertion loss of 1.08dB, and the 3-dB bandwidth of 470MHz(19.5%). Acceding to the measured values, it is found that the fabricated DGS BPF is available for wireless LAN.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1927-1928
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• 2008

가변 이득 및 차단주파수 특성을 가지는 5차 CMOS Gm-C 필터를 설계하였다. 설계된 필터는 CMOS 차동 트랜스컨덕터들로 구성하였으며 트랜스컨덕터들은 각각 전압 조정에 의하여 트랜스컨덕턴스 값이 변환되도록 설계하였다. 가변 차단주파수 특성은 외부잡음으로 발생할 수 있는 필터 차단주파수의 변형을 보상할 수 있고 한 개의 필터로써 다중대역 수신 단에 적용할 수 있도록 하고자 하였다. HSPICE 시뮬레이션 결과, 1.5MHz$\sim$3.5MHz의 차단주파수의 조정이 가능하였고 이득은 -2.8dB$\sim$2.6dB으로의 조정이 가능하였다.