탄화규소(SiC)나 질화갈륨(GaN)과 와이드갭 반도체를 이용한 전력소자의 생산기술이 크게 발전하여 그간 널리 사용되어 온 실리콘(Si) 전력소자와 비교하여 작동전압, 스위칭 속도 및 on-저항 등이 크게 향상되어 몇 개 기업은 제품화를 시작하였다. 내압 등 기술적 과제 등을극복하여 산업화를 하고자하는 움직임을 소개하고 아울러 연구동향도 분석한다.
본 논문에서는 전세계적으로 차세대 에너지절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN 소자의 연구개발 동향에 관하여 발표하고자 한다. GaN 반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$)등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. 고출력용 GaN RF 전력증폭 소자의 전력밀도는 기존 Si-기반 LDMOS 트랜지스터보다 10배 이상 높아 제품의 소형화와 경량화를 통하여 30% 이상의 전력절감이 가능하며, 레이더, 위성등 송수신 트랜시버 모듈에 GaN 전력증폭기를 이용할 경우 기존 GaAs-기반 전력증폭기에 비하여 높은 전력밀도(>x8)와 높은 효율(>20%)로 인하여 모듈 크기를 50% 이상 줄임과 동시에 경량화를 이룰 수 있어 비행기, 위성등 탑재체의 에너지 절감에 크게 기여할 수 있다. 고전력용 GaN 전력 스위칭 소자는 기존 Si-기반 IGBT에 비하여 스위칭 손실과 온-저항 손실이 낮아 30% 이상의 에너지 절감이 가능하다. 뿐만 아니라, 일본 도요타 자동차사의 보고에 의하면 HEV등 전기자동차의 DC-DC 부스터 컨버터나 DC-AC 인버터에 GaN 전력반도체를 적용할 경우 경량화, 변환효율 향상, 전용 냉각시스템을 제거할 수 있어 연료소모를 10% 이상 줄일 수 있어 연간 400불 이상의 에너지 절감 효과를 가진다. 이러한 에너지절감 효과는 미국, 유럽, 일본등 선진국을 중심으로 차세대 GaN 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 치열한 경쟁 구도의 구동력이 될 것이며, 본 논문을 통하여 GaN 반도체의 연구개발 방향과 상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
전송 신호의 높은 PAPR (Peak-to-Average Power Ratio)은 OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplexing)의 주된 문제점중의 하나이다. PTS (Partial Transmit Sequences) 기법은 OFDM 신호의 PAPR의 통계를 개선하는 기법이다. 그러나 PTS 기법에서 위상 가중치의 선택을 위한 계산 복잡도는 서브블록의 수에 따라 지수적으로 증가한다. 본 논문에서는 ${\mu}$-GA (micro-Genetic Algorithm) 기반의 위상 가중치 탐색 알고리즘을 적용한 낮은 계산 복잡도를 갖는 PTS 기법을 제안한다. 위상 가중치의 탐색은 랜덤하게 생성한 5 개체의 개체군으로부터 시작한다. 이 중에서 적합도가 가장 큰 엘리트와 토너먼트 선택 방법에 의해 나머지 4 개체를 선택하고 교배 연산을 통해 다음 세대를 구성한다. 만일 생성된 세대가 수렴한다면 엘리트를 제외한 나머지 개체를 다시 랜덤하게 생성한다. 일정 세대 이상 PAPR이 개선되지 않거나 사전에 정해진 최대 세대수까지 진행하면 탐색을 종료한다. 제안하는 PTS 기법의 성능을 평가하기 위해 PAPR의 CCDF (Complementary Cumulative Distribution Function)를 이전의 PTS 기법과 비교한다.
최근 scaling down의 한계에 부딪힌 DRAM과 Flash Memory를 대체하기 위한 차세대 메모리(Next Generation Memory)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. ITRS (international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 PRAM (phase change RAM), RRAM (resistive RAM), STT-MRAM (spin transfer torque magnetic RAM) 등이 차세대 메모리로써 부상하고 있다. 그 중 RRAM은 간단한 구조로 인한 고집적화, 빠른 program/erase 속도 (100~10 ns), 낮은 동작 전압 등의 장점을 갖고 있어 다른 차세대 메모리 중에서도 높은 평가를 받고 있다 [1]. 현재 RRAM은 주로 금속-산화물계(Metal-Oxide) 저항 변화 물질을 기반으로 연구가 활발하게 진행되고 있다. 하지만 근본적으로 공정 과정에서 산소에 의한 오염으로 인해 수율이 낮은 문제를 갖고 있으며, Endurance 및 Retention 등의 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 본 연구진은 산소 오염에 의한 신뢰성 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 다양한 금속-질화물(Metal-Nitride) 기반의 저항 변화 물질을 제안해 연구를 진행하고 있으며, 우수한 열적 안정성($>450^{\circ}C$, 높은 종횡비, Cu 확산 방지 역할, 높은 공정 호환성 [2] 등의 장점을 가진 WN 박막을 저항 변화 물질로 사용하여 저항 변화 메모리를 구현하기 위한 연구를 진행하였다. WN 박막은 RF magnetron sputtering 방법을 사용하여 Ar/$N_2$ 가스를 20/30 sccm, 동작 압력 20 mTorr 조건에서 120 nm 의 두께로 증착하였고, E-beam Evaporation 방법을 통하여 Ti 상부 전극을 100 nm 증착하였다. I-V 실험결과, WN 기반의 RRAM은 양전압에서 SET 동작이 일어나며, 음전압에서 RESET 동작을 하는 bipolar 스위칭 특성을 보였으며, 읽기 전압 0.1 V에서 ~1 order의 저항비를 확보하였다. 신뢰성 분석 결과, $10^3$번의 Endurance 특성 및 $10^5$초의 긴 Retention time을 확보할 수 있었다. 또한, 고저항 상태에서는 Space-charge-limited Conduction, 저저항 상태에서는 Ohmic Conduction의 전도 특성을 보임에 따라 저항 변화 메카니즘이 filamentary conduction model로 확인되었다 [3]. 본 연구에서 개발한 WN 기반의 RRAM은 우수한 저항 변화 특성과 함께 높은 재료적 안정성, 그리고 기존 반도체 공정 호환성이 매우 높은 강점을 갖고 있어 핵심적인 차세대 메모리가 될 것으로 기대된다.
본 연구는 최근 급증하고 있는 공동주택의 하자분쟁과 관련하여 하자소송이 급증한 시점인 2013년을 기준으로 2013년 이전과 이후의 하자소송 판례 24건의 공종별 주요 쟁점사항에 대하여 분석한 결과 세대당 하자적출금액은 2013년 이후는 2013년 이전과 비교하여 약 5% 감소한 세대당 2,572천원이나, 세대당 판결금액은 오히려 약 19%가 증가하여 2013년 이후에는 세대당 1,916천원으로 나타났다. 공종별로 살펴보면 균열에 대한 하자가 2013년 이전과 이후 가장 큰 비율을 차지하였고, 2013년 이전에는 설비, 타일, 창호 순으로 나타났고, 2013년 이후에는 조경, 타일, 단열 및 창호공사 순으로 나타났다. 이러한 하자분쟁 예방을 위해서는 설계단계, 시공단계 및 유지보수단계에서 하자분쟁 방지 노력이 필요할 것이다.
UCC, 트위터 등 멀티미디어 콘텐츠 증가, 유틸리티 컴퓨팅과 같은 다양한 신규 서비스의 급증, IPTV 등 높은 대역폭을 요구하는 애플리케이션의 증가, 가상화 데이터 센터의 등장과 함께 40G/l00G 이더넷 기술이 차세대 광대역 서비스 대역폭 요구에 대한 장기적 해결방안의 하나로 제시되고 있는 가운데 세계적으로 40G/100G 이더넷으로의 네트워크의 진화가 시작되고 있다 본 고에서는 최근 세계적으로 뜨거운 쟁점이 되고 있는 차세대 인프라 40G/100G 이더넷 표준을 기반으로 하는 디바이스 및 프로덕트의 출시 동향을 살펴보고 현재 사용 기능한 상용 칩을 이용한 40G 이더넷 라인카드의 구조와 향후 구현 가능한 100G 이더넷 라인카드의 구조 그리고 40G/100G 이더넷 상의 OTN 네트워크 응용에 대해 고찰한다.
최근 스마트폰의 보급에 따라 모바일 관련 서비스의 급격한 시장성장으로 인한 무선랜 사용이 급속하게 증가하고 있다. 이로 인한 사용자의 증가는 사용기기의 고밀도화를 야기하였고, 이에 따른 전송신호에 대한 심각한 간섭증가 및 서비스 품질 저하를 초래했다. 본고에서는 현재 무선랜 네트워크의 성능저하의 주요 문제점인, 간섭증가에 대한 해결책으로 고려되고 있는 간섭회피기술과 간섭정렬기술에 대해 살펴본다. 또한 이동통신시스템의 트래픽 분산망으로, 무선랜 네트워크가 제공할 수 있는 성능측면에서 중요하게 고려되고 있는 QoS(Quality of Service) 관리기술에 대해 무선랜 표준그룹의 최근 기술에 대해 살펴보고자 한다. 이들 세 분야에 대한 종합적인 기술개발이 진행될 때 차세대 무선랜 네트워크의 요구되는 성능이 확보될 것이다.
산업은 흔히 생명체처럼 일종의 라이프사이클을 따르는 것으로 여겨지고 있다. 이들은 태어나서, 젊고 활력 넘치는 성장기를 거쳐, 투자기, 발전기의 과정으로 나아가며 일정한 지점에 이르게 되면 성숙과 힘을 성취한다 이 지점에 서 기술개발속도는 떨어지며, 발전 중이거나 새로이 산업화한 경제 속에서 다음 세대가 탄생한다. 이 새로운 세대가 낮은 코스트를 기반으로 힘을 성취해가게 됨에 따라, 초창기의 생산 기반에 자리잡은 구세대의 활력과 경쟁력은 점차 약화된다. 그리하면 구세대는 결실을 맺고 지루한 종반전(end-game)인 쇠 퇴기에 접어든다. 이러한 탄생, 쇠퇴 그리고 훨씬 낮은 코스트를 기반으로 하는 경제로의 이 전이라는 라이프사이클은 일부 중공업에서는 쉽게 관찰되지만. 그밖의 다른 산업분야에서는 명확하지 않다. 조선업의 경우는 어떠한가. 선진 조선국의 조선 업이 성숙기에서 그 경쟁력 유지가 가능할 것인가, 아니면 이들 산업이 일련 의 보다 낮은 코스트 지대로 옮겨가는 것이 필연적인가. 이 글에서 필자들은 전술한 라이프사이클이라는 분석틀을 사용하여 이 같은 물음과 관련된 몇 가지 문제를 살펴보고자 한다
사용자들은 스마트폰의 무선랜 접속을 통해 편리하게 인터넷 서비스를 사용할 때 무선 구간 도청의 위험성 정도만 인지하는 수준이지만, 편리하다는 그 이면에는 불특정 다수에 의한 도청 위험성뿐만 아니라, 무선랜은 타 무선 네트워크에 비해 비교적 저렴하고 손쉬운 공격 도구를 이용하여 네트워크 무력화가 가능하다는 큰 단점이 있다. 이에 따라 무선랜 보안성 강화를 위해, IEEE 등 관련 표준화 기구에서는 무선랜 보안과 셀룰러 망 연동, 로밍, 무선 메시 네트워크 등 다양한 활용을 염두에 둔 보안 규격을 정의하였으며, 표준 영역에서 다루지 않는 무선랜 보안 위협에 대응하는 장비에 대한 시장의 요구도 분명하다. 본고에서는 2012년 최신 무선랜 표준에서의 보안 기술과 Gbps급 차세대 무선랜 환경에서의 보안의 취약점을 이용한 공격과 이를 탐지하고 방어하는 무선랜 침해방지 기술에 대하여 논한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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