CdS박막을 5*$10^{-7}$Torr의 초기 진공하에서 CdS source 온도를 800~1100.deg.C로 하고 기판 온도를 100~200.deg.C로 하여 corning 7059 glass 기판위에 0.6~1.2.mu.m의 두께로 진공증착 방법으로 제조하였다. CdS soruce 온도와 기판온도가 증착된 CdS 박막의 미세구조와 결정구조 및 전기적, 광학적 성질에 미치는 영향을 알아 보았다. 기판을 가열하지 않은 경우는 source 온도가 증가할수록 전기비저항과 광투과도가 낮게 나타났다. Source 온도를 1100.deg.C로 고정하였을 경우 기판의 온도에 따라 전기비저항값과 광투과도값은 증가하였으며 optical band gap도 증가하였다. Soruce 온도가 1100.deg.C이고 기판온도가 190.deg.C일때 전기비저항값은 2*$10^{6}$ohm-cm였고 광투과도는 band gap 이상의 파장에서 80% 이상의 값을 가졌다. 증착된 CdS박막의 결정구조는 모두 hexagonal structure를 가지며 source 온도가 낮을수록 기판온도가 높을수록 C축으로 방향성있게 성장하였다.
When the cement paste in concrete is exposed to high temperatures, the mechanical performance decreases due to a series of reactions inside the cement. In this study, we investigated the change of nanostructure of $C_3S$ when $C_3S$ was exposed to high temperature using pair distribution function (PDF) based on high energy X-ray scattering. As a result of X-ray diffraction, there was no significant difference when $C_3S$ was heated at $300^{\circ}C$, but most of $Ca(OH)_2$ was decomposed into CaO at $500^{\circ}C$. In addition, it was confirmed that CaO is dominant in the nanostructure when $C_3S$ is heated to $500^{\circ}C$.
Recently, supplementary cementitious materials such as blast-furnace slag, fly ash and silica fume have been widely used as substitutes for cementitious materials. In this study, the deformation behavior of compressive loading of C3S paste with 50% fly ash was analyzed by X-ray scattering data and pair distribution function analysis. The obtained results were compared with 131-day-old pure C3S paste. The Ca(OH)2 of the C3S-FA paste showed almost complete elastic behavior, consistent with the deformation behavior of the r-range of 20 to 40, and the C-S-H phase contributed to the range of PDF r-range of less than 20. In addition, C-S-H of C3S-FA showed greater deformation resistance than C3S paste.
본 논문에서는 경북 구미시 봉곡천에 최근 건설된 다기능어도를 대상으로 SAP2000으로 구조 해석하기 위한 변수를 R/C Slab, R/C+S/C Slab 및 지하이동통로 규격(가로${\times}$세로)을 $1m{\times}0.2m$, $1m{\times}0.4m$, $1m{\times}0.6m$와 유속 0.8m/s, 1.2m/s, 1.6m/s으로 구분하여 해석한 결과와 봉곡천 설계식을 비교하여 안정성을 검토하였다. 봉곡천의 설계식 보다 R/C+S/C Slab 타입이 지하이동통로 출구부는 휨모멘트와 최대응력은 각각 28~54%, 26~50%, 측벽은 24~47%, 17~31%, 상부슬래브인 경우도 10~27%, 4~20% 적게 나타났다. 따라서 최대응력과 휨모멘트가 R/C+S/C Slab 타입이 구조 안정성이 확보되는 것으로 나타났기 때문에 지하통로는 휨모멘트와 최대 응력이 27%, 25%, 측벽은 24%, 15% 상부슬래브는 14%, 10%의 보완이 요구되는 것으로 판단된다. 이러한 결과는 지하이동통로 규격이 봉곡천 규격과 동일한 $1m{\times}0.4m$일 때가 $1m{\times}0.2m$, $1m{\times}0.6m$ 보다 안정성이 가장 유리한 것으로 확인되었다. 또한 해석 및 분석 결과를 근거로 다기능어도 시공 시 기본 자료로 활용이 기대된다.
본 연구에서는 Pt/f4-SiC Schottky barrier diodes(SBDs)의 소자 성능향상과 미세구조와의 상관관계를 규명하였다. 다른 열처리 온도구간에 따른 금속/SiC 계면의 미세구조 평가는 X-ray scattering법을 사용하여 분석하였다. 소자의 역 방향 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 저하되었다. As-deposited와 $850^{\circ}C$ 온도에서 열처리된 소자의 최대 항복전압은 각각 1300 V와 626 V 이었다. 그러나, 소자의 순방향 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 향상되었다. X-ray scattering법으로 >$650^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서는 Pt/SiC 계면에서 Pt-silicides가 형성되었고, 이러한 Silicides의 형성이 Pt/SiC 계면의 평활도를 증가시킨 원인이 됨을 보였다. SBDs의 순방향 특성은 열처리 과정동안 Pt/SiC 계면에서 형성된 silicides의 결정성에 강하게 의존함을 알 수 있었다.
Keun Il Park;Young Kie Kim;Sung Il Cho;Man Hyung Yoo
한국결정학회지
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제13권3_4호
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pp.152-157
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2002
X선 회절법을 이용하여 Tricyclazole, C/sub9/H/sub7/N₃S 분자 및 결정 구조를 규명하였다. 화합물의 결정학 자료: Orthorhombic 공간군 Pca2₁, a=14.889(1) Å, b=7.444(1) Å, c=15.189(2) Å, V=1683.3(3) ų, Z= 8분자 구조는 직접법으로 풀었고 완전최소자승법으로 정밀화하여 1533(F/sub o//sup 2/>4σ(F/sub o//sup 2/))인 독립회절반점에 대하여 최종 신뢰도값 R=0.047을 얻었다. 구조 해석 결과 두 분자가 asymmetric 단위로 구성되어 있으며 각각의 분자는 서로 거의 평형을 이루면서 b축 방향으로 유사 4-fold screw를 이루고 있었다.
1-tert-butoxycarbonyl-4-[N-(tert-butoxycarbonyl)-N-(ethoxycarbonylmethyl)amino]-3-phenylsulfonylpyrrolidind [C24H36O8N2S;이하 BEP]의 분자 및 결정구조를 X-선 회절법으로 연구하였다. 이 결정의 분자는 C24H36O8N2S, 삼사정계이고 공간군은 P1이다. 단위세포 길이는 a=11.363(8)Å, b=11.589(6)Å, c=11.013(10)Å,α=95.32(6)°,β=98.64(7)°,γ=79.57(5)°,V=1406.8(18)Å3, t=293K, Z=2이다. 구조해석에 사용한 X-선은 CuKα선(λ=1.5418Å)을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 풀었으며 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종 신뢰도 R값은 F≥4 σ(F)인 3621개의 회절반점에 대하여 R=9.78% 이었다.
MOBAS는 규칙적인 모듈로 구성되어 있어 확장이 용이하며, VLSI 구현 시 고집적화 할 수 있고, 각 모듈간에 동기를 맞추기 쉬울 뿐 아니라, 단일 종류의 칩으로 중앙 스위치 구조를 구성할 수 있다. Modified MOBAS(Multicast Output Buffered ATM Switch)는 MOBAS와 유사한 구조를 가지지만 스위치 모듈(SM : Switch Module)의 구조에서 차이를 보이며 적은 스위치소자(SWE : Switch Element)를 사용한다. 위성 통신에서 스위치의 크기뿐 아니라 고장감내 특성도 스위치를 디자인하는데 필요한 중요한 요소이다. 본 논문에서는 Modified MOBAS의 고장 특성을 분석하고 이에 적합한 Detection 기법 및 Location 기법을 제안하였다. 또한 스위치 모듈구조를 변형하여 Modified MOBAS에 비해 약간의 스위치 소자를 더 사용하지만 MOBAS에 비해서는 적은 스위치 소자를 사용할 뿐 아니라, MOBAS와 같이 단일 고장 하에서 성능의 저하가 거의 없다.
ab initio 방법을 이용하여 hexahydroxbenzene triscarbonate($C_9O_9$)와 이와 유사한 화합물($C_9O_9,C_9O_6S_3,C_9O_3S_9$)들의 평형구조(equilibrium geometry)와 에너지를 HF와 MP2 level에서 구하였다. 계산결과 이들 화합물은 모드 $C_{3v}$ bowl형 구조보다는 $D_{3h}$ 평면형구조가 더 안정함을 알 수 있었다. $HF/3-21G^*$ level에서 조화진동수(harmonic vibrational frequency)를 계산하였고 각각의 진동방식(vibrational mode)을 비교, 분석하였으며, $HF/63G^*$ level에서 구한 Mulliken population과 natural population을 이용하여 화합물들의 결합특성에 대하여 연구하였다. 또한 이들 화합물들의 열분해 의해서 생성되는 $C_6O_6$과 $C_6S_6$의 전자구조와 결합특성에 대한 연구를 HF와 MP2 level에서 하였다. 그리고 화합물들이 열분해하여 $C_6O_6,\;C_6S_6$, CO, 그리고 CS로 분리될 때의 필요한 에너지를 $HF/3-21G^*$ level에서 계산하여 열분해에 필요한 대략적인 에너지 장벽을 예상하여 보았다.
본 연구에서는 광기록 매질 중 광유기효과가 큰 비정질 As40Se15S35Ge10박막의 증착각도변화에 따른 구조 및 광학적 구조 및 광학적 물질특성에 대해 고찰하였다. 준비된 bulk와 박막이 비정질상(Amorphous phase)임을 XRD 분석을 통해 확인하였다. 특히, 증착각도의 변화에 따른 비정질 As40Se15S35Ge10박막에서의 유리질 천이온도의 변화와 상분리 현상을 연구하였다. 유리질 천이온도의 확인은 DSC, DTA, TGA를 이용한 분석실험을 통해 수행하였다. 실험 결과 벌크의 유리질 천이 온도는 약 $238^{\circ}C$였고, 0。, 60。, 80。로 증착된 박막은 각각 $202^{\circ}C$, $229^{\circ}C$, $201^{\circ}C$였으며 80。로 증착된 박막의 경우 가장 낮은 값을 보였다. 또한 연속상과 분산상으로의 상 분리 현상은 편광현미경에 의한 광학구조분석과 SEM-EDS를 이용한 표면확인 및 성분분석으로 관찰하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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