Si(111) 표면을 NH$_3$분위기에서 실리콘질화물(SiNx)로 변형시킨 후 탄화규소(silicon carbide, SiC) 박막을 성장하였다. 질화시간이 증가함에 따라 SiC 박막 두께가 감소함을 관찰하였다. 또한 성장변수에 따라 SiC/Si 계면에서 결정결함인 틈새를 없앨 수 있었다. 100nm, 300nm, 500nm의 SiNx/Si 기판 위에 SiC 박막을 성장시켰다. 성장된 SiC 박막들은 모두 [111]면을 따라 성장되었고, SiC 결정들이 원주형 낟알로 성장되었다. SiC/SiNx 계면에서 void를 관찰할 수 없었다. 이러한 실험 결과는 SOI 구조의 산화규소를 SiNx로 대체함으로써 SiC 소자 제작에 응용될 수 있는 방향을 제시하고 있다.
This paper describes the electrical characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin film diodes, in which poly 3C-SiC thin films on n-type and p-type Si wafers, respectively, were deposited by APCVD using HMDS, Hz, and Ar gas at $1180^{\circ}C$ for 3 hr. The schottky diode with Au/poly 3C-SiC/Si(n-type) structure was fabricated. Its threshold voltage ($V_d$), breakdown voltage, thickness of depletion layer, and doping concentration ($N_D$) values were measured as 0.84 V, over 140 V, 61nm, and $2.7\;{\times}\;10^{19}\;cm^3$, respectively. The p-n junction diodes fabricated on the poly 3C-SiC/Si(p-type) were obtained like characteristics of single 3C-SiC p-n junction diodes. Therefore, poly 3C-SiC thin film diodes will be suitable microsensors in conjunction with Si fabrication technology.
This paper proposes a fourth generation index $C_{psk}$, constructed from $C_{psk}$, by introducing the factor|$\mu$-T| in the numerator as an extra penalty for the departure of the process mean from the preassigned target value T. The motivation behind the introduction of $C_{psk}$ is that when $T\neqM$ process shifts away from target are evaluated without respect to direction. All indices that are now in use assume normally distributed data, and any use of the indices on non-normal data results in inaccurate capability measurements. In this paper, a new process capability index $C_{psk}$ is introduced for non-normal process. The Pearson curve and the Johnson curve are selected for capability index calculation and data modeling the normal-based index $C_{psk}$ is used as the model for non-normal process. A significant result of this research find that the ranking of the six indices, $C_{p}$, $C_{pk}$, $C_{pm}$, ${C^*}_{psk}$, $C_{pmk}$, $C_{psk}$in terms of sensitivity to departure of the process median from the target value from the most sensitive one up to the least sensitive are $C_{psk}$, $C_{pmk}$, ${C^*}_{psk}$,$C_{pm}$, $C_{pk}$, $C_{p}$.
1990년 부터 1996년까지 16개소의 채집지에서 채집되어 분류동정된 동충하초는 12속 33종으로 이중 Cordyceps bifusispora, C. martialis, C. oxycephala, C. paludosa, C. pentatomi, C. rosea, C. ryogamiensis, Shimizuomyces paradoxa, Akanthomyces aculeatus, Polycephalomyces ramosus, Tilachlidiopsis nigra 등 14종은 국내 미기록종이다. 주로 다수 채집된 동충하초인 C. nutans, C. specocephala, Paecilomyces tenuipes 등은 전 채집시기에 걸쳐 고루 분포하였다. C. mizitayis C. kyushuensis, C. pruinosa 등과 같이 자실체의 발생이 환경조건으로서 대기내 습도에 강하게 영향을 받는 종들의 경우는 주로 장마철이 시작되면서 상대습도가 높아지는 7월 중순부터 8월 중순까지 분포하는 것으로 나타났다. 채집된 동충하초중 분리된 종은 C. bifusispora를 포함하여 Cordyceps속 9종, 불완전 균류의 Beauveria bassiana, Metarhizium anisopliae, Paecilomyces tenuipes, Verticillium lecanii등 총 13종이며, 분리된 Cordyceps속 동충하초를 이용하여 완전세대와 불완전세대의 관계를 구명한 결과 C. militaris와 C. kyushuensis는 Verticillium속으로, C. pruinosa는 Acremonium속으로, C. sphecocephala는 Hymenostilbe속으로, C. scarabaeicola는 Beauveria속으로 각각 밝혀졌다.
본 연구에서는 반응소결 탄화규소(RS-SiC)의 제조공정 중에서 C/SiC 복합 비율(0.1, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 1.0)이 외부입자충격 손상 거동에 미치는 영향을 평가하였다. 충격시험은 공기총(air-gun)을 사용하였으며, 직경 2 mm 강구를 113 m/s, 122 m/s, 180 m/s의 충격속도로 RS-SiC 판재($20\times20\times3$ mm)에 충격시켜 발생된 링크랙의 직경 변화 및 콘크랙의 발생 거동을 SEM 영상으로 평가하였다. 결과적으로 RS-SiC에 발생한 링크랙의 최대직경이 충격속도가 증가함에 따라 대체로 증가하였지만, C/SiC 복합 비율에 따라서는 급격한 변화를 보였다. 이는 C/SiC 복합 비율에 따라 잔류 Si 함량 및 굽힘강도 변화의 영향으로 볼 수 있다. 특히 C/SiC 복합 비율이 0.4~0.5 범위에서 콘크랙이 발생됨에 따라 링크랙에서 콘크랙의 발생으로 변화되는 충격손상 메커니즘의 임계영역으로 판단할 수 있다. 아울러 콘크랙의 발생 임계영역을 고려할 때, RS-SiC 최적 제조 공정으로서 C/SiC 혼합 비율을 최대 0.3으로 하는 것이 효과적이다.
벼 품종 서해벼, 화성벼, Shoa-Nan-Tsan, Lenkwang, 백양벼 및 Newbonnet을 공시하여, 벼 종자를 토심 2.5cm 깊이로 파종하여 출아할 때까지 발아와 출아의 2과정으로 나누어 발아와 출아까지 소요일수을 조사하였고 발아시는 amylase 활성을, 출아시는 초엽과 1엽의 길이와 세포의 크기 및 peroxidase활성을 항온조건의 27와 17$^{\circ}C$, 변온조건의 24/1$0^{\circ}C$의 조건에서 조사, 측정하여 온도에 대한 반응을 검토하였다. 1. 발아소요일수와 출아소요일수는 공시 품종 모두 27$^{\circ}C$에서는 큰 차이를 보이지 않았으나, 17$^{\circ}C$와 24/1$0^{\circ}C$에서는 27$^{\circ}C$에 비하여 소요일수가 길어졌고 품종간 차이를 보였다. 17$^{\circ}C$와 24/1$0^{\circ}C$의 조건에서 발아소요일수보다 출아소요일수가 더 길어졌는데 24/1$0^{\circ}C$보다 17$^{\circ}C$에서 일수가 많이 소요되었다. 2. 초엽의 길이는 복토심과 비슷하였으나, 17$^{\circ}C$와 24/1$0^{\circ}C$에서는 초엽의 길이가 감소되고 대신 1엽이 신장하여 출아하는 경향을 보였으며 품종간 차이가 있었다. 서해벼, 화성벼 및 New-bonnet은 온도에 따른 초엽장의 차이를 보이지 않았으나 백양벼는 온도에 대한 반응이 뚜렷하였다. 초엽과 1엽의 표피세포의 크기는 온도에 따라 길이와 폭의 반응이 상이하였다. 27$^{\circ}C$에 비하여 17$^{\circ}C$와 24/1$0^{\circ}C$에서는 세포길이는 감소한 반면 폭은 증가하였다. 3. 경엽부의 peroxidase 활성은 17$^{\circ}C$와 24/1$0^{\circ}C$의 조건에서 증가하였는데, Shoa-Nan-Tsan과 Newbonnet은 증가폭이 적었다. Peroxidase 활성과 1엽의 세포 폭과 정의 상관관계를 보였을 뿐, 다른 것과는 유의적인 관계를 보이지 않았다. 4. 발아시 amylase 활성은 온도가 낮을수록 감소하였고, 품종별로는 27$^{\circ}C$에서는 Shoa-Nan-Tsan과 Lenkwang이, 17$^{\circ}C$에서는 Lenkwang이, 그리 고 24/1$0^{\circ}C$에서는 Shoa-Nan-Tsan과 Lenkwang이 가장 높았으며 백앙벼는 3 온도 조건 모두에서 활성이 낮았다. 발아소요일수와 amylase 활성과는 유의적인 정의 상관관계를 보였다.
한국미생물학회 2008년도 International Meeting of the Microbiological Society of Korea
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pp.23-25
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2008
Serum complement proteins comprise an important system that is responsible for several innate and adaptive immune defence mechanisms. There were three well described pathways known to lead to the generation of a C3 convertase, which catalyses the proteolysis of complement component C3, and leads to the formation of C3 opsonins (C3b, iC3b and C3d) that fix to bacteria. A pivotal step in the complement pathway is the assembly of a C3 convertase, which digests the C3 complement component to form microbial-binding C3 fragments recognized by leukocytes. The spleen clears microorganisms from the blood. Individuals lacking this organ are more susceptible to Streptococcus pneumoniae. Innate resistance to S. pneumoniae has previously been shown to involve complement components C3 and C4, however this resistance has only a partial requirement for mediators of these three pathways, such as immunoglobulin, factor B and mannose-binding lectin. Therefore it was likely that spleen and complement system provide resistance against blood-borne S. pneumoniae infection through unknown mechanism. To better understand the mechanisms involved, we studied Specific intracellular adhesion molecule-grabbing nonintegrin (SIGN)-R1. SIGN-R1, is a C-type lectin that is expressed at high levels by spleen marginal-zone macrophages and lymph-node macrophages. SIGN-R1 has previously been shown to be the main receptor for bacterial dextrans, as well as for the capsular pneumococcal polysaccharide (CPS) of S. pneumoniae. We examined the specific role of this receptor in the activation of complement. Using a monoclonal antibody that selectively downregulates SIGN-R1 expression in vivo, we show that in response to S. pneumoniae or CPS, SIGN-R1 mediates the immediate proteolysis of C3 and fixation of C3 opsonins to S. pneumoniae or to marginal-zone macrophages that had taken up CPS. These data indicate that SIGN-R1 is largely responsible for the rapid C3 convertase formation induced by S. pneumoniae in the spleen of mice. Also, we found that SIGN-R1 directly binds C1q and that C3 fixation by SIGN-R1 requires C1q and C4 but not factor B or immunoglobulin. Traditionally C3 convertase can be formed by the classical C1q- and immunoglobulin-dependent pathway, the alternative factor-B-dependent pathway and the soluble mannose-binding lectin pathway. Furthermore Conditional SIGN-R1 knockout mice developed deficits in C3 catabolism when given S. pneumoniae or its capsular polysaccharide intravenously. There were marked reductions in proteolysis of serum C3, deposition of C3 on organisms within SIGN-$R1^+$ spleen macrophages, and formation of C3 ligands. The transmembrane lectin SIGN-R1 therefore contributes to innate resistance by an unusual C3 activation pathway. We propose that in the SIGN-R1 mediated complement activation pathway, after binding to polysaccharide, SIGN-R1 captures C1q. SIGN-R1 can then, in association with several other complement proteins including C4, lead to the formation of a C3 convertase and fixation of C3. Therefore, this new pathway for C3 fixation by SIGN-R1, which is unusual as it is a classical C1q-dependent pathway that does not require immuno globulin, contributes to innate immune resistance to certain encapsulated microorganisms.
출발 물질로 TiCx(x=0.67)와 Al 분말을 사용하여 800~150$0^{\circ}C$ 온도 구간에서 상압 또는 가압 반응으로 Ti$_3$AlC$_2$를 합성하였다. 출발 물질로 TiCx(x=0.67)와 Al 분말을 사용한 반응 합성에서는 Ti-Al intermetallic compound 또는 Al-C compound와 같은 중간 형성물은 형성되지 않았으며 Ti$_3$AlC$_2$을 합성할 수 있었다. TiCx(x=0.67)와 용융 Al의 직접 반응으로 80$0^{\circ}C$에서는 Ti$_2$AlC 상이 합성되었으며, 1200~150$0^{\circ}C$ 반응온도 구간에서는 Ti$_3$AlC$_2$ 상이 우선적으로 합성되었다. 저온에서 합성된 Ti$_2$AlC 상은 고온에서 TiC와 반응으로 Ti$_3$AlC$_2$ 상으로 합성되었다. 본 연구에서는 출발 물질로 TiCx와 Al을 사용한 Ti$_3$AlC$_2$ 상의 합성기구를 제시하였다. 합성된 Ti$_3$AlC$_2$의 미세구조는 Ti$_3$AlC$_2$ 상으로 이루어진 결정립이 45~120nm크기로 적층된 구조를 갖는다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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