Traditionally, a L/C (letter of credit) has been known as a relatively low risk method of payment. This is why L/C has been used in international trade. However, L/C has a number of weak points such as high cost, long processing time, and complicated documents. Using an electronic L/C is one way to solve those weak points. In Korea, there are two types of electronic L/C. One is the EDI (Electronic Data Interchange) based L/C and the other one is the XML (Extensible Markup Language) based L/C. The former, established in 1990's, is sent from banks to the beneficiary solely through VAN (Value Added Network, KTNET) operators. On the other hand the latter, started in 2005, is sent from banks to KFTC (Korea Financial Telecommunications & Clearings Institute) for management of the L/C balance, as well as to KTNET. So far, paper L/C and EDI based L/C have been used overwhelmingly instead of XML based L/C in spite of the aforesaid disadvantages. In this paper, the authors examined empirically why the users of electronic L/C were reluctant to use XML based L/C. The results are as follows. First, the users of paper L/C were more dissatisfied than the users of electronic L/C due to many factors such as cost, the time required, and information reuse. Second, the users who have more experience with XML based L/C wanted to adopt integrated management with EDI based L/C more than the users who had not experienced XML based L/C. Third, the users who had used more than one form of L/C wanted to adopt integrated management to EDI and XML based L/C more than the users who had only used one form of L/C. Therefore, the authority for electronic L/C should consider a change of the policy from the XML based electronic L/C oriented to integrated management of the various types of L/C.
꿀벌 2종 Apis mellifera L.(서양종)와 Apis cerana F.(동양종)일벌의 안테나, 다리 그리고 날개의 표피 탄화수소를 용매추출을 거치지 않고 직접 GC와 GC/MS를 이용하여 분석 하였다. 동양종과 서양종 일벌의 세 부위에서 nC22, nC23, nC25-nC3O, nC32 그리고 nC34와 같은 포화탄화수소를 검출하였고 nC24의 경우는 어느 종에서도 발견되지 않았다. 전체 포화탄화수소 중 nC26(23.0-42.6%)과 nC28(16.8-54.8%)의 함량비율이 높았고 나머지 포화탄화수소의 함량은 상대적으로 낮은 비율을 나타냈다. 서양종 일벌의 경우, 안테나, 날개 그리고 다리 부위에서 분석한 표피탄화수소 중 nC30, nC32 그리고 nC34가 항상 높은 함량비율로, nC25가 낮은 함량비율로 검출됨으로써 동양종 일벌과 구별할 수 있었다.
The composites were fabricated, respectively, using 61vol.% SiC - 39vol.% TiB$_2$ and using 61vo1.% SiC - 39vo1.% WC powders with the liquid forming additives of 12wt% $Al_2$O$_3$+Y$_2$O$_3$ by pressureless annealing at 180$0^{\circ}C$ for 4 hours. Reactions between SiC and transition metal TiB$_2$, WC were not observed in this microstructure. The result of phase analysis of composites by XRD revealed SiC(6H), TiB$_2$ and YAG(Al$_{5}$Y$_3$O$_{12}$) crystal phase on the SiC-TiB$_2$, and SiC(2H), WC and YAG(Al$_{5}$Y$_3$O$_{12}$) crystal phase on the SiC-WC composites. $\beta$\$\longrightarrow$$\alpha$-SiC phase transformation was ocurred on the SiC-TiB$_2$, but $\alpha$\$\longrightarrow$$\beta$-SiC reverse transformation was not occurred on the SiC-WC composites. The relative density, the vicker's hardness, the flexural strength and the fracture toughness showed respectively value of 96.2%, 13.34GPa, 310.19Mpa and 5.53Mpaㆍml/2 in SiC-WC composites. The electrical resistivity of the SiC-TiB$_2$ and the SiC-WC composites is all positive temperature coefficient resistance(PTCR) in the temperature ranges from $25^{\circ}C$ to 50$0^{\circ}C$. 2.64${\times}$10-2/$^{\circ}C$ of PTCR of SiC-WC was higher than 1.645${\times}$10-3/$^{\circ}C$ of SiC-TiB$_2$ composites.posites.
소프트웨어 개발이 가속화되고 프로그램들이 기하급수적으로 복잡해짐에 따라 취약점을 줄이고, 관리하는 비용도 같이 증가하였다. 이러한 흐름에서, 기존의 C/C++ 와 같이 비교적 취약점을 내포하기 쉬운 언어를 대체하고 소프트웨어의 안정성을 높이기 위해서 제시된 것이 바로 Memory Safety를 보장하는 Rust 프로그래밍 언어이다. 하지만, 구식 언어들과의 호환성 및 개발의 편리함을 높이기 위해 C/C++로 작성된 라이브러리를 Rust에서도 사용할 수 있도록 지원하고 있는데, 이러한 다중 언어 환경에서는 Rust 또한 안전하지 않다. C/C++에서 발생한 메모리 오염이 Rust 내에서 Null-pointer 역참조, Use-After-Free 및 Buffer-overflow 문제 등을 발생시킬 수 있는 원인이 된다. 이를 해결하기 위해 여러 Rust-C/C++ 격리 연구가 진행되었으나, 아직 기초 단계이다. 본 논문에서는 선행 연구들을 분석하여 공통적으로 간과된 맹점들을 실제 코드 분석과 함께 소개하고, 이를 바탕으로 Rust와 C/C++간의 안전한 상호작용 모델 연구의 올바른 방향을 제시한다.
본 연구는 온도, 광세기 및 pH가 Chlorella vulgaris (C. vulgaris)의 증식률에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 각 조건에서의 효율을 평가하기 위하여 C. vulgaris (FC-16) ($3{\sim}8{\mu}m$)를 Jaworski's Medium에 증식시킨 뒤, 다양한 온도($10^{\circ}C$, $15^{\circ}C$, $20^{\circ}C$, $25^{\circ}C$, $30^{\circ}C$, $35^{\circ}C$)와 다양한 광세기($100{\sim}800{\mu}Em^{-2}s^{-1}$) 및 다양한 pH (3, 4, 5, 6, 7, 7.5, 9) 조건에서 실험하였다. 실험결과, $25{\sim}30^{\circ}C$ 조건에서는 $10^{\circ}C$ 조건과 비교 시 같은 양의 C. vulgaris를 증식하는데 걸리는 시간은 약 5.2~5.5배 빨랐고, Chlorophyll a는 5~5.5배 높았으며, 단위 면적당 cell volume은 14% 이상 높아 C. vulgaris 최적 배양온도는 $25{\sim}30^{\circ}C$로 조사되었다. C. vulgaris 배양기간의 경우, 증식속도가 5일까지는 느리게 증가했지만, 6일 이후부터 15일까지는 폭발적으로 증가했고, 15일 이후에는 거의 증식이 멈춰 15일 이내가 적당한 것을 알 수 있었다. C. vulgaris 증식을 위한 최적 pH는 pH 7~7.5로 조사되었다.
Communications for Statistical Applications and Methods
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제8권3호
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pp.697-709
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2001
In this paper we study two vector-valued process capability indices $C_{p}$=($C_{px}$, $C_{py}$ ) and C/aub pm/=( $C_{pmx}$, $C_{pmy}$) considering process capability indices $C_{p}$ and $C_{pm}$ . First, two asymptotic distributions of plug-in estimators $C_{p}$=($C_{px}$, $C_{py}$ ) and $C_{pm}$ =) $C_{pmx}$, $C_{pmy}$) are derived.. With the asymptotic distributions, we propose asymptotic confidence regions for our indices. Next, obtaining the asymptotic distributions of two bootstrap estimators $C_{p}$=($C_{px}$, $C_{py}$ )and $C_{pm}$ =( $C_{pmx}$, $C_{pmy}$) with our bootstrap algorithm, we will provide the consistency of our bootstrap for statistical inference. Also, with the consistency of our bootstrap, we propose bootstrap asymptotic confidence regions for our indices. (no abstract, see full-text)see full-text)e full-text)
한국 남해안(광양만, 진해만)에 서식하는 해산어의 장에서 Coitocoecum 속 흡충류 3종을 발견하여 기재하였다. C. orthorchis는 문절망둑(Acanthogobius flavimanus)에, C. latum은 망상어(Ditrema temmincki)에 그리고 C. glandulosum은 감성돔(Acanthopagrus schlegeli)의 장에 기생하고 있는 것으로 밝혀졌다. 이중 C. latum과 C. glandulosum은 한국 미기록종이었으며, 감성돔은 C. glandulosum의 새로운 종숙주로 밝혀졌다. 또한 C. acanthogobium과 C. koreanum은 C. orthorchis의 동종이명으로 분류하였다.
This paper describes the electrical characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin film diodes, in which poly 3C-SiC thin films on n-type and p-type Si wafers, respectively, were deposited by APCVD using HMDS, $H_{2}$, and Ar gas at $1150^{\circ}C$ for 3 hr. The schottky diode with Au/poly 3C-SiC/Si (n-type) structure was fabricated. Its threshold voltage ($V_{bi}$), breakdown voltage, thickness of depletion layer, and doping concentration ($N_{D}$) value were measured as 0.84 V, over 140 V, 61 nm, and $2.7{\times}10^{19}cm^{-3}$, respectively. Moreover, for the good ohmic contact, Al/poly 3C-SiC/Si (n-type) structure was annealed at 300, 400, and $500^{\circ}C$, respectively for 30 min under the vacuum condition of $5.0{\times}10^{-6}$ Torr. Finally, the p-n junction diodes fabricated on the poly 3C-Si/Si (p-type) were obtained like characteristics of single 3CSiC p-n junction diode. Therefore, poly 3C-SiC thin film diodes will be suitable for microsensors in conjunction with Si fabrication technology.
잣기름과 호도기름의 트리글리세리드 조성을 규명하기 위하여 HPLC의 Tri-analysis column을 사용 분석한 결과는 다음과 같다. 1. 잣기름중 트리글리세리드 조성은 총 14종이 함유되었으며 탄소수별로 확인된 종류가 10종이고, 미확인수는 4종이고, 그 포함 순서는 $C_{52}=31.55%,\;C_{44}=20.72%,\;C_{54}=17.52%,\;C_{34}=15.24%,\;C_{56}=12.50%$의 순으로 조성되어 있다. 2. 호도기름중 트리글리세리드 조성은 총 12종이 함유되어 있으며 탄소수별로 확인된 종류가 10종이고, 미확인된 종류는 2종이고, 그 포함 순서는 $C_{44}=38.66%,\;C_{52}=29.47%,\;C_{54}=16.53%,\;C_{34}=11.12%,\;C_{50}=1.51%$ 순으로 조성되어 있다.
This paper describes the physical characterizations of polycrystalline 3C-SiC thin films heteroepitaxially grown on Si wafers with thermal oxide, In this work, the 3C-SiC film was deposited by LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) method using single precursor 1, 3-disilabutane $(DSB:\;H_3Si-CH_2-SiH_2-CH_3)\;at\;850^{\circ}C$. The crystallinity of the 3C-SiC thin film was analyzed by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), XRD (X-ray diffraction) and FT-IR (fourier transform-infrared spectometers), respectively. The surface morphology was also observed by AFM (atomic force microscopy) and voids or dislocations between SiC and $SiO_2$ were measured by SEM (scanning electron microscope). Finally, residual strain was investigated by Raman scattering and a peak of the energy level was less than other type SiC films, From these results, the grown poly 3C-SiC thin film is very good crystalline quality, surface like mirror, and low defect and strain. Therefore, the polycrystalline 3C-SiC is suitable for harsh environment MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems) applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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