• 한국토양비료학회지
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• 제11권1호
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• pp.9-16
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• 1978

사과나무용 복합비료(複合肥料)의 합리적(合理的) 조성비(組成比)를 찾고자 사소첨가(硼素添加) 복비(複肥) 시제품(試製品)($N-P_2O_5-K_2O-B_2O_5-MgO$: 10-10-0.2-1.0)을 요소(尿素), 중과석(重過石), 염화가리(鹽和加里) 일반복비(一般複肥)(22-22-11)와 붕사(硼砂)를 사용(使用) 왜성(矮性)후지 일년생묘목(一年生苗木)과 수퍼타입스서크림슨 삼년생(三年生)을 비교적(比較的) 척박(瘠薄)한 삼개토양(三個土壤)에 주당총엽중(株當總葉重), 또는 주당신초장등(株當新稍長等) 생육량조사(生育量調査)로 실시(實施)하여 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 1. 후지에서는 붕소첨가(硼素添加) 복비(複肥)>일반복비(一船複肥)>삼요소단비(三要素單肥)>삼요소단비(三要素單肥)+붕소(硼素)>붕소첨가복비(硼素添加複肥)+붕소증시(硼素增施)(17배(培))>무인산(無燐酸)의 순(順)으로 효과가 적어졌다. 2. 스타크림슨 삼년생(三年生)은 붕소복비(硼素複肥)+붕소(硼素) 및 인산증시(燐酸增施)>붕소복비(硼素複肥)>일반복비(一般複肥)>단비(單肥)>붕소복비(硼素複肥)+(붕소증시)硼素增施>단비(單肥)+붕소(硼素)>무인산(無燐酸)의 순(順)이었으며 척박(瘠薄)한 토양(土壤)에 퇴비(堆肥)를 사용(使用)치 않으면 붕소증시(硼素增施)에서 극히 불량(不良)하고 단비붕소(單肥硼素)가 가장 좋고 붕소첨가(硼素添加) 복비(複肥)가 다음이었다. 3. 붕소(硼素)만 증시(增施)되면 생육(生育)이 불량(不良)하였으나 인산(燐酸)과 동시(同時)에 증시(增施)되는 경우 효과가 나타나고 토양중(土壤中)에 붕소(硼素)가 삼요소(三要素)와 동일(同一)한 위치(位置)에 분포(分布)할 때 효과가 좋은 것으로 추정(推定)되었다. 4. 사과나무에 대(對)한 시비반응(施肥反應)은 엽폭(葉幅)에는 없으며 엽장(葉長)에서 인정(認定)되고 엽당중량(葉當重量)에서 잘 반영되는 것으로 보아 시비효과지표로 표고신장량(標高伸長量), 간주장(幹周長) 간비대량(幹肥大量)보다도 주당신초장(株當新稍長) 및 주당총엽중(株當總葉重)이 좋을것으로 보였다. 5. 사과용 붕소첨가(硼素添加) 복비(複肥)의 조성(組成)은 10-10-10-0.2보다 10-20-10-0.6($N-P_2O_5-K_2O-B_2O_5$)이 척박지(瘠薄地) 및 중간비옥도지용(中間肥沃度地用)으로 좋을 것으로 보였다. 6. 엽분석결과(葉分析結果) 붕소첨복비중(硼素添加複肥中) Mg가 Fe와 함께 엽중증가(葉重增加)에 기여(寄與)한 것으로 보여 Mg 효과가 인정(認定)되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.432.2-432.2
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• 2016

A new A-D-A type (Acceptor-Donor-Acceptor) conjugated based on pyridine-borane complex (Donor), non-boron fluorine (Donor) and 2,5-bis(alkyl)-3,6-di(thiophen-2-yl)pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4(2H,5H)-dione (DPP) (Acceptor) were designed and synthesized via Pd-catalyzed Suzuki cross-coupling reaction. The synthesized boron based complex exhibited high electron affinity, which indicates deep HOMO energy levels and good visible absorption led to their use as donors in BHJ (bulk heterojunction) solar cells. Inverted devices were fabricated, reaching open-circuit voltage as high as 0.91eV. To probe structure-property relationship and search for design principle, we have synthesized pyridine-boron based electron donating small molecules. In this study, we report a new synthetic approach, molecular structure, charge carrier mobility and morphology of blended film and their correlation with the photovoltaic J-V characteristics in details.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권4호
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• pp.426-433
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• 1995

Effect of boron in GaAs have been investigated by photo induced current transient spectroscopy(PICTS). The starting material was undoped liquid encapsulated Czochralski(LEC) semi insulating GaAs and boron ion implantation at 150keV energy was conducted with dose of 10$\^$12/ and 10$\^$13/ions/cm$\^$2/. In ion implanted samples, the peaks related arsenic vacancy(V$\_$As/) were decreased but complex lattice defect was increased with annealing temperature. U band was observed at ion implanted(10$\^$13/ ions/cm$\^$2/) and thermally treated(550.deg. C) sample. More negative peak was detected after annealing at temperature between 600 and 700.deg. C. The measurement of dark current showed that the formation of B$\_$GA/-V$\_$As/, complex defect and complex lattice defect by ion implantation were a reasonable explanation for the decrease in dark current.

• 한국물환경학회지
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• 제21권3호
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• pp.236-241
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• 2005

The purpose of this study is to find out the source(s) and distribution of boron in Nak-dong River. In the year of 2002, the boron has been adopted as a toxic constituent for Korean drinking water standard. In this study, the analytical samples were collected at 11 stations in March, June, September and December 2002. These samples were analyzed by inductively coupled plasma-mass (ICP-MS) method. The recovery, relative standard deviation and method detection limit of the ICP-MS method for boron was $89{\sim}111.3%$, $2.21{\sim}3.81%$ and $5{\mu}g/L$, respectively. The distribution of boron was ranged $65{\sim}155{\mu}g/L$ in March, $26{\sim}125{\mu}g/L$ in June, $22{\sim}140{\mu}g/L$ in September and $50{\sim}162{\mu}g/L$ in December. The higher levels of boron were found at Kum-ho river nearby the industrial complex, which seemed to be greatly affected by domestic sewages and wastewater from the upper streams. Thus, the concentration of boron and that of other components showed strong statistical correlation in this area. In the Nak-dong River, industrial wastewater and domestic sewages is thought to be the sources of boron.

• 대한화학회지
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• 제35권5호
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• pp.534-538
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• 1991

흡착 분리 방법을 이용하여 고순도 삼염화실란(TCS) 중의 미량 붕소 농도를 분광광도법적으로 측정하는 방법을 제안하였다. TCS중의 붕소 화합물과 복합체를 잘 형성하고 황산-quinalizarin계 발색 시약에 잘 녹으며 측정시 간섭 효과를 나타내지 않는 Lewis 염기성 물질로 NaCl이 선택되었다. 이러한 흡착 분리 방법을 통해 TCS분석 도중에 실리카겔 및 기포가 생성되는 문제를 방지할 수 있었는데, 반도체급 TCS중의 붕소 농도는 ${\pm}$20%의 표준편차 범위내에서 6.1 ${\mu}$g/l로 측정되었다. 반면 NaCl로 붕소화합물을 제거시킨 정제된 TCS 중의 붕소 농도는 0.2 ${\mu}$g/l이어서 NaCl의 우수한 흡착 성능을 확인할 수 있었다. 또한 NaCl이 TCS 정제 중 붕소 제거에 효과적임을 다른 잘 알려진 흡착제들과 비교 분석하였다.

• 대한화학회지
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• 제39권4호
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• pp.288-293
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• 1995

chromotropic acid (1,8-Dihydroxynaphthalene-3,6-disulfonic acid)를 착화제로 이용한 붕소에 대한 분리 정량을 이온쌍 액체 크로마토그래피로 연구하였다. 이동상$(MeOH\; 61{\%},\;H_2O\;39{\%}$, 인산완충용액 pH=8.5)에 tetrabutylammonium bromide를 첨가하므로서 붕소-chromotropic acid 착물과 chromotropic acid를 poly(styrene-devinylbenzene) 역상컬럼(PRP-1, 15 $cm{\times}4.6$ mm i.d.) 상에서 분리할 수 있었으며, 또한 시료 용액중에 0.1 M의 tetrabutylammonium bromide를 첨가하므로 붕소와 chromotropic acid간의 착물형성을 촉진시켜 감도를 높일수가 있었다. 0.5~1000 ${\mu}g/L$ 농도범위에서 좋은 직선성을 나타내었고 검출 한계는 0.5 ${\mu}g/L$ (S/N=2)이었다. 제안된 방법으로 시판용 시약, $Na_2SO_4,\; NaOH,\; KCl$에 있는 미량의 붕소를 정량하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권12호
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• pp.2162-2190
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• 2007

The newly-developed Meerwein-Ponndorf-Verley (MVP) type reagents using aluminum, boron and other metals for reduction of organic functional groups such as carbonyl and epoxy compounds have been surveyed. highlighted and reviewed in this account are the appearance of new MPV type reagents and their application to the selective reduction of organic functions. Finally, this account emphasizes the distinct contrast in the reducing characteristics existed between metal hydride reagents and MPV reagents, and compares their usefulness in organic synthesis.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.700-704
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• 1998

In this paper, the optical properties of boron ion implanted GaAs were investigated by photoluminescence(PL) measurements. The implantations were preformed at room temperature with the energy of 150 eV. The range of implanted dose was $10^{12}~10^{15} ions/cm^2$. The boron implanted samples were annealed between $450^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$ for 20 minutes. The crystallinity of low dosed samples were increased with increasing annealing temperature up to $700^{\circ}C$ while that of the high dosed($10^{15} ions/cm^2$) was almost same. From the samples with dose of $10^{14}~10^{15} ions/cm^2$, two emission bands were observed at 1.438 eV (B1) and 1.459 eV (B2) after the thermal treatment. These emission bands seems to be attributed to the $B_{Ga}$-defect complex.

• 한국염색가공학회:학술대회논문집
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• 한국염색가공학회 2012년도 제46차 학술발표회
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• pp.71-71
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• 2012

To control luminescence emission property, a novel series of strong fluorescent fluorin-boron complexes were synthesized in higher yield. The resulting structural analysis was completed. Small molecules with a built-in fluorine-boron core structural architecture has been attracted considered attention as the key emissive elements due to the their good properties such as bipolar charge transport and high photo efficiency. Thus, new type of fluorine-boron(F-B) complexes are designed and prepared. Changing the substituent position on fluorophore ring provided a deep understanding on the relationship between structure and optical properties.

• 한국광물학회지
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• 제29권3호
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• pp.155-165
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• 2016

붕소가 포함된 다성분계 규산염 용융체의 원자 구조를 규명하는 것은 화산의 분화 양상을 포함한 다양한 지구화학적 과정의 원자 단위 기작을 밝히는데 중요하다. 붕소를 포함한 소듐 알루미노규산염 용융체의 붕소 및 알루미늄 주위의 원자 환경에 관한 자세한 정보는 수용액과 핵폐기물 유리(nuclear waste glasses)의 반응도(reactivity)에 대한 미시적인 설명을 제공한다. 본 연구에서는 붕소가 포함된 비정질 물질의 원자 구조 규명에 가장 적합한 고상 핵자기 공명 분광분석(solid-state nuclear magnetic resonance, solid-state NMR)을 이용하여 붕소의 함량이 비정질 소듐 보레이트($Na_2O-B_2O_3$)와 붕소를 포함한 다성분계 규산염 용융체[말린코아이트(malinkoite, $NaBSiO_4$)와 네펠린(nepheline, $NaAlSiO_4$)의 유사 이원계]의 원자 구조에 미치는 영향을 규명하였다. 비정질 소듐 보레이트의 $^{11}B$ MAS NMR 스펙트럼을 통해 붕소의 함량이 증가함에 따라 배위수가 3인 붕소($^{[3]}B$)가 증가한다는 것이 확인되었다. 비정질 말린코아이트와 네펠린의 유사 이원계의 $^{11}B$ MAS NMR 스펙트럼을 통해 $X_{Ma}$ [$=NaBSiO_4/(NaBSiO_4+NaAlSiO_4)$]가 증가함에 따라 배위수가 4인 붕소($^{[4]}B$)는 증가하는 반면 $^{[3]}B$는 감소하는 것이 관찰되었다. 다성분계 용융체의 $^{27}Al$ MAS NMR 실험 결과, 모든 조성의 용융체에서 배위수가 4인 알루미늄($^{[4]}Al$) 피크가 지배적으로 나타났다. 또한 네펠린 용융체에 붕소가 첨가되었을때 $^{[4]}Al$ 피크의 폭이 크게 감소하였고, 이는 붕소의 첨가가 네펠린 용융체 내의 알루미늄 주위의 구조적 위상학적 무질서도를 감소시킨다는 것을 지시한다. 붕소를 포함한 이원계 및 다성분계 비정질 물질의 $^{11}B$ MAS NMR 스펙트럼으로부터 시뮬레이션을 하여 붕소의 함량에 따른 붕소 원자 환경의 상대적인 존재비를 정량적으로 분석하였고, 이 결과는 붕소가 포함된 비정질 물질의 거시적 성질 변화에 대한 미시적 기작의 근원을 제시할 가능성을 보여준다.