In this study, we investigated whether the anhysteretic demagnetization process would be applicable to remove a complicated magnetization of a steel tube as a part of the experimental earlier study for a deperming of naval vessel. The magnetic tube used in this study was a 10cm-long and 1cm-diameter steel tube, and magnetized with a E-shape ferrite core to form a nonuniform magnetization in it. In the anhysteretic demagnetization process, a dc magnetic field applied along the longitudinal direction of the tube decreased from ${\pm}$3kA/m to zero-field with the step of ${\pm}$300A/m. At the same time, an ac bias magnetic field with the frequency of 60Hz and the field intensity of 300A/m was excited along the circumstantial direction of the tube. It was found that the anhysteretic process was useful to demagnetize a small-object like a steel tube from the experimental results showing the residual magnetization reduced over 90%.
The dynamic magnetostriction characteristics of an Fe-based nanocrystalline FeCuNbSiB alloy are investigated as a function of the dc bias magnetic field. The experimental results show that the piezomagnetic coefficient of FeCuNbSiB is about 2.1 times higher than that of Terfenol-D at the low dc magnetic bias $H_{dc}$ = 46 Oe. Moreover, FeCuNbSiB has a large resonant dynamic strain coefficient at quite low Hdc due to a high mechanical quality factor, which is 3-5 times greater than that of Terfenol-D at the same low $H_{dc}$. Based on such magnetostriction characteristics, we fabricate a new type of transducer with FeCuNbSiB/PZT-8/FeCuNbSiB. Its maximum resonant magnetoelectric voltage coefficient achieves ~10 V/Oe. The ME output power reaches 331.8 ${\mu}W$ at an optimum load resistance of 7 $k{\Omega}$ under 0.4 Oe ac magnetic field, which is 50 times higher than that of the previous ultrasonic-horn-substrate composite transducer and it decreases the size by nearly 86%. The performance indicate that the FeCuNbSiB/PZT-8/FeCuNbSiB transducer is promising for application in highly efficient magnetoelectric energy conversion.
고감도의 자기임피던스센서를 구현하기 위해서 아몰퍼스리본을 리소그래피와 습식에칭을 통하여 미안더패턴으로 미소가공하고 임피던스의 외부자계의존성을 조사하였다. 센서의 임피던스는 외부자계 약 13 Oe 부근에서 가장 큰 값을 나타내었고, 약 170%의 변화율을 나타내었다. 선형성과 감도가 확보될 수 있는 외부자계영역(6 Oe부근)에서의 임피던스의 변화를 평가해 보면 약 36%의 단위자계당 임피던스 변화율을 확보할 수 있음을 알 수 있다. 제작한 센서패턴과 센서를 구동하기 위해서 제작된 구동회로를 이용하여 약 $10^{-3}$ Oe의 미약자계를 측정할 수 있다는 것을 알 수 있었다.
목적: RF Coil sensitivity 또는 MRI system의 여러 요인들로 인해서 생길 수 있는 영상의 Bias field 즉, 유난히 밝거나 어두운 부분을 raw data 의 low frequency 값들을 임의로 변화를 줌으로써 어느 정도 보정이 가능하다. 대상 및 방법: Bias field로 인해서 분석에 어려움이 있는 이미지의 k-space 데이터를 가지고 있으면 부위에 상관없이 모두 가능하다. k-space에서 얻어진 raw data를 Kx와 Ky의 2-D로 표현한 후에 DC 성분에 해당하는 영점을 그대로 놔둔 상태에서 영점 주변으로 일정 범위 안에 있는 low frequency 성분 값들을 FT(Fourier Transform)를 거치기 전에 0으로 바꾼 후에 image processing을 거치도록 한다.
고감도 바이오센서용 거대자기저항-스핀밸브(Giant magnetoresistance-spin valve; GMR-SV) 박막소자의 미세패턴 공정으로 인한 교환결합력과 보자력 약화 문제를 해결하고자 전자사이크로트론 공명(Electron Cyclotron Resonance) Ar-이온 밀링을 이용하여 GMR-SV 박막에 지름 $35{\mu}m$인 원형 모양의 홀(Hole)을 패턴닝 하였다. GMR-SV를 4-단자법으로 측정한 자기저항 곡선으로부터 홀 개수가 많아질수록 자기저항비와 자장감응도는 홀이 없을 때 측정된 초기값과 같은 값을 유지하였고, 교환결합세기와 보자력은 120 Oe에서 190 Oe, 10 Oe에서 41 Oe로 크게 향상되었다. 이러한 현상은 GMR-SV 박막내의 자화용이축과 같은 방향을 띄고 센싱 전류의 방향과 수직인 공간에 위치하는 용이 자구영역(Easy magnetic domain; EMD)의 역할에 기인하는 결과를 보여주었다. GMR-SV 바이오 소자 제작시 폭을 넓게 하고 소자내부에 홀의 개수를 증가시켜 발생하는 EMD 효과가 자기저항특성을 향상시킬 수 있었다.
Thin films of diamond-like carbon(DLC) have been deposited using a magnetron plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) method with an rf(13.56 MHz) plasma of $C_{3}H_{8}$. From the Langmuir probe I-V characteristics, it can be observed that increasing the magnetic field yields an increase of the temperature($T_e$) and density($N_e$) of electron. At a magnetic field of 82 Gauss, the estimated values of $T_e$ and $N_e$ are approximately $1.5\;{\times}\;10^5$ K(13.5 eV) and $1.3\;{\times}\;10^{11}\;cm^{-3}$, respectively. Such a highly dense plasma can be attributed to the enhanced ionization caused by the cyclotron motion of electrons in the presence of a magnetic field. On the other hand, the negative dc self-bias voltage($-V_{sb}$) decreases with an increasing magnetic field, which is irrespective of gas pressure in the range of $1{\sim}7$ mTorr. This result is well explained by a theoretical model considering the variation of $T_e$. Deposition rates of DLC films increases with a magnetic field. This may be due to the increased mean free path of electrons in the magnetron plasma. Structures of DLC films are examined by using various techniques such as FTIR and Raman spectroscopy. Most of hydrocarbon bonds in DLC films prepared consist of $sp^3$ tetrahedral bonds. Increasing the rf power leads to an enhancement of cross-linking of carbon atoms in DLC films. At approximately 140 W, the maximum film density obtained is about 2.4 $g/cm^3$.
This work is the attempt to give qualitative explanations to complex magnetic phenomena which are observed in the previously proposed magnetostrictive sensor capable of ultrasonic waves and rotational speed measurement. The law of approach is adopted as analysis tool in order to account for some extraordinary output patterns and proved to be effective. The distance between the anhysteretic curve current magnetic state and the variation of anhysteretic curve by stress mainly determine the sensor output shapes and their uniqueness. It is also experimentally verified that the precisely determined bias magnetic field strength can not only remove the unusual output parts but also maximize its sensitivity.
We have studied magnetic and transport properties of NbN/FeN/Cu/FeN/FeMn spin-valve structure. In-plane magnetic moment exhibited typical hysteresis loops of spin valves in the normal state of NbN film at 20 K. On the other hand, the magnetic hysteresis loop in the superconducting state exhibited more complex behavior in which exchange bias provided by antiferrmagnetic FeMn layer to adjacent FeN layer was disturbed by superconductivity. Because of this, the ideal superconducting spin-valve effect was not detected. Instead the stray field originated from unsaturated magnetic states dominated the transport properties of NbN/FeN/Cu/FeN/FeMn multilayer.
This paper proposes the improvement of the etch rate of GaN using a magnetized inductively coupled $CH_4/H_2/Ar$plasma. The gradient magnetic field with the axial direction is investigated using Gauss-meter and the ion current density is measured using double Langmuir probe. The applied magnetic field changes the ion current density profile in the radial direction, resulting in producing the higher density in the outer region than in the center. GaN dry etching process is carried out based on the measurements of the ion current density. The each rate of 2000 /min is achieved with $CH_4/H_2/Ar$ chemistries at 800 W input power, 250W rf bias power, 10 mTorr pressure and 100 gauss magnetic field.
Kim, Miryeon;Lim, Hyein;Ahn, Sora;Lee, Seungjun;Shin, Hyungsoon
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제13권6호
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pp.556-561
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2013
Interest in spin-torque oscillators (STOs) has been increasing due to their potential use in communication devices. In particular the magnetic tunnel junction-based STO (MTJ-STO) with high perpendicular anisotropy is gaining attention since it can generate high output power. In this paper, a circuit-level model for an in-plane magnetized MTJ-STO with partial perpendicular anisotropy is proposed. The model includes the perpendicular torque and the shift field for more accurate modeling. The bias voltage dependence of perpendicular torque is represented as quadratic. The model is written in Verilog-A, and simulated using HSPICE simulator with a current-mirror circuit and a multi-stage wideband amplifier. The simulation results show the proposed model can accurately replicate the experimental data such that the power increases and the frequency decreases as the value of the perpendicular anisotropy gets close to the value of the demagnetizing field.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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