• 제목/요약/키워드: Bias Magnetic Field

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자화된 플라즈마의 특성 및 식각에의 응용 (The characteristics of Magnetized plasma and its applications to Etching)

  • 신경섭;이호준;황기웅
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1993년도 정기총회 및 추계학술대회 논문집 학회본부
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    • pp.261-263
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    • 1993
  • The effects of the magnetic field and gas pressure on the etching characteristics were investigated in the axial magnetic field enhanced RIE system. This system has many advantages compared with the conventional RIE system ; the capability of operating at low pressure, low self-bias voltage, high electron density and high etch rate in the low pressure, but also has disadvantages such as the nonconformity of plasma density which intensifies as the magnitude of magnetic field increases. To overcome this problem we made some grooved anode and tried to find the optimal pressure and B-field strength.

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Effects of the Hard-Biased Field on the Magnetic and Magnetoresistive Properties of a Crossed Spin-Valve Bead by Computer Simulation

  • S. H. Lim;K. H. Shin;Kim, K. Y.;S. H. Han;Kim, H. J.
    • Journal of Magnetics
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    • 제5권1호
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    • pp.19-22
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    • 2000
  • The effects of a hard-biased Held on the magnetic and magnetoresistive properties of a crossed spin-valve head are investigated by computer simulation with particular emphasis on the asymmetry of the output signal. The spin-valve considered in this work is NiMn (25 nm)/NiFe (2.5 m)/Cu (3 nm)/NiFe (5.5 m), with a length of 1500 m and a width of 600 nm. A simple model is used where each magnetic layer consists of a single domain, and the magnetoresistance is a function of the angle between the magnetization directions of the two magnetic layers. The ideal crossed spin-valve structure is not realized with the present model and magnetic parameters, but the deviation from ideality is decreased by the hard-biased field. This results in the improvement of the linearity of the output signal with the use of the bias field. The magnetoresistance ratio and magnetoresistive sensitivity, however are reduced. The magnetic properties including the magnetoresistance are found to be strongly affected by magnetostatic interactions, particularly the inter-layer magnetostatic field.

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CoFe/MnIr 박막 재료에서 저자장 마이크로파 흡수 특성 분석 (Analysis of Low Field Microwave Absorption Properties in CoFe/MnIr Thin Film)

  • 김동영;윤석수
    • 한국자기학회지
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    • 제25권3호
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    • pp.74-78
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    • 2015
  • 본 연구에서는 교환 결합력을 갖는 CoFe/MnIr 박막 재료에서 강자성 공명 장치를 이용하여 자기장 방향에 따른 저자장 마이크로파 흡수(Low field microwave absorption, LFMA) 및 강자성 공명 신호를 측정하였다. 낮은 자기장 영역에서 나타나는 LFMA 신호는 자구의 회전 밀접하게 관계됨을 자화 곡선으로부터 알 수 있었다. 이러한 LFMA 신호 특성을 분석하기 위하여 강자성 공명 신호로부터 측정한 교환 바이어스($H_{ex}$ = 58.5 Oe) 및 일축 이방성 자기장($H_k$ = 30Oe)을 S-W model에 적용하여 자화과정의 횡방향 자화량(transverse magnetization, $M_{\tau}$) 및 투자율(transverse susceptibility, ${\mu}_{\tau}$)을 계산하였다. 자화 곤란축에서 측정된 LFMA 신호는 $M_{\tau}$ 비례하는 경향을 보였지만, 자화 곤란축과 수직 방향으로 접근하면 $M_{\tau}$${\mu}_{\tau}$ 모두에 의존하는 특성을 보였다.

FCVA 방법에 의한 DLC 박막의 제작에 관한 연구 (A study on the deposition of DLC thin films by using an FCVA technique)

  • 이해승;엄현석;김종국;최병룡;박진석
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1379-1382
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    • 1997
  • Diamond-like carbon(DLC) thin films are produced by using a filtered cathodic vacuum arc(FCVA) deposition system. Different magnetic components, namely steering, focusing, and filtering plasma-optic systems, are used to achieve a stable arc plasma and to prevent the macroparticles from incorporating into the deposited films. Effects of magnetic fields on plasma behavior and film deposition are examined. The carbon ion energy is found to be varied by applying a negative (accelerating) substrate bias voltage. The deposition rate of DLC films is dependent upon magnetic field as well as substrate bias voltage and at a nominal deposition condition is about $2{\AA}/s$. The structural properties of DLC films, such as internal stress, relative fraction of tetrahedral($sp^3$) bonds, and surface roughness have also been characterized as a function of substrate bias voltages and partial gas($N_2$) pressures.

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RELATIONSHIP BETWEEN STATIC AND DYNAMIC MAGNETORESISTANCE BEHAVIOR OF METALLIC ARTIFICIAL SUPERLATTICES

  • Song, Yong-Jin;Joo, Seung-Ki
    • 한국자기학회지
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    • 제5권5호
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    • pp.567-569
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    • 1995
  • By using the ac field source which can change the applied field magnitude, frequency and dc offset field, the dynamic magnetoresistance characteristics of permalloy based multilayers which have different R-H(resistance-magnetic field) curves were monitored and compared with static magnetoresistance curves that were measured with electromagnet of VSM. Output of each sample according to the external field strength was identified and optimum bias position could be obtained.

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자화된 헬리칼 공진기 플라즈마 소스를 이용한 고선택비 산화막 식각에 관한 연구 (A study on the high selective oxide etching using magnetized helical resonator plasma source)

  • 이수부;임승완;이석현
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제48권5호
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    • pp.309-314
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    • 1999
  • The magnetized helical resonator plasma etcher has been built. Electron density and temperature were measured as functions of rf source power, axial magnetic field, and pressure. The results show electron density increases as the magnetic field increases and reached $2\times1012cm^{-3}$,/TEX>. The oxide etch rate and selectivity to polysilicon were investigated as the above mentioned conditions and self-bias voltage. We can obtain the much improved oxide etch selectivity to polysilicon (60 : 1) by applying the external axial weak magnetic field in magnetized helical resonator plasma etcher.

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자기 저항 헤드의 이중 자기 교환 바이어스를 위한 $NiFe/TbCo/Si_3N_4$ 박막제조 (Magnetoresistive heads with dual exchange bias using $NiFe/TbCo/Si_3N_4$ thin films)

  • 김영채;오장근;조순철
    • 한국자기학회지
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    • 제4권3호
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    • pp.239-243
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    • 1994
  • NiFe와 TbCo의 게면에서의 자기 교환 결합을 이용하여 자기 저항 소자에 수평 및 수직 바이어스 자장을 제공할수 있도록 $NiFe/TbCo/Si_3N_4$ 박막을 제조하였다. Tb의 면적비가 36 %이고, 기판 바이어스를 인가하지 않았을때 100~180 Oe의 교환 자장을 얻을 수 있었다. NiFe, TbCo, 그리고 보호막으로 사용되는 $Si_3N_4$ 각층의 두께는 각각 $470\;{\AA},\;2400\;{\AA},\;600\;{\AA}$ 이었다. NiFe를 1000 W의 전력과 2.5 mTorr의 아르곤 압력에 제작한 시편에서 1.45 %의 자기 저항 변화율을 얻을 수 있었다. 미세 소자로 제작된 NiFe의 자기 저항 변화율은 1.31 %로 감소 하였으며, 감자화 자장의 영향으로 박막이 완전히 포화되지 못한 곡선을 보였다. 150 Oe의 교환 자 장을 갖는 박막을 자화 용이 방향과 $36^{\circ}$의 각도로 소자를 제작한 결과 약 85 Oe 정도의 자기 저항 응답 곡선의 천이를 보였으며, 소자의 동작점이 응답의 선형 구간으로 이동하였다. 또한 Barkhausen 잡음이 교환 자장에 의한 수평 바이어스에 의하여 제거되었다.

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Ni/Cu 인공초격자에서 NiFeCo 및 NiFe 계면 삽입층이 거대자기저항 거동에 미치는 영향 (Effects of NiFeCo of NiFe Insertion Layers on the Giant Magnetoresistance Behavior of Ni/Cu Artificial Superlattice)

  • 송용진;주승기
    • 한국자기학회지
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    • 제5권6호
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    • pp.963-967
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    • 1995
  • Ni/Cu 인공초격자의 계면에 얇은 NiFeCo와 NiFe층을 삽입시 Ni/Cu 인공초격자의 자기 저항 거동에 미치는 영향에 관해 연구하였다. NiFe층이 Ni/Cu 인공초격자의 계면에 삽입된 경우 6%의 자기저항과 50 Oe의 포화자장을 보였으며 이때의 자기저항곡선은 hysteresis를 거의 보이지 않았다. NiFeCo층이 삽입된 경우는 자기저항값은 7%를 보였으나 포화자장과 hysteresis가 많이 증가하였다. 교류자장원을 이용한 동적자기저항을 측정한 결과 bias 자장하에서 자기저항의 증가폭이 NiFe층을 삽입한 경우가 NiFeCo를 삽입한 경우보다 컸으며 이는 hysteresis가 작았기 때문으로 해석된다.

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(Pd/Co)N/FeMn 다층막에서의 교환바이어스 수직자기이방성과 열적안정성 (Exchange Bias Perpendicular Magnetic Anisotropy and Thermal Stability of (Pd/Co)N/FeMn Multilayer)

  • 주호완;안진희;김보근;김선욱;이기암;황도근;이상석
    • 한국자기학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.127-130
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    • 2004
  • 본 연구는 (pd/Co)$_{N}$FeMn 구조의 다층박막을 dc 마그네트론 스퍼터링 시스템으로 증착하여 교환결합된 수직이방성에 대한 자기적 특성과 열적안정성을 조사하였다. 반강자성 FeMn 두께를 0-2lnm에서 변화시키면서 측정한 결과 Ta(1.9 nm)/(Pd(0.8nm)/Co(0.8nm)$_{5}$Mn(15nm)/Ta(1.9nm)에서 127 Oe교환바이어스세기(exchange biasing field: H$_{ex}$)를 얻었다. 그리고 이 구조에서 열적 안정성을 조사하기 위하여 온도 변화에 따른 H$_{ex}$변화를 확인한 결과, 24$0^{\circ}C$까지는 H$_{ex}$가 115 Oe에서 195 Oe까지 증가하였고, 그 이후 33$0^{\circ}C$에서 교환 결합된 수직자기이방성 곡선이 사라지는 것을 관찰하였다.

Perpendicular Exchange Bias and Thermal Stability of [Pd/Co]N/FeMn Films

  • Joo, H.W.;Kim, S.W.;An, J.H.;Choi, J.H.;Lee, M.S.;Lee, K.A.;Hwang, D.G.;Lee, S.S.
    • Journal of Magnetics
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    • 제10권1호
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    • pp.33-35
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    • 2005
  • Perpendicular magnetization curves and crystal textures of $[Pd(0.8 nm)/Co(0.8 nm)]_5/FeMn$ multilayers having an exchange-biased perpendicular magnetic anisotropy as a function of FeMn thickness and annealing temperature were measured. As FeMn thickness increases from 0 to 21 nm, the perpendicular exchange biasing field ($H_{ex}$) obtained the maximum value of 130 Oe at FeMn thickness 12 nm. As the annealing temperature increases to $240^{\circ}C$, the Hex increased from 115 Oe to 190 Oe and the exchange-biased perpendicular magnetic anisotropy disappeared at $330^{\circ}C$.