• 한국재료학회지
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• 제9권4호
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• pp.349-354
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• 1999

Dopant를 첨가하지 않은 시료와 donor dopant로 $CdI_2$를 첨가한 $Bi_2Te_3-10%$ 단결정을 Bridgman법으로 성장시키고 Hall 계수, 전하이동도, 전기비저향, Seebeck 계수, 열전도도 빛 성능지수를 77~600K의 온도범위에서 측정하였다. Dopant를 첨가하지 않은 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ 단결정에서 포화정공농도는 $5.85\times10_{18}cm^{-3}$ 이고 degenerate 온도는 127K 이었￡며, 전하 이동에 대한 산란인자는 -0.23 이고 전자이동도와 정꽁이동도의 비 ($\mu_e/\mu_h)$는 1.45 이었다. 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Te_3$ 단결정의 OK 에서의 밴드갭 에너지는 0.200 eV 로서 $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$계 단결정에서눈 $Bi_2Se_3$의 놓도가 증가할수록 밴 드갭 에너지가 증가하였다. Donor dopant로 $CdI_2$를 첨가한 90% $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ 조성의 n형 단결정에서 성능지수의 최대값은 $CdI_2$를 0.05 wt% 첨가한 경우에 약 230K에서 $3.2\times10^{-3}/K$를 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제21권4호
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• pp.97-103
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• 2014

다양한 무연솔더합금 가운데 Sn-58Bi solder는 저융점이며 상대적으로 높은 인장강도를 갖고 있지만 취성적이라는 단점을 갖고 있다. 이러한 Sn-58Bi 솔더의 기계적 강도를 보완하기 위해 epoxy를 함유한 Sn-58Bi 솔더가 연구되어져왔다. 본 연구는 Sn-58Bi 솔더와 Sn-58Bi 에폭시 복합솔더를 이용하여 PCB 기판에 접합한 후, 시효처리에 따른 솔더/기판 계면 미세구조와 기계적 특성변화를 연구하였다. OSP 표면처리된 PCB 기판에 솔더볼을 형성 한 후 85, 95, 105, $115^{\circ}C$에서 100~1000 시간동안 시효처리하였으며, 기계적 특성평가로 저속전단시험을 진행하였다. 시효 처리 시간 및 온도의 증가에 따라 Cu6Sn5 금속간화합물층은 성장하였으며 Sn-58Bi 솔더 금속간화합물층이 Sn-58Bi 에폭시 복합솔더보다 두꺼웠다. 전단시험 결과, Sn-58Bi 에폭시 복합솔더가 Sn-58Bi 솔더보다 약 2배 높은 전단강도 값을 나타냈으며 시효시간이 증가할수록 전단강도 값은 감소하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.615-618
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• 2003

동시 성막법에 의한 저속 성장으로 Bi 2201 및 Bi 2212 박막을 제작하였다. Bi 2212의 조성이 되도록 각 원소를 공급하고 기판 온도 및 산화 가스 압력을 변화시켜 성막을 한 결과 낮은 기판 온도에서는 Bi 2201의 단상이 생성되었으며 75$0^{\circ}C$ 이상이 되면 Bi 2212 상이 생성되었다. 이 중간 온도 영역에서는 Bi 2212와 Bi 2201의 고용체가 생성되고 있음을 해석하였다. 순차 성막법에서 생성막을 평가한 결과 성막이 이루어지고 있는 박막의 가장 표면은 목적 조성으로부터 벗어난 상태에 있으며 결정 구조의 전하 중성 조건을 예상한 곳의 표면은 불안정하다는 것을 알 수 있었다. Bi 2201 상이 생성된 막에서도 순차 성막 과정에 의한 막 생성이라기보다는 오히려 박막 내부에서의 원자 확산 과정에 의해 생성된 것으로 생각된다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제6권3호
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• pp.276-279
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• 2000

Ferroelectric properties of $SrBi_2TaNbO_9$ (SBTN) thin films were changed by the amount of Bi content in SBTN. We suggested that the addition of excess Bi into the films could be accomplished by heat-treating $SBTN/Bi_2O_3/SBTN$ heterostructure fabricated by r.f. magnetron sputtering method. Excess Bi composition was controlled by the thickness of the sandwiched $Bi_2O_3$ from 0 to $400\;\AA$. When the SBTN thin films were inserted by $400\;{\AA}\;Bi_2O_3$ layer, $Bi_2Pt$ phase was formed as a second phase in SBTN films, resulting in poor ferroelectric properties. The onset temperature for hysteresis loop can be reduced by heat treating $SBTN/Bi_2O_3/SBTN$ heterostructure. The films with $SBTN/Bi_2O_3(100\;{\AA})/SBTN$ hetero-structure followed by annealing at $650^{\circ}C$ for 30 min show 2Pr and Ec of $5.66\;{\mu}C/\textrm{cm}^2$ and 54 kV/cm, respectively.

• 한국재료학회지
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• 제24권2호
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• pp.116-122
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• 2014

$Bi_2Sr_2CaCu_2O_x$(Bi-2212) and $Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y$(Bi-2223) high-Tc superconductors(HTS) have been manufactured by plasma spraying, partial melt process(PMP) and annealing treatment(AT). A Bi-2212/2223 HTS coating layer was synthesized through the peritectic reaction between a 0212 oxide coating layer and 2001 oxide coating layer by the PMP-AT process. The 2212 HTS layer consists of whiskers grown in the diffusion direction. The Bi-2223 phase and secondary phase in the Bi-2212 layer were observed. The secondary phase was distributed uniformly over the whole layer. As annealing time goes on, the Bi-2212 phase decreases with mis-orientation and irregular shape, but the Bi-2223 phase increases because a new Bi-2223 phase is formed inside the pre-existing Bi-2212 crystals, and because of the nucleation of a Bi-2223 phase at the edge of Bi-2212 crystals by diffusion of Ca and Cu-O bilayers. In this study the spray coated layer showed superconducting transitions with an onset Tc of about both 115 K, and 50 K. There were two steps. Step 1 at 115 K is due to the diamagnetism of the Bi-2223 phase and step 2 at 50 K is due to the diamagnetism of the Bi-2212 phase.

• East Asian mathematical journal
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• 제24권2호
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• pp.145-149
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• 2008

From the notion of bi-ideals in near-rings, various generalizations of regularity conditions have been studied. In this paper, we generalize further the notion of bi-ideals and introduce the notion of weak bi-ideals in near-rings and obtain some characterizations using this concept in left self distributive near-rings.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2000년도 추계학술대회논문집
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• pp.108-111
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• 2000

Bi2212 and Bi2223 thin films are fabricated by ion beam sputtering method. Three phases of Bi2201, Bi2212 and Bi2223 appear as stable ones in spite of the condition for thin film fabrication of Bi2212 and bi2223 compositions, depending on substrate temperature(T$\sub$sub/) and ozone pressure (PO$_3$). It is found out that these phases show similar T$\sub$sub/ and PO$_3$dependence, and that the stable regions of these phases are limited within very narrow temperature.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.308-311
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• 2001

Bi-2212 and Bi-2223 thin films are prepared by IBS(ion beam sputtering) technique. Three phases of Bi-2201, Bi-2212 and Bi-2223 appear as stable ones in spite of the conditions for thin film fabrication of Bi-2212 and Bi-2223 compositions, depending on substrate temperature($T_{sub}$) and ozone pressure( $PO_3$ ). It is found out that these phases show similar $T_{sub}$ and $PO_3$ dependence, and that the stable regions of these phases are limited within very narrow temperature.

• 한국분말재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.6-11
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• 2000

Two kinds of Bi2Te3 powders, pure Bi2Te3/2vol.%ZrO2, have been prepared by a mechanical grinding process process. Effect of mixing of the powders on thermoelectric of the sintered body has been investigated by measuring Seebeck Coeffcient, specific electric resistivity and thermal conductivity. With an increase in the weight fraction of the Bi2Te3/2vol.%ZrO2 powder from 0 to 40wt.%. Especially, the figure of merit of the mixedBi2Te3 sintered body increases and thereafter dedreases above 40wt.%. Especially. the figure of merit of the mixed Bi2Te3 sintered bodies with mixing of Bi2Te3/2vol.%ZrO2 powder increased about 1.3time in comparison with the value of the specimen before mixing. Mixing of two kinds of Bi2Te3 powders which have different theramal and electric propertries with each other seemed to be useful methob to increase the figure of merit of Bi2Te3 sintered body.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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• pp.39-42
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• 2004

Bi-2212 and Bi-2223 thin films are prepared by IBS(ion beam sputtering) technique. Three phases of Bi-2201, Bi-2212 and Bi-2223 appear as stable ones in spite of the conditions for thin film fabrication of Bi-2212 and Bi-2223 compositions, depending on substrate temperature(Tsub) and ozone pressure(PO3). It is found out that these phases show similar Tsub and PO3 dependence, and that the stable regions of these phases are limited within very narrow temperature.