Silicon nitride ($Si_3N_4$) is regarded as one of the most promising materials for high temperature structural applications due to its excellent mechanical properties at both room and elevated temperatures. However, one high-temperature $Si_3N_4$ material intended for use in radomes has a relatively high dielectric constant of 7.9 - 8.2 at 8 - 10 GHz. In order to reduce the dielectric constant of the $Si_3N_4$, an in-situ reaction process was used to fabricate $Si_3N_4-SiO_2$-BN composites. In the present study, an in-situ reaction between $B_2O_3$ and $Si_3N_4$, with or without addition of BN in the starting powder mixture, was used to form the composite. The in-situ reaction process resulted in the uniform distribution of the constituents making up the composite ceramic, and resulted in good flexural strength and dielectric constant. The composite was produced by pressure-less sintering and hot-pressing at $1650^{\circ}C$ in a nitrogen atmosphere. Microstructure, flexural strength, and dielectric properties of the composites were evaluated with respect to their compositions and sintering processes. The highest flexural strength (193 MPa) and lowest dielectric constant (5.4) was obtained for the hot-pressed composites. The strength of these $Si_3N_4-SiO_2$-BN composites decreased with increasing BN content.
Genes that are expressed early in specific response to high salinity conditions were isolated from rapeseed plant (Brassica napus L.) using an mRNA differential display method. Five PCR fragments (DD1.5) were isolated that were induced by, but showed different response kinetics to, 200 mM NaCl. Nucleotide sequence analysis and homology search revealed that the deduced amino sequences of three of the five cDNA fragments showed considerable similarity to those of ${\beta}$-mannosidase (DD1), tomato Pti-6 proteins (DD5), and the tobacco harpin-induced protein hin1 (DD4), respectively. In contrast, the remaining clones, DD3 and DD2, did not correspond to any substantial existing annotation. Using the DD3 fragment as a probe, we isolated a full-length cDNA clone from the cDNA library, which we termed BnSWD1 (Brassica napus salt responsive WD40 1). The predicted amino-acid sequence of BnSWD1 contains eight WD40 repeats and is conserved in all eukaryotes. Notably, the BnSWD1 gene is expressed at high levels under salt-stress conditions. Furthermore, we found that BnSWD1 was upregulated after treatment with abscisic acid, salicylic acid, and methyl jasmonate. Our study suggests that BnSWD1, which is a novel WD40 repeat-containing protein, has a function in salt-stress responses in plants, possibly via abscisic acid-dependent and/or -independent signaling pathways.
In this study, TiN-coated cBN (cubic-structure boron nitride) powders were successfully synthesized by a sol-gel method using titanium (IV) isopropoxide (TTIP) and by controlling the heat treatment conditions. After the sol-gel process, amorphous nano-sized TiOx was uniformly coated on the surface of cBN powder particles. The obtained TiOx-coated cBN powders were heated at 1,000~1,300℃ for 1 or 6 h in a flow of 95%N2-5%H2 mixed gas. With increasing temperature, the chemical composition of the TiOx coating layer changed in the order of TiO2→Ti6O11→Ti4O7→TiN due to reduction of the Ti ions. The TiN coating layer was observable in the samples heated at 1,200℃ and appeared as the main phase in the sample heated at 1,300℃. The resulting thickness of the TiN coating layer of the sample heated at 1,300℃ was approximately 45~50 nm.
Silicon (Si) wafer was grown by using direct growth from Si melt and contaminations of wafer during the process were investigated. In our process, BN was coated inside of all graphite parts including crucible in system to prevent carbon contamination. In addition, coated BN layer enhance the wettability, which ensures the favorable shape of grown wafer by proper flow of Si melt in casting mold. As a result, polycrystalline silicon wafer with dimension of $156{\times}156$ mm and thickness of $300{\pm}20$ um was successively obtained. There were, however, severe contaminations such as BN and SiC on surface of the as-grown wafer. While BN powders were easily removed by brushing surface, SiC could not be eliminated. As a result of BN analysis, C source for SiC was from binder contained in BN slurry. Therefore, to eliminate those C sources, additional flushing process was carried out before Si was melted. By adding 3-times flushing processes, SiC was not detected on the surface of as-grown Si wafer. Polycrystalline Si wafer directly grown from Si melt in this study can be applied for the cost-effective Si solar cells.
Much attention has been paid to thermally conductive materials for efficient heat dissipation of electronic devices to maintain their functionality and to support lifetime span. Hexagonal boron nitride (h-BN), which has a high thermal conductivity, is one of the most suitable materials for thermally conductive composites. In this study, we synthesize h-BN nanocrystals by pyrolysis of cost-effective precursors, boric acid, and melamine. Through pyrolysis at $900^{\circ}C$ and subsequent annealing at $1500^{\circ}C$, h-BN nanoparticles with diameters of ~80 nm are synthesized. We demonstrate that the addition of small amounts of Eu-containing salts during the preparation of melamine borate precursors significantly enhanced the crystallinity of h-BN. In particular, addition of Eu assists the growth of h-BN nanoplatelets with diameters up to ~200 nm. Polymer composites containing both spherical $Al_2O_3$ (70 vol%) and Eu-doped h-BN nanoparticles (4 vol%) show an enhanced thermal conductivity (${\lambda}{\sim}1.72W/mK$), which is larger than the thermal conductivity of polymer composites containing spherical $Al_2O_3$ (70 vol%) as the sole fillers (${\lambda}{\sim}1.48W/mK$).
뇌의 허혈-재관류 손상에 있어서 혈소판 활성인자 (PAF, platelet activating factor)의 관련을 증명하기 위하여 흰쥐와 생쥐에서 양측 총경동맥을 10분간 결찰하고 그후 6시간동안 재관류시켜 허혈-재관류 손상을 야기시켰다. 생쥐에 PAF 길항제인 BN52021과 CV6209 (각각 1 mg/kg, i.p.)를 총경동맥결찰 10분전 또는 재관류 시작 1시간 후에 투여시 McGram stroke index는 심하게 억제되었다. 흰쥐와 생쥐에서 뇌허혈-재관류에 의한 뇌수분함량의 증가는 BN52021 또는 CV6209 전처치에 의하여 유의하게 억제되었다. BN52021 전처치는 허혈 후의 혈압변동을 개선시켰을 뿐만 아니라 뇌연막동맥의 확장지연에 대하여도 효과가 있었다. 이러한 실험결과로 보아 PAF가 뇌허혈-재관류 손상의 발생에 내인성 인자로서 중요한 역할을 하는 것으로 사료된다. 나아가 PAF 길항제가 뇌허혈후의 병리학적 후휴증의 개선 내지는 예방에 사용 될 수 있을 것으로 기대된다.
With the development of modern microelectronics technologies, the power density of electronic devices is rapidly increasing, due to the miniaturization or integration of device elements which operate at high frequency, high power conditions. Resulting thermal problems are known to cause power leakage, device failure and deteriorated performance. To relieve heat accumulation at the interface between chips and heat sinks, thermal interface materials (TIMs) must provide efficient heat transport in the through-plane direction. We report on the enhanced thermal conduction of $Al_2O_3-based$ polymer composites, fabricated by the surface wetting and texturing of thermally conductive hexagonal boron nitride(h-BN) nanoplatelets with large anisotropy in morphology and physical properties. The thermally conductive polymer composites were prepared with hybrid fillers of $Al_2O_3$ macro beads and surface modified h-BN nanoplatelets. Hexagonal boron nitride (h-BN) has high thermal conductivity and is one of the most suitable materials for thermally conductive polymer composites, which protect electronic devices by efficient heat dissipation. In this study, we synthesized hexagonal boron nitride nanoparticles by the pyrolysis of cost effective precursors, boric acid and melamine. Through pyrolysis at $900^{\circ}C$ and subsequent annealing at $1500^{\circ}C$, hexagonal boron nitride nanoparticles with diameters of ca. 50nm were synthesized. We demonstrate that the addition of a small amount of calcium fluoride ($CaF_2$) during the preparation of the melamine borate adduct significantly enhanced the crystallinity of the h-BN and assisted the growth of nanoplatelets up to 100nm in diameters. The addition of a small amount of h-BN enhanced the thermal conductivity of the $Al_2O_3-based$ polymer composites, from 1.45W/mK to 2.33 W/mK.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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