• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.147-147
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• 1997

• 전기의세계
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• 제25권1호
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• pp.104-107
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• 1976

The switching characteristics of Non-crystalline As-Te-Si-Ge thin film device using Ag, In and Al metal for electrode, has been investigated. Threshold voltage and holding current of each sandwich type device varied due the to formation of the potential barrier in between non crystalline solid and electrode interface.

• 대한전기학회논문지
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• 제32권6호
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• pp.205-210
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• 1983

This paper presents a steady-state computer solution of the fundamental semiconductor one-dimensional transport equations, describing a single (metal-semiconductor) contact device, involving only one type of charge carrier. The computations are conveniently made by the

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.104.1-104
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• 1998

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.153.1-153
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• 1998

• Elastomers and Composites
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• 제46권2호
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• pp.112-117
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• 2011

고기능 포장재료를 포함한 고차단성 소재산업은 국민소득 증가 및 웰빙 문화와 함께 성장성이 높은 산업으로 성장할 것으로 예상된다. 따라서 최근 고차단성 소재로 기존의 소재와 비교하여 우수한 물성을 나타내는 고분자 나노복합재료에 대한 관심이 크게 증가하고 있다. 고분자 나노복합재료는 고분자 수지와 나노 크기의 충전제로 이루어진 소재를 의미하며, 이에 사용되는 무기 충전제는 층상 실리케이트, 탄소나노튜브, 금속 또는 무기물의 나노입자 등 다양한 물질들이 사용되고 있다. 현재 가장 활발히 적용되고 있는 입자는 다른 나노크기의 충전제와 달리 자연에 풍부하게 존재하며 경제적이고 나노 구조적인 특성을 잘 지닌 층상 실리케이트, 즉 점토(Clay)이다. Clay를 이용한 고분자 나노복합재료는 강도 향상, 난연성, 가스 차단성, 내마모성, 저수축화 등의 장점이 있어서 자동차 소재 및 포장재 등에 우선적으로 적용되고 있다. 따라서 본고에서는 가스차단 소재의 필요성과 더불어 관련 소재 및 기술에 대하여 중심으로 살펴보도록 하겠다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.271-275
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• 2011

In this paper, thermal stability of palladium germanide (Pd germanide) is analyzed for high performance Schottky barrier germanium metal oxide semiconductor field effect transistors (SB Ge-MOSFETs). Pd germanide Schottky barrier diodes were fabricated on n-type Ge-on-Si substrates and the formed Pd germanide shows thermal immunity up to $450^{\circ}C$. The barrier height of Pd germanide is also characterized using two methods. It is shown that Pd germanide contact has electron Schottky barrier height of 0.569~0.631 eV and work function of 4.699~4.761 eV, respectively. Pd germanide is promising for the nanoscale Schottky barrier Ge channel MOSFETs.

• Current Photovoltaic Research
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• 제12권2호
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• pp.31-36
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• 2024

Passivating contacts are a promising technology for achieving high efficiency Si solar cells by reducing direct metal/Si contact. Among them, a polysilicon (poly-Si) based passivating contact solar cells achieve high passivation quality through a tunnel oxide (SiO_x) and poly-Si. In poly-Si/SiO_x based solar cells, the passivation quality depends on the amount of dopant in-diffused into the bulk-Si. Therefore, our study fabricated cells by inserting silicon oxide (SiO₂) as a doping barrier before doping and analyzed the barrier effect of SiO₂. In the experiments, p⁺ poly-Si was formed using spin on dopant (SOD) method, and samples ware fabricated by controlling formation conditions such as existence of doping barrier and poly-Si thickness. Completed samples were measured using quasi steady state photoconductance (QSSPC). Based on these results, it was confirmed that possibility of achieving high V_oc by inserting a doping barrier even with thin poly-Si. In conclusion, an improvement in implied V_oc of up to approximately 20 mV was achieved compared to results with thicker poly-Si results.

• 한국진공학회지
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• 제17권6호
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• pp.518-522
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• 2008

반도체 집적도의 비약적인 발전으로 박막은 더욱 다층화 되고 선폭은 더욱 미세화가 진행되었다. 이러한 악조건에서 소자의 집적도를 계속 향상시키기 위하여 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 소자 집적도 향상으로 금속 배선 공정에서는 선폭의 미세화와 배선 길이 증가로 인한 RC지연이 발생하게 되었다. 이를 방지하기 위하여 Al보다 비저항이 작은 Cu를 배선물질로 사용하여야 하며, 또한 일부 공정에서는 이미 사용하고 있다. 그러나 Cu를 금속배선으로 사용하기 위해 해결해야 할 가장 큰 문제점은 저온에서 쉽게 Si기판과 반응하는 문제이다. 현재까지 본 실험실에서는 tungsten (W)을 주 물질로 W-C-N (tungsten- carbon - nitrogen) 확산방지막을 증착하여 연구를 하였으며, $\beta$-ray, XRD, XPS 분석을 통하여 고온에서도 Cu의 확산을 효과적으로 방지한다는 연구 결과를 얻었다. 이 연구에서는 기존 연구에 추가적으로 W-C-N 확산방지막의 표면을 Nano-Indenter System을 이용하여 확산방지막 표면강도 변화를 분석하여 확산방지막의 물성 특성을 연구하였다. 이러한 연구를 통하여 박막내 불순물인 질소가 포함된 박막이 고온 열처리 과정에서 보다 안정적인 표면강도 변화를 나타내는 연구 결과를 얻었으며, 이로부터 박막의 물성 분석을 실시하였다.

• 한국주조공학회지
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• 제24권1호
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• pp.34-39
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• 2004

The effects of casting condition and hot melt glue during Lost Foam Casting were investigated on the fluidity of Al alloy melt. The fluidity increased linearly with increasing pouring temperature in thick castings but non-linearly in thin casting due to the difference in main heat flow direction. The metal flow velocity was in range of $0.5{\sim}2.7$ cm/s in no evacuation condition and the minimum value of it was measured after the melt flow through the hot melt barrier. The mold evacuation improved the metal flow velocity by around $0.5{\sim}1$ cm/s. And the reaction zone layer thickness was about 1 cm in no-evacuation conditions but about 0.6 cm in mold evacuation condition of 710 torr due to the easier removal of pyrolsis product of EPS. And hot melt barrier thickness of 0.6 mm increased the reaction zone layer thickness up to about 2.5 cm. The fluidity decreased remarkably with an enlarged thickness of hot melt due to a lot of pyrolysis products.