• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 반도체재료
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• pp.22-25
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• 2001

A thyristor switch circuit for capacitor discharge application, of which the equivalent circuit includes a resistor between cathode and gate of a reverse-conducting thyristor and an avalanche diode anti-parallel between its anode and gate to set thyristor tum-on voltage, is monolithically integrated by planar process with AVE double-implantation method. To ensure a lower breakdown voltage of the avalanche diode for thyristor tum-on than the break-over voltage of the thyristor, $p^+$ wells on thyristor p base layer are made by boron implantation/drive-in for a steeper doping profile with higher concentrations while rest p layers of thyristor and free-wheeling diode parts are formed with Al implantation/drive-in for a doping profile of lower steepness. The free-wheeling diode part is isolated from the thyristor part by formation of separated p-well emitter for suppressing commutation between them, which is achieved during the formation of thyristor p-base layer.

• 한국광학회지
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• 제7권4호
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• pp.440-444
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• 1996

10Gbps급 이상의 광통신에 적합한 성능을 가지는 InAlAs/InGaAs 다중양자우물 구조(MQW) 애벌런치 광다이오드(APD)를 제작하였다. 본 논문에서는 MBE로 성장된 에피구조에서 높은 농도로 도핑된 field butter layer의 Be dopant의 다중양자우물 구조로의 indiffusion이 소자의 암전류 특성과 이득 특성에 이치는 영향을 분석하였다. Be의 indiffusion은 작은 양으로도 소자의 특성에 큰 영향을 끼칠 수 있음이 보여졌으며 spacer layer를 삽입함으로써 높은 대역폭을 유지하면서 낮은 암전류 특성을 나타내는 소자를 제작함으로써 space layer의 삽입이 indiffusion의 영향을 효과적으로 막을 수 있음을 보였다.

• 융합보안논문지
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• 제5권3호
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• pp.23-32
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• 2005

본 논문에서는 유비쿼터스 컴퓨팅 보안을 위한 128비트 Reversible Cellular Automata(RCA)기반 경량 블록 암호를 설계하고 구현한다. 유비쿼터스 컴퓨팅이 요구하는 하드웨어 제약조건을 충족하기 위하여 높은 임의성을 제공하는 Cellular Automata를 기반으로 블록구조를 설계하였다. 구현된 블록 암호기법은 암호화 과정동안 704 클럭 사이클로 동작하고 2,874 게이트수를 보였다. 구현 결과 기존의 AES나 NTRU보다 처리속도가 31% 향상되었고, gate수는 20%만큼 절감되었다. 차분 분석(Differential Cryptanalysis)과 Strict Avalanche Criterion(SAC)을 수행함으로써 구현된 블록 암호 알고리즘의 안정성을 검증하였다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제16권1호
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• pp.43-47
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• 2018

The existing modeling of avalanche dominated breakdown in double gate MOSFETs (DGMOSFETs) is not relevant for 10 nm gate lengths, because the avalanche mechanism does not occur when the channel length approaches the carrier scattering length. This paper focuses on the punch through mechanism to analyze the breakdown characteristics in 10 nm DGMOSFETs. The analysis is based on an analytical model for the thermionic-emission and tunneling currents, which is based on two-dimensional distributions of the electric potential, obtained from the Poisson equation, and the Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation for the tunneling probability. The analysis shows that corresponding flat-band-voltage for fixed threshold voltage has a significant impact on the breakdown voltage. To investigate ambiguousness of number of dopants in channel, we compared breakdown voltages of high doping and undoped DGMOSFET and show undoped DGMOSFET is more realistic due to simple flat-band-voltage shift. Given that the flat-band-voltage is a process dependent parameter, the new model can be used to quantify the impact of process-parameter fluctuations on the breakdown voltage.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2003년도 하계학술연구발표회 및 한.일 공동심포지엄
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• pp.260-261
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• 2003

It is recognized that the magnetization reverses with a sequence of discrete and jerky jumps, known as the Barkhausen effect. Recently, interest in the Barkhausen effect has grown as it is a good example of dynamical critical behavior, evidenced by experimental observation of a power law distribution of the Barkhausen jump size. So far, most experimental studies have been carried out on bulk samples using a classical inductive technique, which is difficult to apply to thin film samples mainly due to the ]ow signal intensity. For this reason, very few experiments have been done on two-dimensional ferromagnetic thin films. In this talk, we report a direct domain observation of Barkhausen avalanche at criticality in Co and MnAs thin films investigated by means of a magnetooptical microscope magnetometer (MOMM), capable of time-resolved domain observation with an image grabbing rate of 30 frames/s in real time. In Fig. 1, we demonstrate a series of six representative domain-evolution patterns of 25-nm Co film observed successively by means of the MOMM, where one can directly witness Barkhausen avalanche.

• 한국광학회지
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• 제23권5호
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• pp.197-202
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• 2012

맴핑용 레이저 레이더 실험실 시제품의 성능시험과 분석 결과를 소개한다. 광섬유 레이저와 아발란치 광검출기 외 관련 구성모듈로 이루어진 레이저 레이더 시스템이 설계, 제작되었다. 레이저 레이더 시스템은 현재 실험실 환경에서의 성능 확인을 목적으로 하는 실험실 시제품으로서, 레이저 레이더 광원 특성, 거리 정확도, 소광율, 오경보율과 같은 시스템 성능변수가 실험적으로 측정되었다. 실험결과 분석을 통해 레이저 레이더 시제품이 양호한 성능수준을 제시하는 것으로 확인되었다.

• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제54권11호
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• pp.654-659
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• 2005

An improved power supply for APD(Avalanche Photo Diode) with a received optical power monitoring circuit allows the received optical power increase temporary without of the degradation of the electrical signal. For the cost reduction and simple fabrication, an improved power supply has been proposed that it was designed for driving a APD as a receiving device of a wireless optical transmission system. It was demonstrated that it was possible to improve a dynamic range by compensating the temperature coefficient of the APD up to 1.0 V/$^{\circ}C$ through the power supply. Also, for an efficient transmission at the receiver end, a simple structure of a single cylindrical micro-lens configuration was used in conjunction with the laser diode to partially compensate a laser beam ellipticity. For this purpose, an astigmatism introduced by the micro-lens is utilized for the additional compensation of the beam ellipticity at the receiver end. In this paper, it is demonstrated that an efficient beam shaping is realized by using the proposed configuration consisting of the single lens attached to the laser diode.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권1호
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• pp.51-56
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• 1999

This paper presents a new transient overvoltage blocking device (TOBD) for info-communication facilities with low power and high frequency bandwidth. Conventional protection devices have some problems such as low frequency bandwidth, low energy capacity and high remnant voltage. In order to improve these limitations, thehybrid type TOBD, which consists of a gas tube, avalanche diodes and junction typefield effect transistors (JFETs), was designed and fabricated. The TOBD differs from the conventional protection devices in configuration, and JFETs were used as an active non-linear element and a high speed switching diode with low capacitance limits high current. Therefore the avalanche dilde with low energy capacity are protected fromthe high current, and the TOBD has a very small input capacitance. From the performance test using combination surge generator, which can produce $1.2/50\mus\;4.2kV_{max}\; 8/20\mus\; 2.1kA_{max}$, it is confirmed that proposed TOBD has an excellent protection performance in tight clamping voltage and limiting current characteristics.

• 센서학회지
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• 제7권1호
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• pp.17-22
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• 1998

$4{\mu}m$ 두께의 a-Se 광도전막을 이용한 HARP (high-gain avalanche rushing amorphous photoconductor) 촬상관을 제작하고 그 특성을 조사하였다. 타겟전압이 360 V 이상으로 증가함에 따라 촬상관의 신호전류는 급격하게 증가하였으나 암전류는 490 V의 전압까지 3.2 nA이하로 억제되었다. $1.1{\times}10^{6}V/cm$의 전기장에서 440 nm의 파장에 대한 타겟의 양자효율은 약 4.3으로 나타났다. 또한 촬상관의 진폭응답은 800 TV line에서 7.5 %였으며 잔상은 3.4%였다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2005년도 하계학술대회
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• pp.406-414
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• 2005

본 논문에서는 동력학적 특성이 좋은 PLCM(Piecewise Linear Chaotic Map)을 이용한 128비트의 키와 128비트 평문 블록의 카오스 블록 암호화 기법을 제한한다. 본 논문에서 제안한 기법은 128비트의 키를 PLCM을 이용해서 4개의 32비트 서브키로 이루어진 세션 키 생성하는 키 생성과정과 128비트 평문을 4개로 나눈 32비트 서브 블록들과 4개의 서브키와의 XOR(Exclusive-OR)된 값을 PLCM의 초기 값과 반복회수로 사용해서 암호문을 생성하는 암/복호화 과정으로 이루어져 있다. 본 논문에서는 제안한 기법이 실험 결과와 안전성 분석을 통해 여러 가지 통계적 공격에 매우 강하고 Avalanche Effect와 Randomness 특성이 매우 좋음을 보여준다.