한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1122-1124
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2009
Organic thin-film transistors (OTFTs) were fabricated by using the transfer patterning method. In order to remove Au pattern easily, UV-curable polymer mold was surface treated. Au source/drain (S/D) pattern was transferred to insulator-coated substrate surface. Fabricated OTFTs were compared to OTFTs using vacuum-deposited Au S/D. Additionally, transistor diodes were characterized.
Kim, Yun Jee;Kim, Ki Jun;Jung, Seung Yeon;Hwang, You Jin;Kwon, Seong Jung
Journal of Electrochemical Science and Technology
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제10권2호
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pp.170-176
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2019
Alkanethiol self-assembled monolayers (SAMs) and partially ferrocene (Fc) modifications were applied to the Au ultramicroelectrode (UME) rather than to standard sized electrodes with dimension of millimeters. The electron transfer mediation of the SAMs and Fc modified Au UME was investigated by using a p-aminophenol (p-AP) oxidation reaction via cyclic voltammetry. The electrocatalytic p-AP oxidation at the SAMs and Fc modified Au UME showed a much larger electrocatalytic current density than that at the standard sized electrode due to the fast mass transfer rate at the UME.
The surface structure and electrochemical behavior of self-assembled monolayers (SAMs) prepared from benzenethiol (BT), cyclohexanethiol (CHT), and cyclopentanethiol (CPT) on Au(111) surface were examined by scanning tunneling microscopy (STM) and cyclic voltammetry (CV) to understand the influence of thiol molecular backbone structure on the formation and reductive desorption behavior of SAMs. STM imaging showed that BT and CPT SAMs on Au(111) surface formed at room temperature were mainly composed of disordered domains, whereas CHT SAMs were composed of well-ordered domains with three orientations. From these STM results, we suggest that molecule-substrate interaction is a key parameter for determining the structural order and disorder of simple aromatic and alicyclic thiol SAMs on Au(111). In addition, the reductive desorption peak potential for BT SAMs with aromatic rings was observed at a less negative potential of -566 mV compared to CHT SAMs (-779 mV) or CPT SAMs (-775 mV) with aliphatic cyclic rings. This reductive desorption behavior for BT SAMs is due to the presence of p-orbitals on the aromatic rings, which promote facile electron transfer from the Au electrode to BT as compared to CHT and CPT. We also confirmed that the reductive desorption behavior for simple alicyclic thiol SAMs such as CHT and CPT SAMs on Au electrodes was not significantly influenced by the degree of structural order.
글루코스 옥시다아(GOx)제 고정화 바이오센서를 두 가지 방법으로 제조 하였다. 첫 번째 방법은 폴리(maleic anhydride) 그래프트 탄소나노튜브(PMAn-g-MWCNT) 전극에 감마선 조사법으로 제조 된 Au 나노입자를 물리적으로 흡착시킨 후, GOx을 고정화 시켜 바이오센서를 제조한 경우이고, 다른 하나는 PMAn-g-MWCNT 전극에서 Au 이온을 전기화학적으로 환원시켜 Au 나노입자를 코팅 시키고, 그 위에 GOx을 고정화 시켜 바이오센서를 제조 한 경우이두. 제조된 바이오센서에 대해 효율 평가를 수행 하였는데, 물리적 흡착법으로 제조된 전극의 경우 검출 범위는 $30\;{\mu}M\sim100\;{\mu}M$이었으며, 검출한계는 $15\;{\mu}M$이었다. 또한 ascorbic acid와 uric acid에 대한 검출한계는 7.6%이었다. 물리적으로 Au 나노입자가 흡착된 전극의 경우가 글루코스 측정에 매우 우수한 전극임을 확인 하였다.
In this work, the electrical and optical properties of the two different p-type GaN electrode schemes, ZnNi/ITO and ZnNi/Au, were compared each other, and applied to the top-emitting GaN/InGaN light-emitting diodes (LEDs). The ZnNi/ITO electrode showed much higher transmittance (90%) and slightly lower contact resistance $(1.27{\times}10^{-4}{\Omega}cm^2)$ than those (77%, $(2.26{\times}10^{-4}{\Omega}cm^2)$) of the ZnNi/Au at a wavelength of 460 nm. In addition, GaN LEDs having ZnNi/ITO showed accordingly higher light output power and luminous intensity than those having ZnNI/Au did at the current levels up to 1 A.
The Al:Au double-layer metal electrode for use in transparent, dual emission of organic light-emitting diode (OLED) was fabricated. The electrode of Al:Au metals with various thicknesses was deposited by the vacuum thermal evaporation technique. For Al thickness of 1 nm, a bottom luminance of $4880\;cd/m^2$ was observed at 8 V. Otherwise, top luminance of $2020\;cd/m^2$ were observed at 8 V. In addition, the threshold voltages of the electrodes were 2.2 V. It was forward that the inserting 1 nm Al between LiF and Au enhanced electron injection with tunneling effect.
We investigated the effects of power ratio on the electrical and optical properties of Au based Ga-, B- codoped ZnO(GZOB) thin films. GZOB thin films were deposited on Au based poly carbonate(PC) substrate with various power in the range from 60 to 120 W by DC magnetron sputtering. In the result, GZOB films at 100 W exhibited a low resistivity value of $1.12\times10^{-3}\Omega-cm$, and a visible transmission of 80 % with a thickness of 300 nm. This result indicated that the addition of Ga and B in ZnO films leads to the improvement of conductivity and transparent. From the result, we can confirm the possibility of the application as transparent conductive electrodes.
We report on the fabrication and measurements of metallic Josephson junctions (JJs) consisting of Au nanoribbon and NbTi superconducting electrodes. The maximum supercurrent density in the junction reaches up to ~ 3×105 A/cm2 at 2.5 K, much larger than that of JJ using single-crystalline Au nanowire. Temperature dependence of the critical current exhibits an exponential decay behavior with increasing temperature, which is consistent with a long and diffusive junction limit. Under the application of a magnetic field, monotonous decrease of the critical current was observed due to a narrow width of the Au nanoribbon. Our observatons suggest that NbTi/Au/NbTi JJ would be a useful platform to develop an integrated superconducing quantum circuit combined with the superconducting coplanar waveguide and ferromagnetic π junctions.
금속 전극 위에 유기물 채널을 증착하여 만드는 바닥 전극 구조의 유기물 박막 트랜지스터에서 전극 표면이 거친 정도에 따라 전하 주입이 어떻게 달라지는지 조사했다. 금 전극을 실리콘 기판에 증착하고, 가열하여 금 전극 표면을 거칠게 만들었다. 그리고 펜터신과 상부 전극으로 사용할 금 전극을 차례대로 증착하여 금 전극/펜터신/금 전극 구조를 만들었다. 펜터신 증착 초기에는 거친 금 전극 위에서 펜터신 증착핵이 더 많이 보였지만, 막이 두꺼워지면 가열되지 않은 전극과 가열로 거칠어진 전극에서 펜터신 표면 모양에 차이가 거의 없었다. 온도를 바꾸면서 측정한 전류-전압 곡선은 바닥 전극의 표면이 거칠수록 바닥계면의 전위장벽이 높음을 보여주었다. 이 현상은 금속 표면이 거칠수록 일함수가 낮아지며 펜터신과 거친 전극 표면의 경계에 전하 트랩이 더 많기 때문으로 생각된다.
최근 디스플레이, 태양전지 그리고 touch screen panels 등 optoelectronic 장치의 시장이 성장함에 따라 투명전극의 수요가 증가하고 있다. Indium tin oxide (ITO)의 좋은 특성 때문에 주로 투명전극에 많이 사용되고 있다. 그러나 화학적 안정성이 떨어지고, 휘어질 때 특성저하가 심하여 금속나노와이어, 탄소나노튜브, 전도성폴리머, 그리고 그래핀 등의 다른 투명전극의 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중에서 그래핀은 높은 전자 이동도(200000 cm2v-1s-1)와 휘어져도 전기적 크게 변하지 않는 특성 때문에 유망한 투명 전도성 전극 (Transparent Conductive Electrodes, TCEs)으로 연구되어왔다. 또한 다양한 속성 가운데, 높은 광 투과성은 그래핀의 가장 큰 장점이다 [1]. 최근, 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 등 다양한 제조 방법이 대량 생산을 위해 개발되었다. 그러나 이 방법은 비용이 많이 들며, 과정이 상당히 복잡하고 높은 온도 (${\sim}1000^{\circ}C$)를 필요로 한다. 따라서 용매 기반의 환원된 그래핀 산화물(Reduced Graphene Oxides, RGOs)이 최근 주목 받고 있다. 그러나 RGOs의 면저항이 높아 전극으로서 사용이 제한된다. 따라서 전기적 특성을 향상시키는 방법으로 단일 벽 탄소 나노튜브 (Single-Walled Carbon Nanotubes, SWNTs)를 혼합하거나 화학적 도핑을 통하여 면저항을 크게 향상시키는 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 이런 화학적 도핑의 경우 박막이 공기 중에 직접 산소나 습기와 반응하여 전기적 특성이 저하되는 문제점을 가지고 있다 [2]. 이러한 문제를 해결하기 위해 AuCl3을 도핑한 박막에 내열성 및 내광성 등의 화학적 안정성이 뛰어난 PEDOT:PSS를 코팅하여 필름의 공기중의 노출을 막아 줌으로써 도핑의 안전성 및 전기적 특성을 최적화하였다. 본 연구에서는 간단한 dip-coating방법을 사용하여 4개의 RGO/SWNTs 박막을 흡착하였다. 다음으로 AuCl3를 도핑하여 면저항 $4.909K{\Omega}$, $4.381K{\Omega}$인 두 개의 샘플의 시간과 온도에 따른 면저항의 변화를 확인하였다. 그리고 필름의 도핑 안전성을 향상 시키기 위해 AuCl3를 도핑한 필름 위에 전도성 폴리머 PEDOT:PSS 코팅하여 면저항 $886.1{\Omega}$, $837.5{\Omega}$인 두 개의 샘플의 시간과 온도에 따른 면저항의 변화를 확인하였다. AuCl3 도핑된 필름의 경우 공기 중에 150시간 노출 시 72%의 면저항 증가가 발생하였지만 PEDOT:PSS가 코팅된 필름의 경우 5%의 면저항 증가가 나타나 확연한 차이를 보였다. 또한 AuCl3 도핑한 필름의 경우 $150^{\circ}C$에서 60시간동안 공기중에 노출되었을 때 525%의 면저항 증가가 발생하였지만 PEDOT:PSS가 코팅된 필름의 경우 58%의 면저항 증가를 나타내었다. 이것은 PEDOT:PSS가 passivation역할을 하여 필름이 공기에 노출된 부분을 막아주어 도핑된 필름의 면저항의 변화를 줄여 주었음을 알 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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