Pure Ti as well as Ti-6Al-4V alloy exhibit excellent properties for dental implant applications. However, for a better biocompatibility it seems important to avoid in the composition the presence of V due to the toxic effects of V ion release. Thus Al and V free and composed of non-toxic element such as Nb, Zr alloys as biomaterials have been developed. Especially, Zr contains to same family in periodic table as Ti. The addition of Zr to Ti alloy has an excellent mechanical properties, good corrosion resistance, and biocompatibility. In this study, the electrochemical characteristics of Ti-Zr alloys for biomaterials have been investigated using by electrochemical methods. Methods: Ti-Zr(10, 20, 30 and 40 wt%) alloys were prepared by arc melting and homogenized for 24 hr at $1000^{\circ}C$ in argon atmosphere. Phase constitutions and microstructure of the specimens were characterized by XRD, OM and SEM. The corrosion properties of the specimens were examined through potentiodynamic test (potential range of -1500 ~ 2000 mV), potentiostatic test (const. potential of 300 mV) in artificial saliva solution by potentiostat (EG&G Co, PARSTAT 2273. USA).
A GaAs power metal semiconductor field effect transistor (MESFET) operating at a voltage as low as 3.3V has been developed with the best performance for digital handheld phone. The device has been fabricated on an epitaxial layer with a low-high doped structure grown by molecular beam epitaxy. The MESFET, fabricated using $0.8{\mu}m$ design rule, showed a maximum drain current density of 330 mA/mm at $V_{gs}$ =0.5V and a gate-to-drain breakdown volt-age of 28 V. The MESFET tested at a 3.3 V drain bias and a 900 MHz operation frequency displayed an output power of 32.5-dBm and a power added efficiency of 68%. The associate power gain at 20 dBm input power and the linear gain were 12.5dB and 16.5dB, respectively. Two tone testing measured at 900.00MHz and 900.03MHz showed that a third-order intercept point is 49.5 dBm. The power MESFET developed in this work is expected to be useful as a power amplifying device for digital hand-held phone because the high linear gain can deliver a high power added efficiency in the linear operation region of output power and the high third-order intercept point can reduce the third-order intermodulation.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
1998.11a
/
pp.145-150
/
1998
8$\times$8 bit scaled SONOSFET NAND type flash EEPROM that shows better characteristics on cell density and endurance than NOR type have been designed and its electrical characteristics are verified with computer aided simulation. For the simulation, the spice model parameter was extracted from the sealed down SONOSFET that was fabricated by $1.5mutextrm{m}$ topological design rule. To improve the endurance of the device, the EEPROM design to have modified Fowler-Nordheim tunneling through the whole channel area in Write/Erase operation. As a result, it operates Write/Erase operation at low current, and has been proven Its good endurance. The NAND type flash EEPROM, which has upper limit of V$_{th}$, has the upper limit of V$_{th}$ as 4.5V. It is better than that of floating gate as 4V. And a EEPROM using the SONOSFET without scaling (65$\AA$-l65$\AA$-35$\AA$), was also designed and its characteristics have been compared. It has more possibliity of error from the V$_{th}$ upper limit as 4V, and takes more time for Read operation due to low current. As a consequence, it is proven that scaled down SONOSFET is more pertinent than existing floating gate or SONOSFET without scaling for the NAND type flash EEPROM.EPROM.
Young Ju Park;Suk-Ki Min;Kee Dae Shim;Mann J. Park
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
/
v.4
no.1
/
pp.83-91
/
1994
We have constructed a vertical gradient freeze (VGF) grower for GaAs single crystals 2 inch in diameter and have grown semi-insulating GaAs co-doped with Cr and In. For the co-doped crystal, the segregation coefficients of the dopants remain unchanged when compared to those doped with only Cr or In. The concentration of Cr and in atoms range from about $2{\Times}10_{16} to 3{imes}10^{17} cm^{-3}$ and $2{\Times}10^{19} to 3{\Times}10^{20} cm^{-3}$ at the seed to the tail part of the grown crystal, respectively. The averaged dislocation etch pit density is found to be less than $8000 cm^{-2}$ throughout the ingot. It is also found that there is some evidence of lattice hardening for the crystal in which the dislocation density is decreased to less than $1000 cm^{-2}$ as In concentration increases. The resistivity increases abruptly from $10^{-2}$ up to $10^8$ Ohm-cm, while the carrier concentration decreases from $10^{16}$ to $10^8 cm^{-3}$ along the growth direction of the GaAs crystal. Semi-insulating properties can be obtained above a critical concentration of Cr of about $6{\Times}10{^16} cm^{-3}$ in the crystal. The main deep levels existing in the GaAs: Cr,In sample are two electron traps at $E_C-0.81eV, E_C-0.35eV$, and two hole traps at $E_V+0.89eV, E_V+0.65eV$.
This study provides an attempt to evaluate sanding wastes, generated from a chemical company as a reused adsorbent. Organic impurities in the raw sanding wastes were removed by calcination at $550^{\circ}C$. Aluminum was a major inorganic composition in the raw sanding wastes and increased from 29.09% to 52.73% after calcination. Dissolved concentrations of heavy metals from the calcined sample were below 0.3 mg/L in a stability test at pH 2. From the pH-edge adsorption experiments with the calcined sanding wastes, As (V) was found to follow an anionic-type adsorption. Adsorption isotherm obtained with variation of the dosage of the calcined sanding wastes was better described by Freundlich equation than Langmuir one. Freundlich constants of K and 1/n were 4.244 and 0.316, respectively. The As (V) adsorption capacity of calcined sanding wastes estimated from Langmuir isotherm was 13.25 mg/g. From this study, the calcined sample was identified as a good reusable adsorbent in the view point of stability and adsorption capacity on As (V).
Serum Samples from adult of Korean cattles including 40 females and 20 males were analyzed by sodium salt precipitation and colorimetric method in the purpose of the determination of total serum protein, albumin, globulin, ${\alpha}$-globulin, ${\beta}$-globulin and ${\gamma}$-globulin. The results obtained arc summarized as follows: 1. Mean value of total serum protein showed a slight variation from 7.6%, and its regional and sex differences were not found to be significant. 2. Contents of albumin in serum showed lower level than that of globulin as low level of A/G ratio 0.4 in proportion. 3. Contents of Serum ${\alpha}$-globulin showed 1.4w/v% and $1.51{\pm}0.46$w/v% in each group of female, and $1.31{\pm}0.26$w/v%, in the group of male. 4. Contents of serum ${\beta}$-globulin showed 1.74w/v%, 1.95w/v%, in each group of female, and 1.82w/v% in the group of male. 5. Contents of serum ${\gamma}$-globulin showed 2.32w/v%, 2.30w/v% in each group of female, and 2.30w/v%, in the group of male.
IT services are provided by many public institutions and companies in order to satisfy various needs of customers. As the modern IT systems become larger and more complex, it becomes more difficult for IT organizations to provide IT services. So, the IT organizations have applied or are planning to apply ITIL (Information Technology Infrastructure Library) in order to provide IT services systematically. The ITIL v3 was revised on July 2011 and have 5 categories, 37 processes, and 113 sub-processes. Therefore, it is known that it is very difficult to satisfy all processes of ITIL v3. If we can concentrate on the core processes of ITIL v3, we will be able to provide IT services more efficiently. The processes of ITIL v3 are defined as some processes influences other processes. Therefore, the core processes can be established using related techniques. We searched for previous research and related information, but we could not find any related research. In this study, we had applied the ANP (Analytic Network Process) techniques to find the core processes of ITIL v3. We expect that IT services will be provided more efficiently because we can be concentrate on the core processes of ITIL v3, which are the results of this study.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2011.08a
/
pp.262-263
/
2011
Flexible electronics, a future technology of electronics, require a low cost integrated circuit that can be built on various types of the flexible substrates. As a potential candidate for this application, a single walled carbon nanotube network is studied as an active device with a scheme of thin film transistor. Transistors are formed on a plastic foil by the Roll-to-Roll (R2R) and the Roll-to-Device (R2D) printing method. For both printing methods, electrical transports for the transistors are presented with the temperature dependence of threshold voltage (V_Th) and mobility from the measured transfer curves at temperatures ranging from 10 K to 300 K. It is observed that ${\mu}=0.044cm^2/V{\cdot}sec$ and V_Th=7.28V for R2R and ${\mu}=0.025cm^2/V{\cdot}sec$ and V_Th=3.10V for R2D, both for the temperature at 300K. Temperature dependence of mobility and V_Th is observed. However for R2R, the temperature dependence of V_Th is constant. It is the difference between, R2R and R2D.
This paper discusses the structural and meaning features of causative from/for V-ing constructions as complement and provides insight on their grammatical characteristics revealed from alternation between prepositions for and from in nonfinite V-ing complement clause constructions. Guided by empirical data, this paper demonstrates that there are three types of syntactic patterns classified by the main verbs in these constructions and that these three syntactic types are closely linked with the meaning. These classifications are supported by the passivizations and aspect. In addition, this paper suggests that the function of for and from followed by nonfinite V-ing clause should be treated as a preposition introducing nonfinite V-ing clauses.
The effects of $V_2O_5$ addition as an additive on the densification, the microstructure and the magnetic properties of Mn-Zn ferrites were studied. The maximum density was observed at 0.1 wt% $V_2O_5$ content and it was recognized that a small content of $V_2O_5$ prohibited the discontinuous grain growth. The initial permeability showed maximum at 0.1 wt% $V_2O_5$ content and the power loss minimum at 0.03 wt% $V_2O_5$ content. It was found that a small content of $V_2O_5$ went into solid solution in the Mn-Zn ferrites, but above that extent $V_2O_5$ formed a second phase to be segregated at the grain boundaries.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.