• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.127-128
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• 2009

CCP방식의 식각에 있어서 CF4/O2 Plasma Etch에 Ar을 첨가함으로써 Etch특성이 어떻게 변화하는지를 조사하였다. FE-SEM를 이용하여 Etch Profile를 측정하였다. 또한 Elipsometer와 Nanospec을 이용하여 Etch rate를 측정하였다. Ar의 비율이 전체의 47%정도를 차지하였을 때까지 Etch Profile이 향상되었다가 그이후로는 다시 감소하는 것을 볼 수 있었다. Ar을 첨가할수록 etch rate은 계속 향상되었다. Ar을 첨가하는 것은 물리적인 식각으로 반응하여 Etch rate의 향상과 적정량의 Ar을 첨가했을 때 Etch profile이 향상되는 결과를 얻었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제51권6호
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• pp.755-759
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• 2013

Bosch 공정의 식각 단계에서 Ar을 첨가하였을 때 Si의 식각특성을 관찰하기 위하여 식각 단계에서 $SF_6$ 플라즈마만 사용한 경우와 Ar 유속비율이 20%인 $SF_6$/Ar 플라즈마를 각각 사용하여 Si을 Bosch 공정으로 식각하였다. Bosch 공정의 식각 단계에서 $SF_6$ 플라즈마에 Ar 가스를 첨가하면 $Ar^+$ 이온에 의한 이온포격이 증가하였고 이는 Si 입자의 스퍼터링을 초래할 뿐 아니라 F 라디칼과 Si의 화학반응을 가속하였다. 그 결과 식각 단계에서 20%의 Ar이 첨가되어 Bosch 공정으로 수행된 Si의 식각속도는 Ar이 첨가되지 않은 경우보다 10% 이상 빨라졌고 식각프로파일도 더욱 비등방적이었다. 이 연구의 결과는 Bosch 공정으로 Si을 식각할 때 식각속도와 식각프로파일의 비등방성을 개선하는데 필요한 기초자료로 사용될 수 있을 것으로 판단된다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.35-40
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• 2012

In this study, the ultraviolet (UV) intensity of polymer insulator was measured using the Anti-Reflective (AR) coating lens on the occurrence of corona discharge. The UV intensity was compared before and after the AR coating. Under the 200-260[nm] of UV lens, the reflection rate before AR coating was 7.5~5.5[%] with 85-89[%] of transmission rate. After AR coating, however, the reflection rate decreased to 1.3~1.22[%] with improved transmission (97.4~97.6[%]). Then, the UV intensity by distance was measured in the polymer insulator. According to the measurement, the UV intensity increased 6.5 times at 37.5[%] of Vm/Vbd with 5[m] of distance. As distance increased, the growth rate declined. As high voltage increased, in addition, AR coating was less effective due to the count error caused by the UV sensor pulse signal overlap. Therefore, it appears that it would be more effective to detect corona discharge with 5[m] or less of distance at diagnosis of power facilities by AR coating and UV sensor sensitivity.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.863-865
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• 2001

In this study, RuO$_2$thin films were etched in inductively coupled $O_2$plasma. Etching characteristics of RuO$_2$thin films including etch rate and selectivity were evaluated as a function of rf power in $O_2$plasma and gas mixing ratio in $O_2$/Ar plasma. In $O_2$ plasma, the etch rate of RuO$_2$thin film increases as rf power increases. In $O_2$/Ar plasma, the etch rate of RuO$_2$thin film increases up to 10% Ar, but decrease with furthermore increasing Ar mixing ratio. The enhanced etch rate can be obtained with increasing rf power and small addition of Ar gas.

• 한국진공학회지
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• 제19권3호
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• pp.206-210
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• 2010

RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Al 도핑된 ZnO 박막을 Ar 유량에 따라 증착하고 박막의 다양한 특성을 연구하였다. ZnO 박막의 Ar 유량 변화를 통해 고품질 박막을 증착할 수 있었고 Al 도핑된 ZnO 박막에 대한 Ar 유량의 영향을 확인하였다. 모든 Al 도핑된 ZnO에서 80% 이상의 좋은 투과도를 보였다. Hall 측정과 X-ray photoelectron spectrometer 측정 결과, 비저항이 가장 작은 60 sccm에서 가장 작은 Al 도핑 농도를 보였다. Ar 유량에 따른 Al 도핑된 ZnO 박막에서의 전기적인 특성은 Al 도핑 농도보다 산소 공공에 의해 더 영향을 받음을 확인하였다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.717-720
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• 2011

고속 네트워크 환경에서 AR UDT(Adaptive Rate control UDT)는 표준 전송 프로토콜인 TCP에 비해 뛰어난 성능을 보인다. UDT(UDP-based Data Transfer)를 기반으로 하는 AR UDT의 혼잡제어는 네트워크 상태를 예측하여 패킷 간 전송시간을 변화시킴으로써 기존 UDT보다 향상된 성능을 보인다. 그러나 AR UDT는 네트워크 상태 예측의 오차가 클 뿐만 아니라 rate control만을 공격적으로 조절하기 때문에 수신 버퍼의 초과로 인해 안정적인 성능을 기대하기 어렵다. 본 논문에서는 AR UDT환경에서 네트워크 상태에 따라 적응적으로 혼잡제어를 하는 기법을 제안한다. RTT(Round Trip Time)의 변화량에 따라 네트워크 상태를 예측하여 flow control과 rate control을 적응적으로 조절한다. 네트워크 시뮬레이션 결과를 통하여 AR UDT에 비해 전송속도와 안정성이 향상되었음을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.206-209
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• 2003

The purpose of AR and HR coating is acquire the very low reflection rate and the high reflection rate through the deposition of a thin film using the refraction ofmaterial. Basically if the high refractive material and the low refractive material are chosen and the condition for the experiment is determined, then we solve theproject with the optical design and multi thin film coating. First of all, we choose $SiO_2$for the low refractive material and $TiO_2$ for the high refractive material and apply Sputtering System easy to control the refraction rate and excellent in reconstruction to the equipment of thin film multiplication. For the control of the refraction rate and growth rate we modify RF Power and the ratio of Gas(Ar:O2), And we use Ellipsometer for estimation and analysis of the refraction rate and growth rate and AFM&SEM for the analysis of surface and component.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.58-61
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• 2002

SBT thin films were etched at different content of Cl$_2$in Cl$_2$/Ar plasma. We obtained the maximum etch rate of 883 ${\AA}$/min at Cl$_2$(20%)/Ar(80%). As Cl$_2$ gas increased in Cl$_2$/Ar plasma, the etch rate decreased. The maximum etch rate may be explained by variation of volume density for Cl atoms and by the concurrence of two etching mechanisms such as physical sputtering and chemical reaction with formation of low-volatile products, which can be desorbed only by ion bombardment. The variation of volume density for Cl, F and Ar atoms and ion current density were measured by the optical emission spectroscopy and Langmuir probe. To evaluate the physical damage due to plasma, X-ray diffraction and atomic force microscopy analysis carried out. After etching process, P-E hysteresis loops were measured by ferroelectric workstation.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권4호
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• pp.145-149
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• 2016

플라즈마 조성, ICP source power, rf chuck power 등의 공정변수가 GaN epitaxy층의 식각특성에 미치는 영향을 조사하였다. $GaF_x$ 화합물 보다 더 높은 휘발성을 가지는 $GaCl_x$ 식각 생성물 형성이 가능한 $Cl_2/Ar$ 플라즈마가 $SF_6/Ar$ 플라즈마보다 더 높은 식각속도를 나타내었다. 또한, $Cl_2/Ar$ 플라즈마에서 Ar 비중이 증가함에 따라 물리적 식각 기구 활성화로 인해 식각 이방성이 향상됨을 확인하였다. 두 가지 플라즈마 조성 모두에서 ICP source power와 rf chuck power가 증가함에 따라 식각속도가 지속적으로 증가함을 확인하였고, $13Cl_2/2Ar$, 750W ICP power, 400 W rf chuck power, 10 mTorr 조건에서 최고 251.9 nm/min의 식각속도를 확보하였다.

• 한국음향학회지
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• 제31권2호
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• pp.93-99
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• 2012

음성코딩 시 성도는 Linear Predictive Coding (LPC) 계수를 이용해서 모델링 한다. 일반적으로 LPC 계수는 양자화와 선형보간 관점에서 유리한 Line Spectral Frequency (LSF) 파라미터로 변경하여 사용한다. 10차 이상의 다차원 LSF 데이터를 벡터 양자화를 이용하여 직접 코딩하게 되면 벡터 내 상관관계 (intra-frame correlation)를 모두 이용할 수 있으므로 rate-distortion 관점에서는 높은 효율을 기대할 수 있다. 하지만, 계산량과 메모리 요구량이 높아져서 실제 코딩 시스템에서는 사용할 수 없게 되므로, 차원을 나누어 압축하는 Split Vector Quantization (SVQ)이 이용된다. 또한, LSF 데이터는 과거 벡터와의 벡터 간 상관관계 (inter-frame correlation)가 높으므로, 이를 이용한 Predictive Split Vector Quantization (PSVQ)이 사용되고 있다. PSVQ는 SVQ 보다 높은 rate-distortion 성능을 보인다. 본 논문에서는 음성 저장 장치를 위한 최적의 PSVQ를 구현하기 위해서 다수의 과거 프레임 정보와의 벡터 간상관관계 (inter-frame correlation)를 고려한 Multi-Frame AR-model 기반 SVQ (MF-AR-SVQ)를 제안하였다. 기존 PSVQ와 비교해 보았을 때, MF-AR-SVQ는 계산량과 메모리 요구량의 큰 증가 없이, 평균 spectral distortion 관점에서 약 1비트의 성능 향상을 보였다.