In this study, we have investigated the structural and electrical characteristics of IZO thin films deposited on flexible substrate for the OLED (organic light emitting diodes) devices. For this purpose, PES was used for flexible substrate and IZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering under oxygen ambient gases (Ar, $Ar+O_2$) at room temperature. In order to investigate the influences of the oxygen, the flow rate of oxygen in argon mixing gas has been changed from 0.1sccm to 0.5sccm. All the samples show amorphous structure regardless of flow rate. The electrical resistivity of IZO films increased with increasing flow rate of $O_2$ under $Ar+O_2$. All the films showed the average transmittance over 85% in the visible range. The OLED device was fabricated with different IZO electrodes made by configuration of IZO/a-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al to elucidate the performance of IZO substrate. OLED devices with the amorphous-IZO (a-IZO) anode film show better current density-voltage-luminance characteristics than that of OLED devices with the commercial crystalline-ITO (c-ITO) anode film. It can be explained that very flat surface roughness and high work function of a-IZO anode film lead to more efficient hole injection by reduction of interface barrier height between anode and organic layers. This suggests that a-IZO film is a promising anode materials substituting conventional c-ITO anode in OLED devices.
Catalytic ignition of $H_2/O_2/CO_2$ mixtures over platinum catalyst is experimentally investigated by using microcalorimetry. For comparison, $N_2$ and Ar is also used as diluent gas. The gas mixture flows toward platinum foil heated by electric current at atmosphere pressure and ambient temperature. The ignition temperature range 350-445K according to the fuel ratio, dilution ratio and diluent gas. It increases as the fuel ratio and dilution ratio increase. $H_2/O_2$ mixture with $CO_2$ ignites at higher temperature than with other diluents by 30-50K. Several experimental evidences show the inhibition effects of $CO_2$ in $H_2-O_2$ heterogeneous reaction is considerable
Stainless steels are alloy steels with a nominal chromium content of at least 11 percent, with other alloy additions. The stainlessness and corrosion resistance of these alloy steels are attributed to the presence of a passive oxide film on the surface. When exposed to conditions like Resistance Spot Welding (RSW) process that remove the passive oxide film, stainless steels are subject to corrosive attack. And exposure to elevated temperatures causes oxidation (discoloration) of areas around indentation in Spot welding. In this paper, deal with the effect of shielding gas (Ar) preventing the corrosion, oxidation of stainless steel. And find the optimal shielding gas flow rate. In addition, suggest effective purging method for direct/indirect spot welding process.
Kim, Simoon;Joo, Yongjin;Kim, Miyeong;Lee, Joongwon
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.113.1-113.1
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2010
IGCC(Integrated Coal Gasification and Combined Cycle) plants can be among the most advanced and environmental systems for electric energy generation from various feed stocks and is becoming more and more popular in new power generation fields. In this work, the performance of IGCC plants employing Shell gasification technology and a GE 7FB gas turbine engine was simulated using IPSEpro open-equation modeling environment for different operating conditions. Performance analyses and comparisons of all operating cases were performed based on the design cases. Discussions were focused on gas composition, syngas production rate and overall performance. The validation of key steady-state performance values calculated from the process models were compared with values from the provided heat and material balances for Shell coal gasification technology. The key values included in the validation included the inlet coal flow rate; the mass flow rate, heating value, and composition of major gas species (CO, H2, CH4, H2O, CO2, H2S, N2, Ar) for the syngas exiting the gasifier island; and the HP and MP steam flows exiting the gasifier island.
The characteristics of the hollow cathode discharge were investigated. Temperature distribution of the hollow cathode was investigated and I-V curves of the hollow cathode discharge were obtained. In this paper variables are chamber pressure, Ar gas flow rate injected through the cathode tube and the gap distance between cathode and anode. The inter electrode electron temperature and density were measured by Langmuir probe.
Park, Ho-Bum;Nam, Sang-Yong;Jang, Jeong-Gyu;Lee, Young-Moo
Korean Membrane Journal
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v.4
no.1
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pp.25-35
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2002
The gas permeation properties have been studied on carbon molecular sieve (CMS) membranes prepared by pyrolysis of P84 polyimide under various conditions. P84 polyimide shows high permselectivities (O$_2$/N$_2$= 9.17 and CO$_2$/N$_2$= 35) for various gas pairs and has a good processibility because it is easily soluble in high polar solvents such as N-methylpyrrolidinone (NMP), dimethylformamide (DMF), and N,N-dimethylacetamide (DMAc). After pyrolysis under Ar flow, the change in the heating rate was found to affect the gas permeation properties to some extent. The permeabilities of the selected gases were shown to be in the order He > CO$_2$> O$_2$> N$_2$for all the CMS membranes, whose order was in accordance with the order of kinetic gas diameters. It also revealed that the pyrolysis temperature considerably influenced the gas permeation properties of the CMS membranes derived from P84 polyimide. The CMS membranes pyrolized at 700$\^{C}$ temperature exhibited the highest permeability with relatively targe loss in permselectivity. This means that the pyrolysis temperature should be varied in accordance with target gases to be separated.
The most important techniques in the synthesis of SiC/C function gradient material (FGM) are to control the SiC/C ratio and to obtain the moderate deposition rate. For these, various gas systems and flow rates were attempted and evaluated. It turned out that the CH4+SiCl4+H2 system was suitable for the deposition of SiC-rich layers, the C3H8+SiCl4+Ar system for the deposition of carbon-rich layers, and the C3H8+SiCl4+H2+Ar system was good to deposit the layers between them.
PE piping, which has advantages in terms of construction convenience and economy, is widely used for underground burial in the domestic urban gas field. These PE pipes use squeeze-off in many sites to block gas flow during maintenance and repair work. Squeeze-off refers to a method of compressing a PE pipe to block fluid flow, and damage may occur due to the nature of construction in which the pipe is deformed by physical force. In order to prevent damage to PE pipes due to squeeze-off, the main points to be reflected in the squeeze-off operation procedures such as proper compression range, use pressure, and diameter were derived through damage assessment and confidential test according to the compression rate. The compression experiment for PE pipe damage assessment was conducted while changing the compression rate (20%~40%), the pressure of use (2.8 kPa, 25 kPa, 70 kPa), and the pipe diameters (63 mm, 90 mm, 110 mm). As a result of damage assessment according to the compression rate, damage occurred in pipes with compression rates of 45%(110mm) and 73%(63mm), which are for analyzing the effect of excessive compression. In addition, the leakage test was conducted using Ar(argon) during the squeeze-off, and as a result of the experiment, leakage occurred under the conditions of 70kPa and 110mm of pipe. As a result of this study, it was confirmed that squeeze-off for airtightness should be carried out in pipes within a range not exceeding 25 kPa and 90 mm pipes, and the appropriate compression rate to prevent damage to PE pipes is 30%.
Two sets of thermal reaction experiment for chlorinated hydrocarbons were performed using an isothermal tubular-flow reactor in order to investigate thermal decomposition, including product distribution of chlorinated hydrocarbons. The effects of $H_2$ or Ar as the reaction atmosphere on the thermal decomposition and product distribution for dichloromethane($CH_2Cl_2$) was examined. The experimental results showed that higher conversion of $CH_2Cl_2$ was obtained under $H_2$ atmosphere than under Ar atmosphere. This phenomenon indicates that reactive-gas $H_2$ reaction atmosphere was found to accelerate $CH_2Cl_2$ decomposition. The $H_2$ plays a key role in acceleration of $CH_2Cl_2$ decomposition and formation of dechlorinated light hydrocarbons, while reducing PAH and soot formation through hydrodechlorination process. It was also observed that $CH_3Cl,\;CH_4,\;C_2H_6,\;C_2H_4$ and HCl in $CH_2Cl_2/H_2$ reaction system were the major products with some minor products including chloroethylenes. The $CH_2Cl_2$/Ar reaction system gives poor carbon material balance above reaction temperature of $750^{\circ}C$. Chloroethylenes and soot were found to be the major products and small amounts of $CH_3Cl$ and $C_2H_2$ were formed above $750^{\circ}C$ in $CH_2Cl_2$/Ar. The thermal decomposition reactions of chloroform($CHCl_3$) with argon reaction atmosphere in the absence or the presence of $CH_4$ were carried out using the same tubular flow reactor. The slower $CH_3Cl$ decay occurred when $CH_4$ was added to $CH_3Cl$/Ar reaction system. This is because :$CCl_2$ diradicals that had been produced from $CHCl_3$ unimolecular dissociation reacted with $CH_4$. It appears that the added $CH_4$ worked as the :$CCl_2$ scavenger in the $CHCl_3$ decomposition process. The product distributions for $CHCl_3$ pyrolysis under argon bath gas were distinctly different for the two cases: one with $CH_4$ and the other without $CH_4$. The important pyrolytic reaction pathways to describe the important features of reagent decay and intermediate product distributions, based upon thermochemistry and kinetic principles, were proposed in this study.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.74-77
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2002
The channel of the superconducting Flux Flow Transistor has been fabricated with plasma etching method using ICP. The ICP conditions were 700 W of ICP power, 150 W of rf chuck power, 5 mTorr of the pressure in chamber and 1:1 of Ar : Cl$_2$, respectively. The channel etched by plasma gas showed superconducting characteristics of over 77 K and superior surface morphology. The critical current of SFFT was altered by varying the external applied current. As the external applied current increased from 0 to 12 mA, the critical current decreased from 28 to 22 mA. Then the obtained r$\sub$m/ values were smaller than 0.1Ω at a bias current of 40 mA. The current gain was about 0.5. Output resistance was below 0.2 Ω.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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