• 대한화학회지
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• 제51권6호
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• pp.499-505
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• 2007

세자리 비스(이미노)알릴 (N,C,N-집게발) 리간드를 가진 단핵 Ni(II) 착물을 발표하고자 한다. 새로운 착물(2,6-(ArN=CH)2C6H3)NiBr (Ar=2,6-dimethylphenyl (1), 2,6-diisopropylphenyl (2))은 산화성 첨가반응에 의해 Ni(COD)2 (COD=1,5-cyclooctadiene)와 1,3-(ArN=CH)2C6H3Br (bis(N-Ar)-2-bromoisophthalaldimine: Ar=Ph-2,6-Me2, Ph-2,6-iPr2) 으로부터 높은 수율로 합성하였다. 리간드와 니켈 착물에 대한 개선된 합성경로에 대하여 설명하고자 한다. 니켈(II) 착물 1, 2는 적외선 분광학, 수소-핵자기공명, 그리고 원소분석에 의해 구조를 밝혔다. 합성한 니켈 착물을 촉매로 사용하여 에틸렌 중합반응을 시도하였으나 목적하는 에틸렌고분자는 얻어지지 않고 소량의 올리고머가 형성되었다. 본 연구에서 합성한 니켈 착물이 에틸렌고분자 촉매반응에 활성을 보이지 않는 이유는 아마도 집게발 착물의 높은 경직성과 리간드의 비치환성 때문에 반응에 필요한 적합한 조건을 제공하지 못 했다고 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.361-365
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• 2003

Planar Inductively Coupled Plasma (PICP) etching of InGaP was performed in $BCl_3,\;BCl_3/Ar\;and\;BCl_3/Ne$ plasmas as a function of ICP source power ($0\;{\sim}\;500\;W$), RIE chuck power ($0\;{\sim}\;150\;W$), chamber pressure ($5\;{\sim}\;15\;mTorr$) and gas composition of $BCl_3/Ar\;and\;BCl_3/Ne$. Total gas flow was fixed at 20 sccm (standard cubic centimeter per minute). Increase of ICP source power and RIE chuck power raised etch rate of InGaP, while that of chamber pressure reduced etch rate. We also found that some addition of Ar and Ne in $BCl_3$ plasma improved etch rate of InGaP. InGaP etch rate was varied from $1580\;{\AA}/min$ with pure $BC_3\;to\;2800\;{\AA}/min$ and $4700\;{\AA}/min$ with 25 % Ar and Ne addition, respectively. Other process conditions were fixed at 300 W ICP source power, 100 W RIE chuck power and 7.5 mTorr chamber pressure. SEM (scanning electron microscopy) and AFM (atomic force microscopy) data showed vertical side wall and smooth surface of InGaP at the same condition. Proper addition of noble gases Ar and Ne (less than about 50 %) in $BCl_3$ inductively coupled plasma have resulted in not only increase of etch rate but also minimum preferential loss and smooth surface morphology by ion-assisted effect.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.38-48
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• 2020

본 연구에서는 VR/AR의 실제 이용자가 많지 않은 상황에 주목하여 스마트폰을 활용하여 쉽게 접할 수 있는 AR콘텐츠에 대한 이용자들의 채택 및 이용 과정을 기술 채택 및 이용 확산의 관점에서 탐색하였다. 그 결과 AR콘텐츠 '필요성'에 영향을 미치는 요인은 '즐거움'과 '만족감'의 요인으로 나타났으며, '혁신성'과 '유사미디어 이용경험', 'AR이용기간'의 요인들은 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 아울러 AR콘텐츠의 이용 경험에 따른 '즐거움', '만족감', '필요성'에 대한 차이를 검증한 결과 즐거움과 만족감만이 이용 경험에 따른 차이를 나타내어 AR콘텐츠의 이용경험이 '필요성'과는 관련이 없는 것으로 분석되었다. 즉, 20대 이용자들은 즐거움과 만족감이 기대될 때, AR콘텐츠를 적극적으로 이용하는 것으로 해석될 수 있으나, AR콘텐츠에 대한 이용자들의 인식이 유희적 수준에 머물러 있음을 확인할 수 있다. 따라서 본 연구를 통해 초기 AR콘텐츠 이용자들의 인식 및 이용 행태의 경향성을 분석해본 바, 초기 이용자 집단의 이해에 중요한 시사점이 될 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.133-138
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• 2019

현대 사회에서 급부상한 분야의 대표적인 하나가 SNS이고, 최근 각광을 받고 있는 기술이 AR 기술이다. 본 논문에서는 SNS에 AR기술을 접목하여, 새로운 형태의 커뮤니티 기능을 제공하고 관련 기술을 개발하고자 한다. 본 논문에서 개발한 시스템은 현재 위치에서 AR 메시지 띄우기, AR을 이용한 길 찾기 등 위치정보와 AR을 응용한 커뮤니티 기능들을 제공하여 사용자들간의 차별화된 소통을 제공한다. 뿐만 아니라, 본 논문은 위치 정보 기반 증강현실 구현을 위해 필수적인 지도정보를 얻기 위한 방법으로 기존 지도 API의 특성을 고려하여 기존 지도 API 활용 방법을 제시한다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제28권5호
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• pp.93-98
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• 2010

The properties of GTA weld for ferritic stainless steel have been studied with different $O_2$ contents in Ar shielding gas at the constant welding speed. A small amount of $O_2$ (0.01~1.0%) was mixed in Ar shielding gas in order to improve the weld penetration. The fully penetrated GTA weld was acquired at 160A weld current shielded by pure Ar gas. Addition of oxygen larger than 0.1% made a full penetration at lower weld current than 160A. The small addition of $O_2$ in Ar shielding gas improved the penetration properties of GTA weld because the $O_2$ in the molten pool accelerated the flow of molten pool and changed the flow pattern from outward to inward direction. The impact energy and DBTT (Ductile- Brittle- Transition-Temperature) of the GTA weld shielded by Ar+$O_2$ (less 0.3%) was similar and the corrosion properties of GTA weld was slightly inferior to those of GTA weld shielded by pure Ar gas.

• 한국재료학회지
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• 제31권3호
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• pp.162-171
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• 2021

Dry etching of copper thin films is performed using high density plasma of ethylenediamine (EDA)/hexafluoroisopropanol (HFIP)/Ar gas mixture. The etch rates, etch selectivities and etch profiles of the copper thin films are improved by adding HFIP to EDA/Ar gas. As the EDA/HFIP concentration in EDA/HFIP/Ar increases, the etch rate of copper thin films decreases, whereas the etch profile is improved. In the EDA/HFIP/Ar gas mixture, the optimal ratio of EDA to HFIP is investigated. In addition, the etch parameters including ICP source power, dc-bias voltage, process pressure are varied to examine the etch characteristics. Optical emission spectroscopy results show that among all species, [CH], [CN] and [H] are the main species in the EDA/HFIP/Ar plasma. The X-ray photoelectron spectroscopy results indicate the formation of CuCN compound and C-N-H-containing polymers during the etching process, leading to a good etch profile. Finally, anisotropic etch profiles of the copper thin films patterned with 150 nm scale are obtained in EDA/HFIP/Ar gas mixture.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.127-128
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• 2009

CCP방식의 식각에 있어서 CF4/O2 Plasma Etch에 Ar을 첨가함으로써 Etch특성이 어떻게 변화하는지를 조사하였다. FE-SEM를 이용하여 Etch Profile를 측정하였다. 또한 Elipsometer와 Nanospec을 이용하여 Etch rate를 측정하였다. Ar의 비율이 전체의 47%정도를 차지하였을 때까지 Etch Profile이 향상되었다가 그이후로는 다시 감소하는 것을 볼 수 있었다. Ar을 첨가할수록 etch rate은 계속 향상되었다. Ar을 첨가하는 것은 물리적인 식각으로 반응하여 Etch rate의 향상과 적정량의 Ar을 첨가했을 때 Etch profile이 향상되는 결과를 얻었다.

• 공업화학
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• 제26권4호
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• pp.400-405
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• 2015

Tetraethylorthosilicate (TEOS)를 전구체로서 이용하여 제조된 기존의 반사방지(AR; anti-reflective) 코팅막은 대부분 수분을 쉽게 흡수할 뿐만 아니라 낮은 내마모성을 갖는다. 본 연구에서는 AR 코팅막의 투과율, 소수성 및 내마모성을 향상할 목적으로 전구체로서 methyltrimethoxysilane (MTMS)를 사용하고 불소 실란, 산 촉매, 염기 촉매 및 산-염기 2단계 촉매를 첨가하여 다양한 AR 코팅막을 제조하였다. 제조된 AR 코팅막은 UV-Vis, 접촉각 측정기, AFM, 연필경도 및 부착성 시험을 통해 특성을 분석하였다. 그 결과, 경화온도가 $300^{\circ}C$일 때 코팅되지 않은 유리 기판의 투과율은 90.5%인 반면, AR 코팅된 유리 기판의 투과율은 94.8%로 증가하였다. 불소 실란을 첨가한 경우, 소수성이 크게 향상되었음을 나타내듯이 AR 코팅막 표면에서의 접촉각은 $96.3^{\circ}$에서 $108^{\circ}$까지 증가하였다. AR 코팅막의 내마모성은 산 촉매에 의해 향상되었으며, 그것의 투과율은 염기 촉매에 의해 증가하였다. 산-염기 2단계 촉매 반응에 의해 제조한 AR 코팅막의 경우, 상승 효과에 의해 촉매의 도입 없이 제조된 AR 코팅막과 비교하여 투과율 및 내마모성이 향상되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권8호
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• pp.886-892
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• 1994

Structural and electrical properties of BaTiO3 thin films deposited on Pt/SiO2/Si substrates by RF magnetron sputtering method have been investigated. Crystallization behavior and electrical properties were studied for the films deposited under various sputtering gas compositions (Ar+O2 gas mixture) and substrate temperatures. All the films deposited above 50$0^{\circ}C$ were all crystallized and their preferred orientation changed from (001) to (111) with the addition of oxygen gas. The dielectric constant of films deposited in pure argon was about 110 and showed little dependence on the substrate temperature. But that was increased as the ratio of O2/Ar increased and its substrate temperature dependence was discernible. The highest dielectric constant reached to 550. In addition, the films deposited in mixed gas showed stable dielectric properties against the frequency and temperature.

• 한국표면공학회지
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• 제29권6호
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• pp.648-653
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• 1996

Hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) films are prepared by rf plasma CVD in a $CH_4$ source gas system diluted with Ar of $H_2$. The spectra of emissive and reactive species in the plasma are detected using in stiu optical emission spectroscopy. Inaddition, the relationship between the film properties which can be varied by the deposition parameters and the Raman spectra is studied. In the $CH_4/H_2$ gas system, the emission intensities of CH and $H \tau$ decrease and those of $H \alpha$, $H \beta$, $C_2$ and Ar increase with increasing $H_2$ concentration, The formation of $C_2$ and CH in the $CH_4/Ar/H_2$ gas system is greatly suppressed by hydrogen addition and the excess of hydrogen addition is found to form graphite structure. The $C_2$ formation in the gas phase enhances a-C:H film formation.