• 한국세라믹학회지
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• 제41권1호
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• pp.57-61
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• 2004

Zinc Oxide (ZnO)은 wurtzite 결정구조를 가지고 있으며, 밴드갭 에너지가 약 3.3eV로 반도성 산화물이다. $In_2O_3$이 첨가된 ZnO 박막을 점자빔증착법을 이용하여 1737F 유리기판에 제조하였다. $400^{\circ}C$의 증착온도에서 $In_2O_3$의 첨가량에 따른 ZnO 박막의 결정성, 미세구조를 비롯한 전기.광학적 특성을 조사하였다. 첨가되는 $In_2O_3$의 양에 따라 투명전도성 산화막으로써의 ZnO 박막의 특성이 변화되었다. $In_2O_3$의 첨가량이 감소할수록 비정질상에서 결정성의 ZnO 막을 얻을 수 있었다. 0.2at%의 $In_2O_3$가 첨가된 출발물질에서 제조된 $In_2O_3$-doped ZnO막은 약 $6.0 {\times} 10^{-3} {\Omega}cm$ 정도의 비저항값과 가시광선 영역에서 85% 이상의 광투과도를 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.436-439
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• 2002

Recently, It has performed that the basic research of the photoconductive material and the development and application of the digital radiograph detector which is divided into the direct and indirect method. The objective of this study investigate the effect of the electric characteristic about changing the composition of Arsenic in hybrid detector system for compensating a defect of conventional. We fabricated samples using the amorphous Selenium and Arsenic alloy with various concentrations of the Arsenic{seven step 0.1%, 0.3%, 0.5%, 1%, 1.5%, 3%, 5%). And using EFIRON optical adhesives the formed multi-layer$(Gd_{2}O_{2}S(Eu^{2+}))$ composed phosphor layer. X-ray and light sensitivity was measured to study x-ray response characteritics. As results, highest value was measured as output net charge and SNR were $315.7pC/cm^2/mR$ and 99.4 at 0.3%As doping ratio.

• 한국자기학회지
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• 제6권5호
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• pp.317-322
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• 1996

RF magnetron reactive sputtering 법으로 Fe-Zr-N 박막을 제작하여 열처리 온도와 질소 분압의 변화에 따른 포화자화, 보자력, 고주파에서의 투자율 그리고 열적 안정성을 조사하였다. Fe-Zr-N 박막은 비정질과 결정질의 경계 조성인 $Fe_{72-78}Zr_{7-10}N_{15-18}$의 조성범위에서 연자성을 나타내었다. 이러한 박막은 포화자속밀도 1.55 T, 1 MHz에서의 실효 투자율은 3000 이상의 연자성을 나타내고 열처리 온도 $550^{\circ}C$ 까지도 실효투자율 2500 정도의 열적 안정성을 나타내었다. X-선 회절 분석 결과 열처리에 의해서 ZrN 미결정이 석출하여 $\alpha-Fe$ 결정 성장이 억제되어 우수한 연자기적 성질이 나타난다고 판단된다. 이때 $\alpha-Fe$ 입자 크기는 $40~50\AA$, ZrN의 입자 크기는 $10~15\AA$이었다.

• 한국재료학회지
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• 제20권2호
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• pp.97-103
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• 2010

In this study, a new, relatively simple fabrication method for forming a mesoporous $Al(OH)_3$ film on Al substrates was demonstrated. This method, i.e., alkali surface modification, was simply comprised of dipping the substrate in a $5\times10^{-3}$ M NaOH solution at $80^{\circ}C$ for one minute and then immersing it in boiling water for 30 minutes. After alkali surface modification, a mesoporous $Al(OH)_3$ film was formed on the Al substrate, and its chemical state and crystal structure were confirmed by XPS and TEM. According to the results of the XPS analysis, the flake-like morphology after the alkali surface modification was mainly composed of $Al(OH)_3$, with a small amount of $Al_2O_3$. The mesoporous $Al(OH)_3$ layer was composed of three regions: an amorphousrich region, a region of mixed amorphous and crystal domains, and a crystalline-rich region near the $Al(OH)_3$ layer surface. It was confirmed that the stabilization process in the alkali surface modification strongly influenced the crystallization of the mesoporous $Al(OH)_3$ layer.

• 폴리머
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• 제30권2호
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• pp.175-181
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• 2006

본 연구에서는 폴리프로필렌을 소재로 열유도 상분리 공정과 연신공정을 적용한 복합공정을 통하여 중공사막을 제조하였다. 희석제로는 soybean oil을 사용하였고 구정의 조절을 위하여 benzoic acid를 기핵제로 사용하여 연신용 전구체를 제조하였고 이를 연신하여 다공성 중공사막을 제조하였다. 연신공정에서 연신율과 변형속도의 영향을 조사하였는데 연신율이 높을 때는 미세공의 크기가 커지면서 불균일한 미세공이 생성되었고 변형속도가 높을 때는 균일한 크기의 미세공 분포도를 보이며 미세공의 크기가 커졌다. 연신율이 증가할수록 고분자 사슬의 배향도가 높아지면서 인장강도가 향상되었고 변형속도가 높아지면서 결정성 영역의 고분자 사슬의 배향도는 변하지 않았으나, 무정형 영역의 고분자 사슬 배향도가 낮아지면서 전체적인 중공사막의 인장강도는 저하되었으며 상대적으로 약한 spherulite를 연결하는 micro-fibril이 끊어지면서 미세공의 병합이 이루어져 원형의 기공이 형성되었다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제51권8호
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• pp.1983-1990
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• 2019

Spray deposited Molybdenum trioxide (MoO₃) thin film of thickness nearly 379 nm were irradiated with 200 MeV Ag¹⁵⁺ ion beam at different fluences (Ø) of 5 ×10¹¹, 1 × 10¹², 5 × 10¹² and 1 × 10¹³ ions/㎠. The X-ray diffraction (XRD) pattern of the pristine film confirms orthorhombic structure and the crystallinity decreased after irradiation with the fluence of 5 × 10¹¹ ions/㎠ due to irradiation induced defects and became amorphous at higher fluence. In pristine film, Raman modes at 665, 820, 996 cm^-1 belong to Mo-O stretching, 286 cm^-1 belong to Mo-O bending mode and those below 200 cm^-1 are associated with lattice modes. Raman peak intensities decreased upon irradiation and vanished completely for the ion fluence of 5 ×10¹² ions/㎠. The percentage of optical transmittance of pristine film was nearly 40%, while for irradiated films it decreased significantly. Red shift was observed for both the direct and indirect band gaps. The pristine film surface had densely packed rod like structures with relatively less porosity. Surface roughness decreased significantly after irradiation. The electrical transport properties were also studied for both the pristine and irradiated films by Hall effect. The results are discussed.

• 접착 및 계면
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• 제14권2호
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• pp.82-87
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• 2013

본 연구에서는 레졸, 질산철 그리고 트리블럭 공중합체를 이용하여 직접 탄화과정에 의해 자성체 나노입자가 분산된 탄소나노세공체를 합성하였다. 나노세공 마그네타이트/카본($Fe_3O_4$/carbon) 나노복합체는 낮은 마그네타이트 함량(1 wt%)을 가지고 잘 배열된 이차원적 육방체 구조(p6mm)를 보이며, 균일한 세공크기(3.6 nm), 높은 표면적(635 $m^2/g$)과 세공부피(0.48 $cm^3/g$)를 가진다. 작은 입자크기(10.2 nm)를 가지는 마그네타이트 나노입자는 초상자기성(7.7 emu/g)을 보이고 탄소 세공벽 내에 잘 분산되었다. 나노세공 마그네타이트/카본 물질은 최대 995 mg/g의 아이부프로펜 흡착량을 보였다. 또한, 자석을 이용하여 용액과 나노세공 마그네타이트/카본 물질의 분리가 용이하였다. 본 연구에서 제조된 나노복합체는 우수한 아이부프로펜 흡착제로 작용하였다.

• 한국재료학회지
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• 제27권1호
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• pp.32-38
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• 2017

Insulating $TaN_x$ films were grown by plasma enhanced atomic layer deposition using butylimido tris dimethylamido tantalum and $N_2+H_2$ mixed gas as metalorganic source and reactance gas, respectively. Crossbar devices having a $Pt/TaN_x/Pt$ stack were fabricated and their electrical properties were examined. The crossbar devices exhibited temperature-dependent nonlinear I (current) - V (voltage) characteristics in the temperature range of 90-300 K. Various electrical conduction mechanisms were adopted to understand the governing electrical conduction mechanism in the device. Among them, the PooleFrenkel emission model, which uses a bulk-limited conduction mechanism, may successfully fit with the I - V characteristics of the devices with 5- and 18-nm-thick $TaN_x$ films. Values of ~0.4 eV of trap energy and ~20 of dielectric constant were extracted from the fitting. These results can be well explained by the amorphous micro-structure and point defects, such as oxygen substitution ($O_N$) and interstitial nitrogen ($N_i$) in the $TaN_x$ films, which were revealed by transmission electron microscopy and UV-Visible spectroscopy. The nonlinear conduction characteristics of $TaN_x$ film can make this film useful as a selector device for a crossbar array of a resistive switching random access memory or a synaptic device.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권5호
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• pp.11-16
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• 2006

본 연구는 SiOC 박막의 비정질 정도와 유전상수와의 상관성에 관하여 정리하고 있다. 고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의해 증착된 SiOC 박막은 bistrimethyl- silylmethane와 산소가 혼합된 개스 소스의 유량비를 다르게 하였다. 증착된 박막과 $400^{\circ}C$ 열처리된 박막은 XRD분석방법을 적용하여 비정질도를 유추하였다. 적량분석을 위해서 각 시료들의 회절패턴을 푸리에 해석에 의해 동경분포함수로 변환하고 비교하였다. 열처리한 박막의 비정질도는 증착한 박막에 비하여 결정도가 높았다. 유량비에 따라서 유전상수가 변하였으며, 유전상수는 열처리 후 비정질도가 가장 큰 박막에서 가장 낮게 나타났다.

• 한국세라믹학회지
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• 제43권12호
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• pp.781-787
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• 2006

NiO-coated YSZ powder was prepared using heterogeneous precipitation of Ni hydroxides on YSZ particle surface and high energy milling. The powders were characterized by TG/DTA, XRD, XPS, and SEM. Amorphous Ni precipitate completely decomposed into NiO at $500^{\circ}C$ and the growth of NiO crystallites was constrained by the core particles. Nanocrystalline NiO-coated YSZ core-shell structure powder could be obtained after calcination at $800^{\circ}C$ for 2 h. A core-shell powder compact, due to high sinterability, showed a near theoretical density at $1350^{\circ}C$. After reduction at $900^{\circ}C$, interpenetrating Ni-YSZ microstructure with very uniformly distributed fine Ni and YSZ grains and pores was observed. In contrast, the mechanically mixed oxide sample showed less uniform distribution of pores and larger discontinuous We particles as compared with the core-shell samples.