• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.190-190
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• 2003

현재 a-Si TFT는 평판 디스플레이 소자로서 주로 사용되고 있으나 점차 고속응답속도 특성, 고화질이 요구됨에 따라 높은 전계효과 이동도를 가진 poly-Si TFT로 대체하기 위한 연구가 진행되고 있으며 특히 poly-Si TFT를 상용 유리 기판에 적용하기 위해 비정질 실리콘의 저온 결정화에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 극박막의 Ni을 선택적으로 증착하여 전계 유도방향성 결정화 (Field Aided Lateral Crystallization : FALC) 공정을 이용하여 결정화를 진행하였으며 전계를 인가하지 않은 경우와 전계를 인가한 경우, 전계 세기에 따른 결정화에 대하여 비교하였다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.8 no.5
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• pp.49-55
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• 1994

평판 디스플레이용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적인 특성과 수학적인 모델에 대하여 연구되었고 이론적인 모델은 실험을 통하여 그 타당성을 입증하였다. 게이트전압이 고정된 상태에서 드레인 전압 증가에 따른 드레인 포화전류는 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 증가될수록 더 증가되었으며 문턱전압은 감소되었다. 세 개의 변수로 구성된 디바이스의 전달특성과 출력특성에 대한 실험 결과값에 대한 모델식이 제시되었는데 이 모델은 디비이스의 기하학적인 구조를 간단화 하기위한 모델식이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1223_1224
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• 2009

광센서가 내장된 새로운 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 터치 디스플레이를 제시하였다. 16 인치 AMLCD의 모델을 구현하여 터치 패널을 성공적으로 작동시켰다. 본 시스템은 입력된 이미지로부터 실시간으로 정보를 추출해야 하는 복잡한 기존의 방식을 사용하지 않으면서 터치 포인트의 위치를 제공한다. 이 시스템의 간단한 구조를 통하여 대면적 터치 패널 디스플레이를 구현할 수 있다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.2
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• pp.147-151
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• 1993

PECVD에 의해 Burried gate 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작하여 포화 전압 대 전류 특성에 대하여 새로운 해석을 하였고 해석 결과는 실험적으로 증명되었다. 본 연구의 결과 실험된 전달특성과 출력특성을 모델화 하였는데 이 모델식은 I$_{D}$와 V$_{G}$의 실험결과에서 얻어지는 3가지 함수를 기본으로 모델화 되었다. 포화 드레인 전류는 V$_{G}$가 증가할수록 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 커질수록 증가되었으며 문턱전압은 감소됨을 보였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2008.10a
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• pp.20-23
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• 2008

We proposed a-Si:H TFT (hydrogenated amorphous silicon thin film transistor) level shifter which reduced number of power sources. To reduce the number of power sources from four to two, modified bootstrapped inverter was used for the level shifter. The shift register was verified by PSPICE circuit simulation and fabricated. The fabricated level shifter successfully shifted low input (0 to 5 V) to high level output (-7 to 23 V).

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2006.08a
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• pp.715-717
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• 2006

$NiCl_2$ vapor was introduced into conventional furnace to conduct vapor-induced crystallization (VIC) process. We made the metal chloride atmosphere by sublimating the $NiCl_2$ compound. The $NiCl_2$ atmosphere enhanced the crystallization of amorphous silicon thin films. As the result, polycrystalline Si film with large grain size and low metal contamination has been obtained.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2006.08a
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• pp.540-543
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• 2006

LTPS TFT backplanes for AM OLED displays have advantages in regard to reliability and performance compared to TFT backplanes based on amorphous silicon. However, the requirements for homogeneous laser crystallization during LTPS process are much higher than for LCD backplanes. Most important is the energy stability of the laser source. In this paper we describe a new excimer laser which meets the requirements of LTPS manufacturing process with high homogeneity.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2005.07b
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• pp.968-971
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• 2005

Amorphous silicon photo diodes incorporated in a polyLED stack are applied in in pixel opticalfeedback to compensate for polyLED degradation. Large quantum efficiencies and perfect linearity are demonstrated. The photosensitivity is in agreement with optical modeling of the stack. A new scheme for ambient and cross talk light cancellation is given.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2003.07a
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• pp.1131-1134
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• 2003

A low temperature doping technique has been studied for application in poly-Si TFT's on plastic substrates. Heavily-doped amorphous silicon layers were deposited on poly-Si and the dopant atoms were driven in by subsequent excimer laser annealing. The entire process was carried out under a substrate temperature of $120^{\circ}C$, and a sheet resistance as low as $300 {\Omega}/sq$. was obtained.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2000.11b
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• pp.33-36
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• 2000

Active-controlled field emitter arrays (ACFEAs) are developed by monolithically integrating molybdenum field emitter arrays with amorphous silicon thin film transistors (a-Si：H TFTs) on glass substrate. Transfer and output characteristics of the fabricated ACFEAs showed that the emission currents of FEAs can be accurately controlled by the gate bias voltages of TFTs. Also, the emission currents of the ACFEAs kept stable without any fluctuations during the 30 min-operation.