• 제목/요약/키워드: Alpha $Bi_2O_3$

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고주파용 절연재료로서의 Forsterite 자기에 관한 연구 (I) (Forsterite의 결정질과 유리상) (A Study on the Forsterite Porcelain as a High Frequency Insulator (I) (Crystalline and Glassy Phases of Forsterite))

  • 이웅상;황성연
    • 한국세라믹학회지
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    • 제18권1호
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    • pp.13-22
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    • 1981
  • This study is to investigate the effective mineralizer in the manufacture of forsterite porcelain as a high frequency insulator. A mixture of $Mg(OH)_2$. and $SiO_2$.($\alpha$-Quartz) corresponding to the molar ratio of 2.0 MgO: 1.0 $SiO_2$ was prepared from the materials of high purity. It was heated to 140$0^{\circ}C$ at the rate of 20$0^{\circ}C$/hr, which was kept constantly for 1 hour, and one has made chamotte after cooling. Six kinds of glasses were prepared by an 0.1 atomic equivalent of K ions substitution-Ba, Bi, Zn, Cd, Zr-to the basic K-glass (0.333 $K_2O$.1.14 $SiO_2$) and were melted approximately at 150$0^{\circ}C$. The forsterite bodies were provided by adding each glass (10, 15, 20, 25, 30%) to the forsterite chamotte, which was fired at 1320, 1360, 1400, 144$0^{\circ}C$. (1 hr). One has examined the physical and dielectric properties for the specimens. The results of the experiments are as follows; 1. As for water absorption: Bodies were better vitrified with an addition and temperature change of Ba, Bi, Zn-glasses. The specimen containing Cd-glass showed deviation of slow decreasing, where as K-glass was completely not vitrified. 2. Bodies containing Ba, Zn, Bi-glasses appeared comparatively high Modulus of Rupture at 136$0^{\circ}C$, while containing Zr-glass had the highest Modulus of Rupture as the addition changes remarkably at 140$0^{\circ}C$. 3. It was estimated that 20-25% glass present in a forsterite bodies were in good conditions as for physical properties. 4. Specimens of Ba, Bi, Zr-glasses were superior as for dielectric properties, where among Ba-glass was most excellent. 5. Dielectric constant commonly increases in a slight gradient as firing temperature rises. 6. The petrographic examination showed that the bodies containing Ba, Bi-glasses had fine crystals, and were observed distinctly large mosaic crystals in the Zn-glass.

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MnO2가 도핑된 무연 High Tc (>165℃) BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3 세라믹의 PTCR 특성 향상 (Enhancement of PTCR Characteristics of MnO2 Doped Lead Free BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3 Ceramics with High Tc (>165℃))

  • 김경범;장용호;김창일;정영훈;이영진;백종후;이우영;김대준
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제24권9호
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    • pp.723-727
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    • 2011
  • 0.935Ba$TiO_3$-0.065($Bi_{0.5}Na_{0.5}$)$TiO_3+xmol%MnO_2$ (BBNTM-x) ceramics with $0{\leq}x{\leq}0.05$ were fabricated with muffled sintering by a modified synthesis process. Their microstructure and enhanced positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) characteristics were systematically investigated in order to obtain lead-free high TC PTCR thermistors. All specimens showed a perovskite structure with a tetragonal symmetry and no secondary phase was observed. Grain growth was achieved when the doped MnO2 was increased above 0.02 mol%. This is due to the effect of positive Mn ion doping as an acceptor compensating a Ba vacancy occurred by the higher donor dopant concentration of $Bi^{3+}$ ion. Especially, enhanced PTCR characteristics of the extremely low ${\rho}_{RT}$ of $9\;{\Omega}{\cdot}cm$, PTCR jump of $5.1{\times}10^3$, ${\alpha}$ of 15.5%/$^{\circ}C$ and high $T_C$ of $167^{\circ}C$ were achieved for the BBNTM-0.04 ceramics.

$KNO_3$의 첨가가 ZNR (Zinc Oxide Nonlinear Resistor)에 미치는 영향에 관한 연구 (A study on the ZNR (Zinc Oxide Nonlinear Resistor) with $KNO_3$)

  • 안영필;김복희
    • 한국세라믹학회지
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    • 제17권3호
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    • pp.133-140
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    • 1980
  • Nonohmic properties of ZnO ceramics with various small amounts of additives were studied in relation to sintering temperature and additive content. The kinds of additives used were basic additives ($Bi_2O_3$, $BaCO_3$, $MnCO_3$, $Cr_2O_3$) and $KNO_3$ Especially this study has focused on the effects of $KNO_3$ in ZnO ceramics with basic additives. SEM studies indicated that microstructures of ZnO, $KNO_3$ and basic additives showed homogenuous grain size in comparison to ZnO and basic additives compounds. The nonohmic exponent ($\alpha$) in ZnO, $KNO_3$ and basic additives component were measured as high as 40.

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삼광광상의 모암변질과 원소분산 (Element Dispersion and Wallrock Alteration from Samgwang Deposit)

  • 유봉철;이길재;이종길;지윤경;이현구
    • 자원환경지질
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    • 제42권3호
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    • pp.177-193
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    • 2009
  • 삼광광상은 선캠브리아기 경기육괴의 화강편마암내에 발달된 단열대(NE, NW)를 따라 충진한 8개의 괴상맥으로 구성된 중열수 석영맥광상이다. 이 광상의 광화작용은 여러번의 단열작용에 의해 형성된 두시기의 석영+방해석시기(광화I시기)와 방해석시기(광화II시기)로 구성된다. 광화I시기의 열수작용에 의한 변질작용은 견운모화, 녹니석화, 탄산염화, 황철석화, 규화, 및 점토화작용등이 관찰되며 견운모대는 석영맥과 접촉한 부분에서 녹니석대는 석영맥으로부터 멀어짐에 따라 관찰된다. 견운모대의 모암변질광물은 대부분이 견운모 및 석영이며 일부 일라이트, 탄산염광물, 녹니석으로 구성된다. 녹니석대의 모암변질광물은 주로 녹니석, 석영과 소량 견운모, 탄산염광물 및 녹염석으로 구성된다. 견운모의 Fe/(Fe+Mg) 값은 0.45${\sim}$0.50(0.48$\pm$0.02)이며 백운모-펜자이트족에 해당되고 녹니석의 Fe/(Fe+Mg) 값은 0.74${\sim}$0.81(0.77$\pm$0.03)이고 대부분 브런스비자이트에 해당된다. 견운모와 녹니석에 대한 $Al_{IV}$-FE/(FE+Mg)의 다이어그램은 변질시 같은 광종의 견운모와 녹니석의 형성온도를 나타내는 지시자로써 유용하다. 이것은 계산된 녹니석 단종의 활동도가 $a3(Fe_5Al_2Si_3O_{10}(OH)_6$=0.0275${\sim}$0.0413, $a2(Mg_5Al_2Si_3O_{10}(OH)_6$=1.18E-10${\sim}$7.79E-7, $a1(Mg_6Si_4O_{10}(OH)_6$=4.92E-10${\sim}$9.29E-7로서 삼광광상의 녹니석은 iron-rich 녹니석으로 비교적 고온 (T>450$^{\circ}C$에서 모암과 평형상태에서 온도가 감소함에 따라 형성되었음을 알 수 있다. 모암변질시 ${\alpha}Na^+$, ${\alpha}K^+$, ${\alpha}Ca^{2+}$${\alpha}Mg^{2+}$는 각각 ${\alpha}Na^+$=0.0476($400^{\circ}C$), 0.0863($350^{\circ}C$), ${\alpha}K^+$=0.0154($400^{\circ}C$), 0.0231($350^{\circ}C$), ${\alpha}Ca^{2+}$=2.42E-11($400^{\circ}C$), 7.07E-10($350^{\circ}C$), ${\alpha}Mg^{2+}$=1.59E-12($400^{\circ}C$), 1.77E-11($350^{\circ}C$)이며 열수용액의 pH는 5.4${\sim}$6.4($400^{\circ}C$), 5.3${\sim}$5.7($350^{\circ}C$)로서 모암변질시 열수용액는 약산성이었음을 알 수 있다. 모암변질시 이득원소(부화원소)는 $TiO_2$, $Fe_2O_3(T)$,CaO, MnO, MgO, As, Ag, Cu, Zn, Ni, Co, W, V, Br, Cs, Rb, Sc, Bi, Nb, Sb, Se, Sn 및 Lu 등이며 특히 대부분의 광상에서 Ag, As, Zn, Sc, Sb, S,$CO_2$ 등의 원소가 현저하게 증가하므로 중열수 및 천열수 금-은광상의 탐사에 지시원소로서 활용될 수 있을 것이다.

Properties of $Sr_{0.8}Bi_{2.3}{(Ta_{1-x}Nb_{x})}_{2}O_{9+{\alpha}}$ Thin Films

  • Park, Sang-Jun;Jang, Gun-Eik
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제1권1호
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    • pp.22-25
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    • 2000
  • Polycrystalline SBTN layered ferroelectric thin film with various Nb mole ratios were prepared by sol-gel method Pt/ $SiO_2$/Si (100) substrates. The films were annealed at different temperature and characterized in terms of phase and microstructure. The films were crystallized with a high (105) diffraction intensity and had rodike structure, SBTN films fired at 800$^{circ}C$ revealed standard hysteresis loops with no fatigue for up to 10$^{10}$ cycles. At an applied voltage of 5V the dielectric constant($varepsilon$) , dissipation factor (tan $delta$), remanent polarization(ZPr) and coercive field(Ec) of typical S $r_{0.8}$B $i_{2.3}$(T $a_{1-x}$ N $b_{x}$) $O_{9+}$$alpha$/ thin film(x=0.1) prepared on Pt/ $SiO_2$/Si (100) were about 277.7, 0.042, 3.74$mu$C/$textrm{cm}^2$, and 24.8kv/cm respectively.ly.y. respectively.ly.y.y..

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주석 전기도금과 열압착본딩을 이용한 Bi2Te3계 열전모듈의 제작

  • 윤종찬;최준영;손인준;조상흠;박관호
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.129-129
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    • 2017
  • 열전재료는 열에너지를 전기에너지로 또는 전기에너지를 열에너지로 직접 변환하는데 가장 널리 사용되는 재료이다. $Bi_2Te_3$계 열전 재료는 400K 이하의 비교적 저온 영역에서 높은 성능지수(Dimensionless Figure of merit, ZT($={\alpha}2{\sigma}T/{\kappa}$, ${\alpha}$: 제백계수, ${\sigma}$: 전기전도도, T: 절대온도, ${\kappa}$: 열전도도))를 나타내는 열전재료이며 자동차 시트나 정수기 등에 응용되고 있다. 열전모듈은 제조시 수십 개에서 수백 개 이상의 n형 및 p형 열전소자를 알루미나($Al_2O_3$)와 같은 세라믹 기판(substrate) 상에 접합된 동 전극 위에 전기적으로 서로 직렬로 접합시켜 제조한다. 기존의 열전모듈의 제조방법에는 동 전극 위에 위에 Sn합금 분말과 플럭스(flux)의 혼합물인 솔더페이스트를 스크린 인쇄법을 사용하여 동 전극에 도포한 다음, 그 위에 열전소자를 얹고 약 520K의 열풍을 가하여 솔더를 용융시켜 열전소자와 동 전극을 접합시킨다. 스크린 인쇄법에서는 인쇄 압력이 일정하지 않으면, 솔더페이스트 층의 두께가 균일하지 않게 되어 열전소자 접합부의 불량을 유발시킨다. 그러나 열모듈은 단 하나의 접합 불량이 모듈 전체의 열전변환성능에 심각한 영향을 줄 수 있기 때문에 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 솔더페이스트를 도포하지 않고 열전소자를 직접 동 전극과 접합할 수 있는 방법을 고안하였다. 무전해도금을 이용한 니켈층을 형성시킨 $Bi_2Te_3$계 열전소자 표면에 약 $50{\mu}m$의 주석도금층을 전기도금법을 구사하여 형성시켰다. 그 후, wire cutting을 통하여 $3mm{\times}3mm{\times}3mm$의 크기로 절단한 주석도금된 열전소자를 동 전극에 얹고 1.1KPa의 압력을 가하면서 523K의 핫플레이트 위에서 3분간 방치하여 직접(direct) 열압착 접합을 실시하였다. 접합부의 단면을 SEM을 이용하여 관찰한 결과, 동 전극과 열전소자 사이의 계면에 용융 후 응고된 주석층이 결함없이 균일하게 형성된 양호한 접합부를 관찰할 수 있었다. 따라서, 솔더페이스트를 이용하지 않고, 열전소자 표면에 주석도금을 실시한 후, 동 전극과 직접 열압착 본딩을 실시하는 방법은 균일한 접합계면을 얻을 수 있는 새로운 공정으로 기대된다.

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A Possible Origin of Ferromagnetism in Epitaxial BiFeO3 thin Films

  • Chang, Jae-wan;Jang, Hyun M.;Kim, Sang-Koog
    • Journal of Magnetics
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    • 제11권3호
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    • pp.108-110
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    • 2006
  • We successfully enhanced the performance of a spin valve by inserting an ultra-thin layer of partially oxidized Fe in the pinned and free layers. With the exchange bias field kept large, the spin valve reached a GMR of 12%, which corresponded to a 55% increase in GMR when we compared it with that of spin valves without any inserted layer. The layer of partially oxidized Fe was more effective for improving the properties of the spin valve than the layer of partially oxidized $Co_{90}Fe_{10}$. Considering all the results, we can contribute the significant improvement to the combined effect of the modified local electronic structures at the Fe impurities and theenhanced spin-dependent reflections at the $\alpha-Fe_{2}O_{3} phase in the magnetic layer.

연속에너지 중성자에 대한 천연 Sm의 중성자 포획단면적 측정 (Measurement of Energy Dependent Differential Neutron Capture Cross-section of Natural Sm by Using a Continuous Neutron Flux below)

  • 윤정란
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제10권5호
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    • pp.337-341
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    • 2016
  • 중성자에너지 영역 0.003 eV에서 10 eV에 대해 천연 Sm의 Sm(n,${\gamma}$) 반응에 대한 중성자 포획단면적을 측정하였다. 교토대학교 원자로실험소의 46-MeV 전자선형가속기에서 발생되는 전자의 광핵반응에 의한 중성자를 사용하였고 TOF 방법으로 측정하였다. 사용한 검출기는 12개의 BGO($Bi_4Ge_3O_{12}$) 섬광체로 구성되었고 이 검출장치로 Sm(n,${\gamma}$) 반응으로부터 나오는 즉발감마선을 측정하였다. 검출장치는 중성자 생성 위치로부터 $12.7{\pm}0.02m$ 위치에 설치되었으며 $^{10}B(n,{\alpha}{\gamma})^7Li$ 반응을 이용해 Sm 시료에 입사되는 중성자 선속을 구하였다. 또한 중성자 선속의 변화를 확인하기 위해 $BF_3$ 검출기로 모니터링 하였다. Sm(n,${\gamma}$) 반응단면적 측정결과는 BROND 2.2에 의한 평가결과와 J. C. Chou 및 V. N. Kononov 의 측정값과 비교하였다.

Voltage Enhancement of ZnO Oxide Varistors for Various Y2O3 Doping Compositions

  • Yoon, Jung-Rag;Lee, Chang-Bae;Lee, Kyung-Min;Lee, Heun-Young;Lee, Serk-Won
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제10권5호
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    • pp.152-155
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    • 2009
  • The microstructure and the electrical properties of a ZnO varistor, which was composed of a ZnO-$Bi_2O_3$-$Sb_2O_3$-CoO- $MnO_2$ -NiO-$Nd_2O_3$ system, were investigated at various $Y_2O_3$ addition concentrations. $Y_2O_3$ played a role in the inhibition of the grain growth. As the $Y_2O_3$ content increased, the average grain size decreased from $6.8{\mu}m$ to $4{\mu}m$, and the varistor voltage($V_{1mA}$) greatly increased from 275 to 400 V/mm. The nonlinearity coefficient ($\alpha$) decreased from 72 to 65 with increasing $Y_2O_3$ amount. On the other hand, the leakage current ($I_L$) increased from 0.2 to 0.9 ${\mu}A$. These results confirmed that doping the varistors with $Y_2O_3$ is a promising production route for production of a higher fine-grained varistor voltage ($V_{1mA}$) which can dramatically reduce the size of the varistors.

Crystal Structure, Fluorescence Property and Theoretical Calculation of the Zn(II) Complex with o-Aminobenzoic Acid and 1,10-Phenanthroline

  • Zhang, Zhongyu;Bi, Caifeng;Fan, Yuhua;Zhang, Xia;Zhang, Nan;Yan, Xingchen;Zuo, Jian
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제35권6호
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    • pp.1697-1702
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    • 2014
  • A novel complex [$Zn(phen)(o-AB)_2$] [phen: 1,10-phenanthroline o-AB: o-aminobenzoic acid] was synthesized and characterized by elemental analysis and X-ray diffraction single-crystal analysis. The crystal crystallizes in monoclinic, space group P2(1)/c with $a=7.6397(6){\AA}$, $b=16.8761(18){\AA}$, $c=17.7713(19){\AA}$, ${\alpha}=90^{\circ}$, ${\beta}=98.9570(10)^{\circ}$, ${\gamma}=90^{\circ}$, $V=2.2633(4)nm^3$, Z = 4, F(000) = 1064, S = 1.058, $Dc=1.520g{\cdot}cm^{-3}$, $R_1=0.0412$, $wR_2=0.0948$, ${\mu}=1.128mm^{-1}$. The Zn(II) is six coordinated by two nitrogen and four oxygen atoms from the 1,10-phenanthroline and o-aminobenzoic acid to furnish a distorted octahedron geometry. The complex exhibits intense fluorescence at room temperature. Theoretical studies of the title complex were carried out by density functional theory (DFT) B3LYP method. CCDC: 898291.