• 센서학회지
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• 제23권3호
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• pp.207-210
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• 2014

$TiO_2$ oxide semiconductor is being widely studied in various applications such as photocatalyst and photosensor. Pd/$TiO_2$ gas sensor is mainly used to detect $H_2$, CO and ethanol. This study focus on increasing hydrogen detection ability of Pd/$TiO_2$ in room temperature through Al-doping. Pd/$TiO_2$ was fabricated by the hydrothermal method. Contacting to Aluminum (Al) foil led to Al doping effect in Pd/$TiO_2$ by thermal diffusion and enhanced hydrogen sensing response. $TiO_2$ nanoparticles were sized at ~30 nm of diameter from scanning electron microscope (SEM) and maintained anatase crystal structure after Al doping from X-ray diffraction analysis. Presence of Al in $TiO_2$ was confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy at 73 eV. SEM-energy dispersive spectroscopy measurement also confirmed 2 wt% Al in Pd/$TiO_2$ bulk. The gas sensing test was performed with $O_2$, $N_2$ and $H_2$ gas ambient. Pd/Al-doped $TiO_2$ did not response $O_2$ and $N_2$ gas in vacuum except $H_2$. Finally, the normalized resistance ratio ($R_{H2on}/R_{H2off}$) of Pd/Al-doped $TiO_2$ increases about 80% compared to Pd/$TiO_2$.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.144-145
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• 2002

Al$_2$O$_3$층을 터널 장벽으로 사용하는 Magnetic Tunnel Junction(MTJ)시료의 특성에 가장 크게 작용하는 요인 중에 한 가지는 양질의 Al산화막 형성에 있다. Al산화막이 터널 장벽으로 제대로 된 역할을 하기 위해서는 Al층에 인접한 자성층에 영향을 미치지 않으면서 Al층을 균일하게 산화시킬 수 있는 조건이 만족되어야 하며, 이러한 $Al_2$O$_3$층의 제작에 가장 적합한 실험적 조건은 Al층의 산화에 Low power plasma를 사용하며, 산화 Chamber내부를 되도록 높은 분압의 산소 분위기로 유지시켜서 조금씩 장시간 동안 Al을 산화시키는 것이다. (중략)

• 한국재료학회지
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• 제5권3호
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• pp.280-287
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• 1995

첨가제로 $Al_{2}$$O_{3}$가 포함된 ZnO 소결체가 타깃을 이용하여 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 Al이 첨가된 ZnO박막을 증착하고, 타깃에 첨가된 $Al_{2}$$O_{3}$의 농도와 증착시 스퍼터링장치내의 기판위치에 따른 박막의 물성 변화를 고찰하였다. 타깃의 $Al_{2}$$O_{3}$ 첨가농도가 2wt%인 경우에 비저항치 8 $\times$ $10_{-3}$ $\Omega$-cm인 박막이 증차되었다. 또한 $Al_{2}$$O_{3}$가 2wt%이상 첨가된 경우는 모든 Al이 박막내부에서 Zn를 치환하여 전자주게로의 역할을 하지 못하고, 오히려 치환되지 못한 Al원자의 중성 불순물 산란효과에 의해 박막의 비저항이 증가하였다. 타깃의 마모영역 위에서 증착된 Al을 첨가한 ZnO 박막은 그 영역 KR에서 증착된 박막보다 높은 비저항값을 나타냈으며, 이는 큰 에너지를 가지는 산소입자의 충돌에 기인한 것으로 여겨진다.

• 한국표면공학회지
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• 제29권2호
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• pp.120-131
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• 1996

In order to improve the mechanical properties and the high temperature oxidation resistance, aluminizing was carried out at a temperature range between $850^{\circ}C$ and $1050^{\circ}C$. The pack cementation process was used to produce uniform layer. After each treatment, the microhardness and the characteristics of high temperature oxidation were tested to evaluate the properties of the aluminide layer. The aluminide layer consisted of FeAl above $1000^{\circ}C$, and $Fe_2Al_5$ below $900^{\circ}C$, and the mixed phase of FeAl and $Fe_2Al_5$ between 90$0^{\circ}C$ and $1000^{\circ}C$ in case of the mixture powder consisted of 5%Al+5%$NH_4Cl+90%AL_2O_3$. The microhardness of $Fe_2Al_5$ was obtained much as the twice as that of FeAl. As the aluminizing temperature and time increased, the thickness of aluminide increased. After aluminizing, the high temperature oxidation resistance was remarkably improved. The high temperature oxidation resistance of FeAl was superior to the resistance of high temperature oxidation of $Fe_2Al_5$.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권8호
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• pp.610-617
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• 2004

평균입자크기가 20 ${\mu}$이고, 두께가 0.2∼0.3 ${\mu}m$인 ${\alpha}-Al_2O_3$ 판상체를 제조하기 위하여 전구물질로써 황산알루미늄과 황산나트륨을 사용하여 수산화알루미늄을 제조하였다. 이때 첨가되는 인산나트륨의 양이 ${\alpha}Al_2O_3$ 판상체의 입자크기, 형상, 그리고 두께에 어떠한 영향을 미치는지에 대하여 관찰하였다. 인산나트륨을 첨가하지 않았을 경우, 대부분의 ${\alpha}-Al_2O_3$ 판 상체가 육각판상모양을 띠고 있었으나 그 두께가 1.0 ${\mu}m$ 이상으로 진주안료 기질로는 적합하지 않았다. 반면, 인산나트륨이 첨가되었을 경우, ${\alpha}-Al_2O_3$ 판상체의 두께를 감소시켜 각형비를 증가시키는 현상을 초래하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권8호
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• pp.769-774
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• 2002

금속 산화물 상태으 혼합분말을 수소 환원하여 $Al_2O_3$ 분말 표면에 20 nm 크기의 Fe-Ni 합금이 균일하게 분산된 복합분말을 합성하였다. 상압소결을 이용하여 제조한 $Al_2O_3$/Fe-Ni 나노복합재료는 전 소결 온도 범위에서 단지 $Al_2O_3$와 ${gamma}$-Fe-Ni 상만으로 구성되어 있었고, $1350^{\circ}C$ 이상의 소결 온도에서 98% 이상의 치밀화를 이루었다. 최대 파괴강도와 파괴인성은 각각 574 MPa과 3.9 MP$a{\cdot}m1/2$로서 동일한 소결 조건의 순수 $Al_2O_3$ 보다 약 20% 증가하였다. 나노복합재료는 강자성 거동을 보였으며 분산상의 평균 입자 크기가 감소함에 따라 증가된 보자력 값을 나타내었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제9권3호
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• pp.240-249
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• 1985

This paper presents the results of the galvanic anode's characteristicsin the Al-Zn-In-Mg and Al-Zn-In-Mg system anodes used aluminium ingot of low purity, 99.5% grade. The results of thses performance tests are as follows: 1) Zn, In and Mg are an available elements to improve the performance of Aluminium alloy anodes. 2) When the range of zinc content in the Al-Zn-In-Mg system anode is 2-5% the more zinc content, the more improve the anode performance. 3) Al-Zn-In-Mg system anode requires a long term over 50 days for the performance test. 4) The composition of Al-Zn-In-Mg system anode which shows the most excellent performance is Al-(2-3%) Zn-(0.02%) In-(1.0%) Mg. 5) When the Al-Zn-In-Mg system anode is annealed for an hour in 500 to 550 .deg. C, the anode performance is improved. 6) The lower average potential and the better corrosion pattern in the Al-Zn-Mg, Al-Zn-In and Al-Zn-In-Mg system anodes, the more current efficiency is improved.

• 소성∙가공
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• 제29권1호
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• pp.44-48
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• 2020

Aluminum nitride (AlN), as a substrate material in electronic packaging, has attracted considerable attention over the last few decades because of its excellent properties, which include high thermal conductivity, a coefficient of thermal expansion that matches well with that of silicon, and a moderately low dielectric constant. AlN films with c-axis orientation and thermal conductivity characteristics were deposited by using Pulsed Laser Deposition (PLD). The epitaxial AlN films were grown on sapphire (c-Al₂O₃) single crystals by PLD with AlN target and Y₂O₃ doped AlN target. A comparison of different targets associated with AlN films deposited by PLD was presented with particular emphasis on thermal conductivity properties. The quality of AlN films was found to strongly depend on the growth temperature that was exerted during deposition. AlN thin films deposited using Y₂O₃-AlN targets doped with sintering additives showed relatively higher thermal conductivity than while using pure AlN targets. AlN thin films deposited at 600℃ were confirmed to have highly c-axis orientation and thermal conductivity of 39.413 W/mK.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.44-44
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• 2003

Scandium을 소량 첨가한 Al합금은 용체화 처리 후 시효에 의해 강화되며, 합금의 주 강화상은 Ll2 type의 규칙구조를 갖는 A1$_3$Sc상으로 열처리시 아주 미세한 정합의 구형입자로 석출한다. Scandium은 Al합금에서 첨가원소의 at%에 따른 경량화 효과가 Gold 다음으로 크다. 현재까지의 Al-Sc계 합금에 대한 연구는 시효경화에 따른 기계적 특성 변화에 대해서만 이루어져 왔으나 본 연구에서는 투과전자현미경을 이용하여 열처리에 따른 미세조직의 변화, 급냉 상태에서 생성된 A13Sc입자의 형성 및 계면구조, 시효에 따른 석출거동을 규명하였다. 실험에 사용된 alloy는 미국의 Ashurst 사에서 제조된 Al-2wt%Sc모합금과 순도 99.9%의 Al을 혼합하여 Arc melting법으로 제조하였다. Primary A13Sc상은 Ll2 type으로 응고시에 용융상태에서 먼저 핵생성되어 Al의 핵생성 site로 작용한다. 635$^{\circ}C$에서 용체화 처리한 시편에서는 수백 nm 크기를 갖는 $Al_3$Sc상이 계면과 matrix내에 구형으로 존재함을 확인하였다. 수백 nm 크기의 $Al_3$Sc상의 내부에는 역위상 경계(Antiphase boundary)이 존재로 인한 특징적인 contrast가 관찰되었으며, 이 $Al_3$Sc상은 응고시 생성된 작은 $Al_3$Sc상들이 모여져 생성된 것으로 추측된다. 수백 nm 크기 의 $Al_3$Sc사와 Al matrix 사이의 계면에는 격자상수 차이에 의한 많은 edge dislocation들이 관찰된다.

• 한국표면공학회지
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• 제25권5호
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• pp.235-252
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• 1992

(Ti, Al)N films were deposited on 304 stainless steel sheet by D.C. magnetron sputtering using Al target and Ti plate. The high temperature oxidation of (T, Al)N films with the variation of composition has been investigated. The chemical composition of (Ti, Al)N films with the variation of composition has been investigated. The chemical composition of (Ti, Al)N films was similar to the sputter area ratio of titanium to aluminum target by means of EDS and AES survey. The high temperature oxidation test of (Ti, Al)N showed that (Ti, Al)N has better high temperature resistance than TiN and TiC films. TiC films were cracked at 40$0^{\circ}C$ in air TiN films quickly were oxidised at $600^{\circ}C$, were spalled more than $700^{\circ}C$. But (Ti, Al)N films are relatively stable to$ 900^{\circ}C$. The good resistance to high temperature oxida-tion of (Ti, Al)N films are due to the formation of dense Al2O3 and TiO2 oxide layer. Especially, Al2O3 oxide layer is more important. The results obtained from this study show, it is believe that the (Ti, Al)N film by D.C. magnetron sputtering is promising for the use of high temperature and wear resistance mate-rials.