High purity Al2O3 has been extracted from serlcite of clayminerals, selicite was treated by H2SO4(2N∼18N) solution, NH4OH treatment(PH8.5∼10.0) and metallic impurities such as Fe were removed by NaOH treatment. The tendency of extraction yield of ${\alpha}$-Al2O3 have been investigated by relating reaction time, acid concentration. Reaction products were analyzed by DT-TGA, chemical analysis and X-ray diffractometer. Prepared ${\alpha}$-Al2O3 power is fired in air at 1400$^{\circ}C$, 1600$^{\circ}C$ 2hr. The results are as follows; 1. The most suitable extracting conditions of ${\alpha}$-Al2O3 from Selicite were N-H2SO4, 120 min acidtreating time. 2. The optimum pH condition was 9.0. 3. Physical properties of sintered Al2O3 bodies were as follows. Relative density is 99%. Water absorption is 0.26%. Rock well hardness is 89.
A nickel foam, one of metal foams was seleced as a catalyst support instead of conventional ceramic materials. $Al_2O_3$ was coated on the surface of nickel foam to increase the surface area. $Al_2O_3$ coating process was based on sol-gel process. SEM image was obtained and $Al_2O_3$ coverage was confirmed. Combustion experiments were carried out using SUS combustor and $H_2$/air mixture. Temperatures were measured with different equivalence ratios and $H_2$ flow rates. $H_2$ conversion rates were calculated by the analysis of product gas using gas chromatography. Catalytic combustion of $H_2$ was complete and stable with Pt/$Al_2O_3$ coated nickel foam and influences of water vapor were confirmed during the beginning of combustion.
The microstructural changes of $NiCrAlY/ZrO_2$-$Y_2$$O_3$ composite coatings that were manufactured by air-plasma-spraying were investigated using XRD and SEM/EDS. The as-sprayed microstructure consisted of (Ni,Cr)-rich regions, ($ZrO_2$-$Y_2$$O_3$)-rich regions, and $Al_2$$O_3$-rich layers that were formed during spraying owing to the oxidation of Al in NiCrAlY. During oxidation between 900 and $1100^{\circ}C$ in air, Cr in the (Ni,Cr)-rich regions diffused toward the $Al_2$$O_3$-rich layers, and oxidized to be dissolved in $A1_2$$O_3$-rich layers. The oxidation of Ni in the (Ni,Cr)-rich regions was less distinct, except at the outer surface of the coating.
Arc-melted Ti-6Al-4V, Ti-4Fe and Ti-(1,2) Si alloys were oxidized at 700, 800, 900 and $1000^{\circ}C$ in air. The oxidation resistance of Ti-4Fe was comparable to that of Ti-6Al-4V, while the oxidation resistance of Ti-(1,2) Si was superior to that of Ti-6Al-4V. Ti-2Si displayed the best oxidation resistance among the four alloys, but failed after oxidation at $1000^{\circ}C$ for 17h. The oxide scale formed on Ti-6Al-4V, Ti-4Fe and Ti-(1,2)Si consisted of ($TiO_2$ and a small amount of $Al_2$$O_3$), ($TiO_2$ and a small amount of dissolved iron), and ($TiO_2$ plus a small concentration of amorphous $SiO_2$), respectively. The oxide grains of the surface scale of the four alloys were generally fine and round.
Single crystal $CuAlSe_2$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at 410$^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $CuAlSe_2$ source at $680^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence(PL) and double crystal X-ray diffraction (DCXO). The temperature dependence of the energy band gap of the $CuAlSe_2$ obtained from the absorpt ion spectra was wel1 described by the Varshni's relation, $E_g$(T) = 2.8382 eV - ($8.86\times10^{-4}$ eV/H)$T_2$/(T + 155K). After the as-grown single crystal $CuAlSe_2$ thin films were annealed in Cu-, Se-, and Al-atmospheres, the origin of point defects of single crystal $CuAlSe_2$ thin films has been investigated by PL at 10 K. The native defects of $V_{cd}$, $V_{se}$, $Cd_{int}$, and $Se_{int}$ obtained by PL measurements were classified as donors or acceptors. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted single crystal $CuAlSe_2$ thin films to an optical n-type. Also. we confirmed that hi in $CuAlSe_2$/GaAs did not form the native defects because Al in single crystal $CuAlSe_2$ thin films existed in the form of stable bonds.
The formation of the Fe-Al inhibition layer in hot-dip galvanizing is a confusing issue for a long time. This study presents a characterization result on the inhibition layer formed on C-Mn-Cr and C-Mn-Si dual-phase steels after a short time galvanizing. The samples were annealed at $800^{\circ}C$ for 60 s in $N_{2}$-10% $H_{2}$ atmosphere with a dew point of $-30^{\circ}C$, and were then galvanized in a bath containing 0.2 %Al. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and transmission electron microscopy (TEM) was employed for characterization. The TEM electron diffraction shows that only $Fe_{2}Al_{5}$ intermetallic phase was formed. No orientation relationship between the $Fe_{2}Al_{5}$ phase and the steel substrate could be identified. Two peaks of Al 2p photoelectrons, one from metallic aluminum and the other from $Al^{3+}$ ions, were detected in the inhibition layer, indicating that the layer is in fact a mixture of $Fe_{2}Al_{5}$ and $Al_{2}O_{3}$. TEM/EDS analysis verifies the existence of $Al_{2}O_{3}$ in the boundaries of $Fe_{2}Al_{5}$ grains. The nucleation of $Fe_{2}Al_{5}$ and the reduction of the surface oxide probably proceeded concurrently on galvanizing, and the residual oxides prohibited the heteroepitaxial growth of $Fe_{2}Al_{5}$.
To precipitate the complex gel of flux and aluminum hydroxides gel, aqueous solution of the mixture of $Na_2CO_3\;and\;Na_2PO_4{\cdot}12H_2O$ was added with stirring in aqueous solution of the mixture of $Al_2(SO_4)_3{\cdot}14{\sim}18H_2O,\;Na_2SO_4$, and then the complex gel was aged in $0{\sim}30h\;at\;90^{\circ}C$. As aging time passed, the aluminum hydroxides was grown into the acicular AlO(OH) gel. Also, aging time had an effect on physical properties of the AlO(OH) gel and on crystal growth of the flaky ${\alpha}-Al_2O_3$ prepared by molten-salt precipitation. In this study, the complex gel was crystallized in temperature range of $400{\sim}1,200^{\circ}C$ after drying at $110^{\circ}C$, and then it was investigated to effect of aging time on precipitation temperature, size, thickness, morphology and particle size distribution of the flaky ${\alpha}-Al_2O_3$ crystal. As aging time passed, the flaky a${\alpha}-Al_2O_3$ crystal showed a tendency toward an increase in size and thickness as result from an increase in BET surface area and pore volume of the acicular AlO(OH) gel.
The effects of $TiO_2$ addition on the electrical insulation of AlN ceramics with 1 wt% $Y_2O_3$ as a sintering aid have been investigated. Some of $TiO_2$ has reacted with AlN powders and transformed to fine TiN particles during sintering, which was uniformly dispersed along grain boundaries of AlN. At a high electrical field (500 V/mm), the resistivity of AlN ceramics with $TiO_2$ addition of 0.2 wt% increased about 1000 times from $3{\times}10^{10}{\Omega}cm$ to $3.1{\times}10^{13}{\Omega}cm$. Based on the impedance spectroscopy measurement, it was found that $TiO_2$ addition increased dramatically electrical resistivity of AlN grains much more than that of grain boundaries. Thus, $TiO_2$ was believed to dissolve inside AlN grains to suppress ionic conduction of Al vacancies. This suppressed ionic conduction by Ti incorporation into AlN grains seems to contribute to more electrically insulating AlN ceramics.
저품위 bauxite로부터 직접 고순도 $Al_2O_3$의 제조를 위한 Al 함유용액을 제조키 위해 $(NH_4)_2SO_4$에 의한 bauxite의 분해를 조사하였다. $(NH_4)_2SO_4$에 의한 bauxite의 분해반응에 의해 bauxite중의 Al성분은 $NH_4Al(SO_4)_2$ 및 $Al_2(SO_4)_3$로 황산화되었다. Bauxite의 분해조건은 반응온도 $425^{\circ}C$, 반응시간 40분, bauxite에 대한 $(NH_4)_2SO_4$의 무게비 7.0 그리고 bauxite의 입도 -200mesh였다. 황산화된 bauxite로 부터 Al성분의 침출조건은 침출온도 $100^{\circ}C$, 침출시간 1시간 그리고 침출용매인 물의 양은 1g bauxite의 황산화생성물당 200ml였다. 이상의 조건하에서 bauxite중에 94%의 Al성분이 침출 회수되었다.
Glass films in the binary system B2O3-SiO2 and Al2O3-SiO2 were prepared on soda-lime-silica slide glass by the dip-coating technique from TEOS and boric acid or aluminum nitrate. Thickness of the films varying with viscosity and withdrawal speed were measured and effect of composition and firing temperature on the properties such as transmittance and refractive index were investigated. nM2O3.(100-n)SiO2(M=B or Al) films containing up to 20mol% B2O3 and 40mol% Al2O3 were transparent. Maximum transmittance at visible range were obtained for the sample containing 15mol% Ba2O3 and 32.5mol% Al2O3 and heat-treated at 50$0^{\circ}C$, respectively. Refractive index of the film containing 15mol% B2O3 was mininum in the B2O3-SiO2 binary system and minimal refractive index was appeared at the film containing 32.5mol% Al2O3. In IP spectra, addition of B2O3 were increased absorption peak intensity of B-O and Si-O-B bond and addition of Al2O3 were decreased absorption peak intensity of Si-O bond, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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