Jo, Hye Youn;Park, Min-Gyeong;Lee, Seung-Ho;Kim, Dae Sung;Lee, Young Kwan;Lim, Hyung Mi
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.52
no.4
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pp.273-278
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2015
${\alpha}-Al_2O_3$ was synthesized by solvothermal synthesis using ${\alpha}-Al_2O_3$ seed, precursor of fine boehmite (Al(OOH)) or gibbsite ($Al(OH)_3$), and 1, 4-butanediol solvent. The seed content and precursor type were selected as variables in order to synthesize ${\alpha}-Al_2O_3$. The formation time of ${\alpha}-Al_2O_3$ was reduced and the size of the particles was decreased with addition of the seed. When the seed content was increased, the size of the synthesized ${\alpha}-Al_2O_3$ was reduced. Morphologies of the as-synthesized ${\alpha}-Al_2O_3$ with ${\alpha}-Al_2O_3$ seed were polyhedron-shaped, while the shape was plate-like or polyhedral without the seed, depending on the additives or the average particle size of the boehmite precursor. The aggregation of as-synthesized ${\alpha}-Al_2O_3$ from boehmite was smaller than that from gibbsite. As-synthesized ${\alpha}-Al_2O_3$, with 140 nm size, was obtained by using the seed and boehmite precursor.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.7
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pp.665-668
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2008
Multi-layered thin films of $Fe_2O_3/Na_3AlF_6/Fe_2O_3/Cu$, Cr, Al were deposited on glass substrate by evaporation process. As high and low refractive index material, $Fe_2O_3$ and $Na_3AlF_6$ were selected and additionally Cu, Al and Cr were chosen as mid reflective layer respectively. Optical properties including reflectance were systematically studied depending on optical thickness of $Na_3AlF_6$ especially $0.25{\lambda}$ and $0.5{\lambda}$. In order to expect the experimental result, the simulation program, the Essential Macleod Program(EMP) was adopted and compared with the experimental data. Based on the results taken by spectrophotometer at viewing angle $45^{\circ}C$, the $Fe_2O_3/Na_3AlF_6/Fe_2O_3/Cu$ show the colour rage between red and orange in $0.25{\lambda}$ and green and pupple in $0.5{\lambda}$ respectively. When the Al was used as mid reflective layers in $Fe_2O_3/Na_3AlF_6/Fe_2O_3$ system, typical yellow colour and mixed colour between green and pupple were appeared in $0.25{\lambda}$ and $0.5{\lambda}$ of $Na_3AlF_6$ respectively. As compared the experimental result to simulation data, it was found out that the experimental data is relatively well matched with the EMP simulation data.
Kim, Chang-Wan;Choe, Ju-Hyeon;Kim, Hyeong-Jun;Hyeon, Chang-Yong;Nam, Song-Min
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.118-118
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2010
현재 반도체 제조 공정 중 많은 비중을 차지하는 식각 및 증착 공정에는 대부분 플라즈마를 사용하고 있으며, 이러한 반도체 장비내의 공정 부분품들은 수율과 생산성을 향상시키기 위하여 내플라즈마 특성이 우수한 세라믹 또는 세라믹 코팅막으로 구성되어 있다. 더욱이 최근에는 미세공정을 위해 고밀도 플라즈마 공정이 요구되면서, 노출된 세라믹 층이 침식되어 파티클이 떨어져 나오거나 모재와 세라믹 막 사이의 박리현상과 같은 심각한 문제들이 발생되고 있다. 따라서 보다 우수한 내플라즈마 특성을 갖는 세라믹 코팅 기술 개발이 시급한 실정이다. 현재 내플라즈마성 세라믹 코팅막 제조를 위한 코팅기술로서는 주로 용사법이 이용되고 있으나 기공률이 높고 치밀하지 못한 등의 문제점으로 인하여 사용수명이 짧다는 한계에 봉착하였다. 이에 본 연구에서는 상온에서 치밀하고 고속으로 세라믹 후막 형성이 가능한 Aerosol Deposition (AD)법과 AD법의 단점인 edge, corner, hole에서 코팅이 잘 안 되는 점을 보완할 수 있는 Arc Plasma Anodizing (APA)법을 조합하여, 상용화된 Al 모재위에 APA법을 사용하여 $Al_2O_3$ 후막 중간층을 형성한 뒤 그 위에 AD법으로 치밀한 $Al_2O_3$ 후막 성막함으로써 내 플라즈마 향상을 위한 새로운 개념의 제조기술개발을 시도하였다. 이를 위해 우선 Al 모재 위에 APA를 사용하여 중간층인 $Al_2O_3$막을 제조하였으며, 중간층의 두께에 따른 특성을 확인한 결과, $Al_2O_3$중간층의 두께가 두꺼워질수록 표면조도가 증가함을 확인 할 수 있었다. AD법으로 $Al_2O_3$중간층 위에 치밀한 $Al_2O_3$막을 제조하는데 있어 중요인자를 확인하기 위해, AD법으로 중간층 위에 $Al_2O_3$막을 제조한 후 성막특성을 관찰하였다. 그 결과, 중간층의 표면조도가 $0.8-1\;{\mu}m$인 경우에는 수 ${\mu}m$의 두께로 성막 되었으나, 표면조도가 $1\;{\mu}m$ 이상인 $Al_2O_3$중간층 위에서는 성막 되지 않았다. 이를 통해 AD법으로 치밀하고 두꺼운 $Al_2O_3$ 후막을 $Al_2O_3$중간층 위에 성막하기 위해서는 표면조도가 중요인자임을 확인하였다.
Park, Sang-Mi;Kim, Chang-Hae;Park, Hui-Dong;Jang, Ho-Gyeom;Park, Jun-Taek
Journal of the Korean Chemical Society
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v.46
no.4
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pp.336-345
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2002
In this study, we have screened $Eu^{3+}$- and $Tb^{3+}$-activated candidate phosphors for PDP in the sys-tems of CaO-Gd$_2$O$_3$-Al$_2$O$_3$ by combinatorial chemistry and investigated the synthetic temperature, optimum com-position and luminescent properties about the candidate phosphors. To construct the emission intensity library by VUV PL, we have synthesized 210 different compositional samples using a polymerized-complex method. Good luminescent samples were identified by X-ray diffraction method. $Ca_$\alpha$$G$d_{0.95-$\alpha$-$\beta$}Al_$\beta$O_$\delta$$ : Eu(0.02< $\alpha$+$\beta$ <0.04) phos-phors screened as a red phosphor have good color purity than commercial phosphor. In the candidate phosphors of CaGdAl$_3O_7$ : Tb, Ca$Al_{12}O_{19}$ : Tb, Gd$_4$Al$_2O_9$ : Tb, and Gd$_3Al_5O_{12}$ : Tb CaGdAl$_3O_7$ : Tb, and Ca$Al_{12}O_{19}$ : Tb have shorter decay time than commercial phosphor.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.30
no.5
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pp.168-173
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2020
To analyze and describe the behavior and mechanisms occurring in the thermal oxidation process of AlN, bulk AlN single crystals were thermally treated with different temperatures. As a result, it was confirmed that full-scale oxidation of bulk AlN and growth of Al-oxide occurred from the temperature of 800℃, which confirmed that the weight% of O elements tended to increase while the N elements decreased with increasing the temperature. In the case of thermal treatment at 900℃, the grown Al-oxides were merged with neighboring Al-oxides and began to form α-Al2O3 poly-crystals. During thermal treatment at the temperature of 1000℃, hexagonal pyramidal shaped poly-crystalline α-Al2O3 was clearly observed. Through the X-ray diffraction pattern analysis, the changes of surface crystal structure according to the temperature of bulk AlN were investigated in detail.
To investigate the grain refining mechanism of Al by the addition of Ti-B, the unidirectional solidifications of 99.9%Al and 99.7%Al were performed under the condition of varing the pouring temperature. The solidification modes of Al were studied by the cooling curve analyses, metallographic and microprobe examinations. The results were as follows: 1) Grains were most refined with an addition of 0.15wt.%Ti-0.021wt.%B but the grain size with 0.2wt.%Ti-0.028wt.%B was increased. 2) The grain size of 99.7wt.%Al was even more refined than that of 99.9wt.%Al with the same amount of Ti-B. 3) As the pouring temperature increased, the grain size of pure Al and an alloy with 0.lwt.%Ti-0.014wt.%B was increased. However, an alloy with 0.2wt.%Ti-0.028wt.%B did not show any effects of temperature. 4) TiC(Al-Ti) and (Al-Ti-C) were identified as nucleants for Al.
The thermal behavior of transformation and characteristics of seeded sample powders prepared by simultaneous $\alpha$-Al2O3 seed addition with water on the Al-sec-butoxide hydrolysis were studied. $\alpha$-Al2O3 seed particles are shown to act as nuclei for transformation of $\theta$-to $\alpha$-Al2O3 and to result in an increase in thetransformation kinetics and lowering of the transformation temperature by as much as 143$^{\circ}C$. Simultaneous seed addition on the hydrolysis resulted in uniform dispersin and creation of nucleation site on seed surface and only 0.1wt% seeding lowered the transformation temperature by as much as 115$^{\circ}C$. For 3wt% seed addition, $\alpha$-Al2O3 single phase was obtained at 95$0^{\circ}C$ for 100 minutes and the specific surface area of products were lowered to 11.9$m^2$/g as compared with that of $\alpha$-Al2O3 powder prepared without seed at 115$0^{\circ}C$ ; 15.1$m^2$/g due to depression of vermicular structure growth.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2012.05a
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pp.161-161
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2012
결정질 TiCrN과 AlSiN 나노층이 교대로 구성하는 나노 다층 TiAlCrSiN 박막은 음극 아크 플라즈마 증착법에 의해 증착되었다. 나노 다층 TiAlCrSiN 박막의 산화특성들은 $600{\sim}1000^{\circ}C$사이에서 대기 중 최대 70시간동안 연구 되었다. 형성된 산화물들은 주로 $Cr_2O_3$, ${\alpha}-Al_2O_3$, $SiO_2$ 그리고 rutile-$TiO_2$들로 구성되었다. 나노 다층 TiAlCrSiN 박막이 산화하는 동안, 가장 바깥쪽의 $TiO_2$층은 Ti 이온의 외부확산에 의해, 외부 $Al_2O_3$층은 Al이온의 외부확산에 의해 형성되었다. 동시에, 내부($Al_2O_3$, $Cr_2O_3$) 혼합층과 가장 안쪽의 $TiO_2$층은 산소이온의 내부확산에 의해 형성되었다.
The electronic structure and magnetic properties of chalcopyrite (CH) AlGaAs2 with dopant Mn at 3.125 and 6.25 % concentrations are investigated using first-principles calculations. The CH AlGaAs2 alloy is a p-type semiconductor with a small band-gap. The AlGaAs2:Mn shows that the ferromagnetic (FM) state is the most energetically favorable one. The Mn-doped AlGaAs2 exhibits FM and strong half-metallic ground states.The spin polarized Al(Ga,Mn)As2 state (Al-rich system) is more stable than the (Al,Mn)GaAs2 state (Ga-rich system), which has a magnetic moment of 3.82mB/Mn. The interaction between Mn-3d and As-4p states at the Fermi level dominates the other states.The states at the Fermi level are mainlyAs-4p electrons, which mediate strong interaction between the Mn-3d and As-4p states. It is noticeable that the FM ordering of dopant Mn with high magnetic moment originates from the As(4p)-Mn(3d)-As(4p) hybridization, which is attributed to the partially unfilled As-4pbands. The high FM moment of Mn is due to the double-exchange mechanism mediated by valence-band holes.
Al2O3/ZrO2-Spinel composites were prepared by infiltrating magnesium sulfate solution into the porous preform made from Al2O3-20wt% ZrO2 composite powders derived through an emulsion route. The microstructure and composition of the modified composites could be controlled by manipulating the presingtering temperature of the preform, infiltration time, and so on. It was found that spinel phases were concentrated near the surface than in the interior of the Al2O3/ZrO2-Spinel composites infiltrated for 6hrs, while spinel phases were uniformly distributed in the comosites infiltrated for 2 days. The relative density and fracture toughness of the composite infiltrated for 6 hrs were 98.6% and 7.2MN/m3/2, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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