Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

High temperature oxidation of TiAlCrSiN thin films

TiAlCrSiN 박막의 고온산화

  • 황연상 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김민정 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김슬기 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 봉성준 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 원성빈 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 이동복 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2012.05.31
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Abstract

결정질 TiCrN과 AlSiN 나노층이 교대로 구성하는 나노 다층 TiAlCrSiN 박막은 음극 아크 플라즈마 증착법에 의해 증착되었다. 나노 다층 TiAlCrSiN 박막의 산화특성들은 $600{\sim}1000^{\circ}C$사이에서 대기 중 최대 70시간동안 연구 되었다. 형성된 산화물들은 주로 $Cr_2O_3$, ${\alpha}-Al_2O_3$, $SiO_2$ 그리고 rutile-$TiO_2$들로 구성되었다. 나노 다층 TiAlCrSiN 박막이 산화하는 동안, 가장 바깥쪽의 $TiO_2$층은 Ti 이온의 외부확산에 의해, 외부 $Al_2O_3$층은 Al이온의 외부확산에 의해 형성되었다. 동시에, 내부($Al_2O_3$, $Cr_2O_3$) 혼합층과 가장 안쪽의 $TiO_2$층은 산소이온의 내부확산에 의해 형성되었다.

Keywords