• 한국재료학회지
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• 제5권7호
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• pp.888-896
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• 1995

Al 금속분말을 zircon sand (ZrSiO$_4$)와 A1$_2$O$_3$혼합체에 첨가하여 반응소결시킴으로써 무수축 Mullite-ZrO$_2$, 요업체를 얻고자 하였다. 반응식, 3(Al+Al$_2$O$_3$)+2ZrSiO$_4$$\longrightarrow$3A1$_2$O$_3$ .2SiO$_2$+2ZrO$_2$에 의하여 ZrO$_2$-강화 Mullite 요업체를 제조하였다. Al 분말은 A1$_2$O$_3$에 대해 0-30 무게 퍼센트까지 대체하였다. 평량한 분말을 볼밀하여 혼합 분쇄한 후, 정수압 성형하여 시편을 제조하고, 온도범위 1450-1$600^{\circ}C$에서 3시간 반응소결시켰다. Al의 충분한 산화를 위해, 한편으로는 125$0^{\circ}C$에서 5시간동안 열처리를 거친후 소성온도로 올리기도 했다. Al을 첨가함으로서 반응은 촉진되었으며, 소성수축도 산화한 Al의 부피팽창에 의해 상쇄되어, 무수축요업체 제조의 가능성을 보였다. 박편모양을 한 비교적 큰 Al분말이 잘 분쇄되지 않음으로 해서, Al이 자리했던 곳에 큰 기공을 남겼다.

• 열처리공학회지
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• 제35권3호
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• pp.150-158
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• 2022

The effects of scandium addition on the Al-6Si-2Cu Alloy were investigated. The Al-6Si-2Cu-Sc alloy was prepared by gravity die casting process. In this study, scandium was added at 0.2 wt%, 0.4 wt%, 0.8 wt%, and 1.0 wt%. The microstructure of Al-6Si-2Cu-Sc alloy was investigated using Optical Microscope, Field Emission Scanning Electron Microscope, Electron Back Scatter Diffraction, and Transmission Electron microscope. The microstructure of Al-6Si-2Cu alloy with scandium added changed from dendrite structure to equiaxed crystal structure in specimens of 0.4 wt% Sc or more, and coarse needle-shape eutectic Si and β-Al₅FeSi phases were segmented and refined. The nanosized Al₃Sc intermetallic compound was observed to be uniformly distributed in the modified Al matrix.

• 한국진공학회지
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• 제19권5호
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• pp.385-390
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• 2010

원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 ZnO 나노막대에 ZnO:Al과 $Al_2O_3$를 코팅하여 coaxial 형태의 나노선 구조를 제작하여 광학적 특성을 분석하였다. 반도체인 ZnO:Al을 코팅하는 경우 Al이 ZnO층에 확산되어 ZnO에 도핑이 되는 효과를, $Al_2O_3$를 코팅하는 경우 반도체-절연체 계면 상태가 존재함을 광전이 특성을 이용하여 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제3권2호
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• pp.227-233
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• 1994

CuAlGeSe4 및 CuAlGeSe4 ; Co2+ 결정을 고순도의 성분원소로부터 합성하고 서냉법으로 결정을 성장시켰다. 이들결정은 chalcopyrite 결정구조를 갖고 있으며 직접전이형 energy gap 구조를 갖고 286K에서 energy gap은 CuAlGeSe4 결정의 경우는 2.394eV이며 CuAlGeSe4 ; Co2+ 결정의 경우는 2.302 eV로 주어졌다. CuAlGeSe4 : Co2+ 결정에서 cobalt에 의한 불순물 광흡수 peak들은 12243, 7002, 3890 cm-1에서 나타났으며 이 peak들은 CuAlGeSe4 : Co2+ 결정의 Td symmetry site에 위치한 Co2+ ion의 energy 준위사이의 전자전이에 의한 optical absorption임을 규명했다.

• 한국세라믹학회지
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• 제30권9호
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• pp.731-739
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• 1993

R-curve measurements were performed on Al2O3(matrix)-ZrO2-SiC whisker composite and Al2O3-ZrO2, Al2O3-SiC whisker composites in the favor of comparing the effect of ZrO2 and SiC whisker, as a second phase, to Al2O3 matrix. Al2O3-SiC whisker and Al2O3-ZrO2-SiC whisker were fabricated by hot pressing at 1$700^{\circ}C$, 15MPa and Al2O3-ZrO2 by pressureless sintering at 1$600^{\circ}C$. A controlled flaw/strength technique was utilized to determine fracture resistance as a function of crack extension and R-curve behaviour was determined from the relationship which is KR=K0(Δa)m. R-curveresults were KR=6.173$\times$Δa0.031 for Al2O3-ZrO2, KR=18.796$\times$Δa0.172 for Al2O3-SiC whisker and KR=11.96$\times$Δa0.110 for Al2O3-ZrO2-SiC whisker composite. From the analysis of R-curve and expeirmental data above three composites, it is found that R-curve behaviour of Al2O3-ZrO2-SiC whisker composite was dominated initially by the strengthening effect of ZrO2 and after, some extended crack were influenced by the effect of SiC whisker. Analysis of SEM and X-ray data revealed that whisker bridging in the crack wake and whisker pull-out mechanisms were the main mechanism for the R-curve behaviour.

• 대한화학회지
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• 제37권10호
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• pp.867-873
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• 1993

결정화 시간 및 반응 혼합물내의 $H_2O/Al_2O_3$의 비가 AlPO$_4$-5 분자체의 합성에 미치는 영향을 X-선 회절(XRD), 질소흡착실험, 전자현미경(SEM) 그리고 고체상 $^{27}$Al nuclear magnetic resonance(NMR)를 사용하여 조사하였다. 반응온도가 150$^{\circ}$C일 때 AlPO$_4$-5의 결정화 시간에 따른 결정성은 S자형 곡선을 보였으며, 유도기간(induction period)은 1시간 이내인 것으로 나타났다. 반응물에서 생성물, AlPO$_4$-5로의 전환을 명확히 관측할 수 있었으며 약 2시간의 결정화 전후 측정된 모든 물성은 큰 변화를 보였다. 반응물내의 $H_2O/Al_2O_3$의 비가 증가함에 따라 다결정의 AlPO$_4$-5는 육각기둥 모양의 단결정으로 변화하였으며 얻어진 결정의 길이/너비의 비는 증가하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제50권6호
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• pp.439-445
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• 2013

Both an unreinforced $Al_2O_3$/Al matrix and a ${\alpha}-Al_2O_3$ particulate reinforced composite have been produced by the oxidation of an Al surface doped with NaOH in the absence of any other dopant. Fabrication of the matrix was initiated by the formation of $NaAlO_2$, which provides a favorable surface structure for the matrix formation by breaking the protective $Al_2O_3$ layer on Al. During the matrix growth, the external surface of the growth front was covered with a very thin sodium-rich oxide. A cyclic formation process of the sodium-rich oxide on the growth surface was proposed for the sodium-induced directed metal oxidation process. This process involves dissolution of the sodium-rich oxide, motion of Na to the growth front, and re-formation of the oxide on the surface. Near-net-shape composites were fabricated by infiltrating an $Al_2O_3$/Al matrix into a ${\alpha}-Al_2O_3$ particulate preform, without growth barrier materials. The infiltration distance increased almost linearly in the NaOH-doped preform.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.420-423
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• 2008

The characteristics of $Al_2O_3/Ag/Al_2O_3$ multilayer passivaton prepared by twin target sputtering (TTS) system for organic light emitting diodes. The $Al_2O_3/Ag/Al_2O_3$ multilayer thin film passivation on a PET substrate had a high transmittance of 86.44 % and low water vapor transmission rate (WVTR) of $0.011\;g/m^2$-day due to the surface plasmon resonance (SPR) effect of Ag interlayer and effective multilayer structure for preventing the intrusion of water vapor. Using synchrotron x-ray scattering and field emission scanning electron microscope (FESEM) examinations, we investigated the growth behavior of Ag layer on the $Al_2O_3$ layer to explain the SPR effect of the Ag layer. This indicates that an $Al_2O_3/Ag/Al_2O_3$ multilayer passivation is a promising thin film passivation scheme for organic based flexible optoelectronics.

• 한국재료학회지
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• 제5권6호
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• pp.644-649
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• 1995

$UO_2$-6wt%Gd$_2$O$_3$가연성 독물질 소결체에 미량첨가한 Al 화합물(Al(OH)$_3$, ADS(aluminium disterate), Al(OH)$_3$+ADS)이 소결성 및 미세조직에 미치는 영향을 고찰하고자 하였다. 이를 위하여 Al이 첨가된 $UO_2$-6wt%Gd$_2$O$_3$압분체를 1$700^{\circ}C$, 수소 분위기에서 4시간동안 소결한 후 특성시험을 수행하였다 Al을 첨가한 $UO_2$-6wt%Gd$_2$O$_3$의 소결밀도는 94% T.D.이상이였고, ADS를 이용한 Al 첨가가 개기공도 감소에 상대적으로 크게 기여하였다. 또한 Al을 첨가하면 10$\mu\textrm{m}$ 이상의 큰 기공과 1$\mu\textrm{m}$ 이하의 작은 기공은 많이 줄어들었고 첨가된 Al 화합물의 종류와는 무관하게 평균 기공크기는 2-3$\mu\textrm{m}$였다. 그리고 Al을 첨가하지 않은 소결체의 결정립은 이중 결정립 형태를 갖는 반면에 Al을 첨가하면 결정립은 균일하였다. 특히, ADS를 첨가한 소결체의 평균 결정립 크기는 4.6$\mu\textrm{m}$로 가장크게 증가하였다.

• 한국재료학회지
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• 제16권2호
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• pp.129-136
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• 2006

In order to get basic information on the reference electrode material for the long life Al concentration sensor in zinc galvanizing melt, the workability and stability of fluorine potential cell with $CaF_2$ single crystal electrolyte were examined carefully at constant temperature for six kinds of reference materials (Zn, Sn, Cd, Bi, Pb, Al-Sn alloy + fluorides). Good workability and stability of the sensor were found in sensor with $Bi+BiF_3$ reference electrode. The Al sensor with $Bi+BiF_3$ reference electrode was assembled and was tested in Zn-Al melt with different Al concentration. The EMF was changed rapidly with the change of Al concentration and was stabilized in a short time. Thus the response of EMF was satisfactory for $CaF_2$ sensor. The correlationship between EMF from the sensor and logarithm of Al concentration has been derived from the least square regression method. E/mV=57.515log[wt% Al]+1883.3 R=0.9717 ($0.013{\leq}[wt% Al]{\leq}0.984$) The EMF from Al sensor was increased linearly against logarithm of [wt% Al]. The fluorine potential of Zn-Al melt was also calculated to be in the range of $10^{-60}{\sim}10^{-61}$ Pa for the present experiemental condition.