• 제목/요약/키워드: Al-P

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Acidic Pelvic Drainage as a Predictive Factor For Anastomotic Leakage after Surgery for Patients with Rectal Cancer

  • Yang, Liu;Huang, Xin-En;Xu, Lin;Zhou, Xin;Zhou, Jian-Nong;Yu, Dong-Sheng;Li, Dong-Zheng;Guan, Xin
    • Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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    • 제14권9호
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    • pp.5441-5447
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    • 2013
  • Purpose: To demonstrate the value of sequential determinations of pelvic drainage in the identification of increased risk of anastomotic leakage (AL) after anterior resection for rectal cancer with a double stapling technique. Patients and Methods: Between January 2004 and December 2011, data for the daily postoperative pH of pelvic drainage fluid in 753 consecutive patients with rectal cancer who initially underwent anterior resection with a double stapling technique were reviewed. All patients experienced a total mesorectal excision. Patients with anastomotic leakage (Group AL, n=57) were compared to patients without leakage (Group nAL, n=696). Patients with perioperatively abdominopelvic implants that were likely to affect pH value (determined at $25^{\circ}C$) other than leakage were excluded. Mean postoperative values were compared. Results: Anastomotic leakage was noted in 57 (7.6%) of 753 patients with rectal cancer. The diagnosis of AL was made between the $6^{th}$ and $12^{th}$ postoperative day (POD; mean $8^{th}$ POD). There was no significance of the daily average values of pH on POD1 & 2 in group AL while a significantly sharp declining mean pH value reached its diagnostic point of AL (p<0.001) on POD3. A cut-off value of 6.978 on the $3^{rd}$ POD maximized the sensitivity (98.7.0%) and specificity (94.7%) in assessing the risk of leakage. Conclusion: According to these results, an early and persistent declining of pH value of pelvic drainage fluid after rectal surgery with anastomosis, is a marker of AL. A cut-off value of 6.798 determined at $25^{\circ}C$ on POD3 maximizes sensitivity and specificity.

Metal-Assisted Chemical Etching에 의한 InAlP표면 Texture 형성 및 반사율 변화

  • 신현욱;오시덕;이세원;최정우;신재철;김효진
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.304-304
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    • 2012
  • III-V 화합물 태양전지는 실리콘 등 다른 태양전지에 비해 1sun상 30% 이상의 고효율을 갖고 있고 direct bandgap과 높은 이동도 등의 물질특성과 3족과 5족의 비율 조절로 같은 결정구조에서 에너지 bandgap이 다른 물질들을 만들기에 용이하여 태양전지 스펙트럼의 넓은 영역을 흡수할 수 있는 장점이 있다. 그러나 셀 자체의 물질이 실리콘에 비하여 고가여서 고성능이 요구되는 우주 인공위성 등에 적용이 되었지만, 2000년대 이후로 집광에 적용 가능한 태양전지의 연구를 거듭하여 2005년부터는 값싼 프레넬 렌즈를 이용하여 1 sun에 비해 500배 해당하는 빛을 셀에 집광하여 보다 효율을 증가시킴으로써 지상발전용에도 적용 가능한 셀을 형성하게 되었다. 더불어 태양전지의 효율을 증가시키기 위한 다양한 구조적 변화의 시도도 많이 이루어지고 있다. 최근 실리콘 태양전지의 표면에 texture 구조를 주어 높은 흡수율과 낮은 반사율을 갖게 함으로써 효율을 증가시키는 사례가 많아지고, III-V 화합물 태양전지도 texturing에 의해 증가된 효율을 발표한바 있다. 본 연구에서는 III-V 화합물 InGaP 태양전지의 window층으로 사용되는 InAlP 층에 Metal-assisted chemical etching (mac etching) 방법으로 texture 구조를 형성하여 etching 시간에 따른 InAlP층의 표면 변화와 반사율의 변화를 분석하였다.

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n-type 결정질 태양전지의 Si 표면과 Ag/Al 사이의 Contact formation 형태론

  • 오동현;전민한;강지윤;정성윤;박철민;이준신;김현후
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.122.2-122.2
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    • 2015
  • n-type 실리콘은 p-type과 비교하여 더 높은 소수캐리어 lifetime 으로 금속 불순물에 대하여 더 좋은 내성을 갖는다. 고효율 실리콘 태양전지를 위하여 p-type 웨이퍼를 n-type으로 교체하여 빛을 조사했을 때, 광전자들이 형성되어 p-type과 비교하여 더 좋은 lifetime 안정성을 갖는다. n-type 태양전지의 전면 전극은 AgAl paste로 형성하였다. AgAl 페이스트는 소성 온도와 밀접하게 관련되어 전극의 접합 깊이에 영향을 미친다. p+ emitter 층에 파고드는 금속 접촉의 최적화된 깊이는 접촉 저항에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 본 연구에서는 소성 조건을 변화시킴으로써, 금속 깊이의 효과적인 형성을 위한 소성 조건을 최적화하였다. $670^{\circ}C$ 이하의 온도에서 소성을 진행 하였을 때, 충분한 접촉 깊이를 형성하지 못하여 높은 접촉저항을 갖는다. 소성 온도가 증가함에 따라, 접촉 저항은 감소하였다. 최적 소성 온도 $865^{\circ}C$에서 측정된 접촉저항은 $5.99mWcm^2$이다. $900^{\circ}C$ 이상에서 contact junction은 emitter를 통과하여 실리콘과 결합하였다. 그 결과로 접촉저항 shunt가 발생한다.

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SiCl$_4$와 Cl$_2$가스에 의한 InP, InGaAs 및 InAIAs의 반응성 이온 식각: 가스유량, rf 전력, 공정압력, Ar 첨가의 영향 (Reactive Ion Etching of InP, InGaAs and InAIAs by SiCl$_4$ and Cl$_2$ Gases: Effects of Gas Flow Rate, rf Power, Process Pressure and Ar Addition)

  • 유재수;송진동;배성주;정지훈;이용탁
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.25-28
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    • 2001
  • In this paper, we have investigated the effects of gas flow rate, rf power, process pressure and Ar addition on reactive ion etching of InP, InGaAs and InAlAs using Sic14 and Cl$_2$ gases. The etch rates were measured by using a surface profiler. The etched profiles, sidewall roughness, and surface morphology were observed by scanning electron microscopy and by atomic force microscopy. The selective etching of InGaAs to InP and InAlAs was studied by varying the etching parameters. It was found that Cl$_2$ gas is more efficient for the selective etching of InGaAs to InAlAs than SiCl$_4$ gas. The etch selectivity of InGaAs to InAlAs is strongly dependent on the rf power and the process pressure.

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$P_2O_5$의 첨가가 $B_2O_3-SiO_2$$Al_2O_3-SiO_2$ 박막의 화학적내구성에 미치는 영향 (Influence on the Chemical Durability of $B_2O_3-SiO_2$ and $Al_2O_3-SiO_2$ Thin Films at the Addition of $P_2O_5$)

  • 황규석;김병훈;최석진
    • 한국세라믹학회지
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    • 제30권8호
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    • pp.615-622
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    • 1993
  • In order to increase chemical durability of thin films in binary system B2O3-SiO2 and Al2O3-SiO2 on the slide glass by the dip-coating technique from TEOS(Tetraethyl Orthosilicate) and boric acid or aluminum nitrate, phosphoric acid(5~20mol%) was added, respectively. Corrosion of acid and alkali of samples treated with 1N, HCl, NaOH and distilled water at 10$0^{\circ}C$ for 15 minute, were measured IR transmittance and variance of transmittance at visible range. Surface structure of thin film was investigated with SEM and formation of crystal phase according to additiion of phosphoric acid was measrued with XRD. In Al2O3-SiO2 system, change of remarkable characteristic was not obtained at the addition of P2O5 but transmittance of thin film was decreased with addition of P2O5 in B2O3-SiO2 system.

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Enhanced optical output power of AlGaN/GaN ultraviolet light-emitting diodes fabricated with breakdown induced conductive channels

  • Seonghoon Jeong;Sung-Nam Lee;Chel-Jong Choi;Hyunsoo Kim
    • Journal of Ceramic Processing Research
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    • 제21권
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    • pp.23-27
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    • 2020
  • The enhanced optical output power of AlGaN/GaN deep ultraviolet light-emitting diodes (UV LEDs) were demonstrated by using the breakdown-induced conductive channels (BICCs). The BICCs could be made by electrical reverse biasing between two adjacent contact pads formed on top p-type layers with a certain distance, causing an electrical breakdown of pn junction and hence a generation of conductive channels. Accordingly, the reflective Ni/Ag/Pt electrodes could be formed simultaneously on the top p-type layer and the other p-type layer with the BICCs, acting as the p- and n-contacts, respectively. The deep UV LEDs fabricated with the BICCs produced the enhanced optical output power by 15 % as compared to the reference LEDs, which were fabricated with the conventional Ti/Al/Ti/Au layers formed on mesa-etched n-type layer. This could be due to the reduced light absorption at the n-contact pads, indicating that the use of BICCs will be very suitable for obtaining better output performance of deep UV emitters.

Pt 금속 박막을 이용한 InAlP층의 텍스쳐 구조 형성 및 반사율 측정 (Reduction of Light Reflectance from InAlP by the Texture Formation Using Ultra-Thin Pt Layer)

  • 신현욱;신재철;김효진;김성;최정우
    • 한국진공학회지
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    • 제22권3호
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    • pp.150-155
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    • 2013
  • 태양전지의 표면에 텍스쳐 구조를 형성하면 빛의 반사율을 줄일 수 있으므로 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 표면의 텍스쳐 구조는 넓은 파장대역에서 빛의 반사를 줄여주기 때문에 다중접합 III-V화합물 태양전지에 아주 유용하다. 본 연구에서는 얇은 Pt층을 식각 마스크로 사용하여 다중접합 III-V태양전지의 window층으로 사용되는 InAlP층에 다양한 텍스쳐 구조를 형성하고 반사율을 측정하였다. 습식식각에 의해 나노미터 크기로 형성된 피라미드 꼴 텍스쳐 구조는 $0.3{\sim}1.5{\mu}m$의 넓은 파장영역에서 빛의 반사율을 13.7%까지 감소시켰다.

합성가스로부터 디메틸에테르 직접 합성 (Direct Synthesis of Dimethyl Ether from Synthesis Gas)

  • 함현식;김송형;강영구;신기석;안성환
    • 한국가스학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.8-14
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    • 2009
  • 하이브리드 촉매를 이용하여 합성가스로부터 디메틸에테르(DME)를 1단계 공정으로 합성하였다. 하이브리드 촉매는 메탄올 합성반응을 위하여 Cu-ZnO-$Al_2O_3$, 메탄올 탈수반응을 위하여 aluminum phosphate 혹은 $H_3PO_4$-modified $\gamma$-alumina로 구성되었다. 제조한 촉매들은 XRD, BET, SEM, FT-IR, $NH_3$-TPD를 이용하여 특성분석을 하였다. XRD 분석을 통해 aluminum phosphate가 잘 합성되었음을 알 수 있었다. BET 분석을 통해 aluminum phosphate의 비표면적이 P/Al의 비에 따라서 달라짐을 확인할 수 있었다. 반응실험 결과 메탄올 탈수 촉매로 사용된 aluminum phosphate의 P/Al의 비가 1.2인 하이브리드 촉매에서 55%의 CO 전환율과 70%의 DME 선택도를 보여 주었다. $\gamma$-alumina를 인산으로 처리한 경우 촉매활성 감소를 막을 수 있었다. 하지만 85%의 진한인산으로 처리한 경우에는 촉매 활성 및 DME 선택도가 낮아짐을 확인할 수 있었다.

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Al(III), Fe(III)계 응집제의 인 제거 특성 및 플럭의 가시화 (Phosphorous Removal by Al(III) and Fe(III) Coagulants and Visualization of Flocs)

  • 이상화;이규석;강익중;윤현희;함승주;곽종운
    • 공업화학
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    • 제16권1호
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    • pp.74-80
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    • 2005
  • 탁질입자 및 인의 효과적인 제거 특성을 고찰하기 위해서 물리화학적 인자들(pH, 알칼리도, 응집제의 종류)의 체계적인 고찰을 수행하였다. AI(III)과 Fe(III)계 응집제들은 제타전위 값이 거의 영에 수렴하는 pH 7~9 영역에서 높은 탁도 제거율 및 인 제거율을 나타내었다. 응집제의 주입량이 증가함에 따라 탁도는 급격하게 감소하는 경향을 보였으며, 인의 경우에는 금속이온과의 당량적 결합에 기인하여 비례적으로 감소하였다. 고속카메라(Motion Scope 2000, Redlake Co.)를 이용하여 플럭의 생성과정을 가시화하였고 광학현미경을 통해서 플럭의 성상과 형태를 고찰하였다. Fe(III)계 응집제에 의해 생성된 플럭들은 Al(III)계 응집제에 의해 생성된 플럭들에 비해 치밀하였으며 침강성도 뛰어났다.

Al-MIS(p-Si) 태양전지의 AR Coating 방법 (On the AR Coating Method of Al-MIS(p-Si) Solar Cel)

  • 엄경숙;백수현
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제21권6호
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    • pp.64-69
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    • 1984
  • Al-MIS(p-Si)태양전지의 최대 효율은 Al 박막을 0.6A/sec 이하의 속도로 증착시켜 80Å인 두께가 되었을 때임을 알았다. ZnS와 SiO로 AR coating을 했는데, 단층 피막일때는 각각 570Å과 690Å인 박막 두께에서 최대 Isc를 나타냈다. 이는 quarter-coating 조건인 n1d1=λ/4를 만족함을 알았다. 이중층 피막일 때는 한 층을 단층 피막때의 최적 두께를 유지하면서 다른 한 층을 조절했다. 이때의 최대 Isc는 단층피막일 때와 비슷한 값이었으나 넓은 범위의 두께에서 그 값이 그대로 유지되었다. 한편 dzns/ds10=1.9/2.3=570/690인 관계를 유지하면서 총 두께를 각각의 단층피막때의 최적 두께 합에 대해서 70∼90%로 얇게 했을 때 앞에서 논의한 어떤 경우보다도 20%이상의 더 높은 Isc를 얻을 수 있었다 따라서 높은 효율을 얻으면서 정밀한 두께 조절이 불필요한 새로운 AR coating방법을 얻었다.

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