The TiAlCrSiN film was deposited on the WC-20%TiC-10%Co carbide, and its oxidation behavior was examined at $700-1000^{\circ}C$. It displayed relatively good oxidation resistance owing to the formation of $TiO_2$, $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$, and $SiO_2$ up to $900^{\circ}C$. However, at $1000^{\circ}C$, the fast oxidation rate and partial oxidation of WC in the substrate led to the formation of the thick, fragile oxide scale.
Cr-Si-Al-N coating with different Si content were deposited by hybrid physical vapor deposition (PVD) method consisting of unbalanced magnetron (UBM) sputtering and arc ion plating (AIP). The deposition temperature was $300^{\circ}C$, and the gas ratio of $Ar/N_2$ were 9:1. The CrSi alloy and aluminum targets used for arc ion plating and sputtering process, respectively. Si content of the CrSi alloy targets were varied with 1 at%, 5 at%, and 10 at%. The phase analysis, composition and microstructural analysis performed using x-ray diffraction (XRD) and field emission scanning electron microscopy (FESEM) including energy dispersive spectroscopy (EDS), respectively. All of the coatings grown with textured CrN phase (200) plane. The thickness of the Cr-Si-Al-N films were measured about $2{\mu}m$. The friction coefficient and removal rate of films were measured by a ball-on-disk test under 20N load. The friction coefficient of all samples were 0.6 ~ 0.8. Among all of the samples, the removal rate of CrSiAlN (10 at% Si) film shows the lowest values, $4.827{\times}10^{-12}mm^3/Nm$. As increasing of Si contents of the CrSiAlN coatings, the hardness and elastic modulus of CrSiAlN coatings were increased. The morphology and composition of wear track of the films was examined by scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive spectroscopy, respectively. The surface energy of the films were obtained by measuring of contact angle of water drop. Among all of the samples, the CrSiAlN (10 at% Si) films shows the highest value of the surface energy, 41 N/m.
The sintering behavior of monolithic SiC is examined using the binary sintering additive of $Al_2O_3$-rare earth oxide ($RE_2O_3$, where RE = Sc, Nd, Dy, Ho, or Yb). Through hot pressing at 20 MPa and $1750^{\circ}C$ for 1 h in an Ar atmosphere for 52 nm fine ${\beta}$-SiC powder added with 5 wt% sintering additive, a SiC density of > 97% is achieved, which indicates the effectiveness of $Al_2O_3-RE_2O_3$ system as a sintering of additive for SiC. Based on this result, 7 wt% of $Al_2O_3-Sc_2O_3$ is tested as an additive system for the fabrication of a continuous SiC fiber-reinforced SiC-matrix composite ($SiC_f$/SiC). Electrophoretic deposition combined with the application of ultrasonic pulses is used to efficiently infiltrate the matrix phase into the voids of $Tyranno^{TM}$-SA3 fabric. After hot pressing, a composite density of > 97% is obtained, along with a maximum flexural strength of 443 MPa.
AlGaAs/GaAs HBT 에미터 오믹 접촉을 위해 n형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 및 Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉 특성을 조사하였다. Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉의 경우, 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, $375^{\circ}C$에서 10초 동안 열처리한 경우 $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 조건을 $425^{\circ}C$, 10초로 변화시킬 경우 $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 낮은 접촉 비저항을 나타내었다. Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 경우, $450^{\circ}C$까지의 열처리 동안에 전반적으로 우수한 오믹 특성을 나타내어 $400^{\circ}C$, 20초의 급속 열처리 조건에서 최저 $3.9\times10^{-7}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. 두 오믹 접촉 모두 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하였다. Pd/Si/Ti/Pt 및 Pd/Si/Pd/Ti/Au를 AlGaAs/GaAs HBT의 에미터 오믹 접촉으로 사용하여 제작된 HBT 소자의 고주파 특성을 측정한 결과, 차단 주파수가 각각 63.9 ㎓ 및 74.4 ㎓로, 또한 최대공진 주파수가 각각 50.1 ㎓ 및 52.5 ㎓로 우수한 작동특성을 보였다.
제주도의 화산쇄설성 퇴적암인 신양리층에서 산출되는 motukoreaite와 quintinite-3T를 보고한다. 두 광물은 Mg-Al 층상복수산화물로서 현무암 유리질 입자 사이를 충전하는 극미립판상 입자들의 구상 또는 포도상 집합체로 산출된다. Quintinite-3T의 집합체 외각에 motukoreaite의 판상 입자들이 과성장하여 피복하였다. 두 광물의 X선회절자료와 화학조성은 대체로 문헌에 보고된 값들과 유사하지만, motukoreaite의 Mg/Al 비는 보고된 값보다 조금 크다. 전자현미화학 분석 값으로부터 구한 motukoreaite와 quintinite-3T의 구조식은 각각 $Na_{1.6}Ca_{0.1}Mg_{40.7}Al_{20.7}Si_{0.9}(CO_3)_{13.6}(SO_4)_{7.4}(OH)_{108}56H_2O$와 $Mg_{3.7}Al_{1.9}Si_{0.2}(OH)_{12}(CO_3)_{0.8}(SO_4)_{0.2}3H_2O$이다. 두 광물은 얕은 바다에 퇴적된 현무암 유리질 입자들이 해수와 반응하여 생성 되었으며, 해저 환경에서 화산쇄설성 퇴적물의 교결 및 고화작용에 기여하였다.
Al과 Si사이에서 Ti의 충진처리가 확산방지막 성능에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. TiN의 충진처리는 $450^{\circ}C$의 $N_{2}$ 분위기에서 30분간 열처리함으로써 행하였다. TEM 분석을 통해 갓 증착된 TiN의 결정립 사이에는 약 10-20$\AA$ 정도의 고체물질이 없거나 TiN에 비해 밀도가 매우 낮은 공간이 존재함을 알 수 있었다. 또한 충진처리된 TiN의 경우에는 이러한 공간의 폭이 10$\AA$ 이하로 줄어듦을 알 수 있었다. RBS와 AES 분석에 의해 갓 증착된 TiN는 dir 7at.% 정도의 산소를 함유하고 있었고, 충진처리된 TiN는 약 10-15at.%의 산소를 함유하고 있었다. 갓 증착된 TiN와 충진처리된 TiN를 확산방지막으로 시험한 결과, 갓 증착된 TiN는 $650^{\circ}C$, 1시간의 열처리 후에 Al 스파이크와 Si 패임자국의 형성으로 이해 파괴되었다. 하지만 충진처리된 TiN의 경우에는 같은 열처리 조건에서 Al 스파이크나 Si 패임자국을 전혀 찾아볼수 없었다. 따라서, TiN의 충진처리가 Al과 Si사이에서 확산 방지막 성능을 크게 향상시켜주는 효과가 있음을 알 수 있었다. 이와 같은 충진처리 효과는 TiN의 결정립계의 간격이 줄어듦에 의해서 빠른 확산 경로인 결정립계를 통한 확산이 감소하는 것에 기인하는 것으로 이해된다.
Aluminum alloy matrix composites reinforced with various amounts of SiC particles have been produced by rheo-compocasting followed by hot extrusion. A relatively uniform distribution of SiC particles in the composites was obtained. The amounts of pore and SiC particles cluster were relatively small in the composites. Particle free zones were observed in the hot extruded composites when the amount of SiC particles was less than 20 vol%. However, the width of particle free zone decreases with the increase of SiC particle content. Eutectic Si phase play an important role for improving bonding between SiC particle and matrix. Tensile and yield strength increased with the increase of SiC particle content. the strenthening effect of SiC particle addition was effective even at relatively high temperature of 573 K.
고온에서 PCB 처리를 통한 Au, Ag와 같은 귀금속뿐 아니라 Ni과 같은 주요 회유금속을 회수하기 위한 기초연구로서 CaO-$Al_2O_3$(-$SiO_2$) 및 CaO-$SiO_2$-$CaF_2$ 슬래그를 이용하여 Au, Ag, Ni의 회수거동올 관찰하였다. 슬래그 투입 없이 PCB만으로 용융실험을 수행한 결과 PCB는 거의 용융되지 않았으며, 이로부터 유도전류를 이용한 용융을 촉진할 뿐 아니라 유가금속의 회수를 위해서는 Cu와 갇은 적절한 base metal이 필요함을 확인하였다. 본 연구결과, PCB/Cu ratio는 1 이하가 바람직할 것으로 생각된다. CaO-$Al_2O_3$(-$SiO_2$) 및 CaO-$SiO_2$-$CaF_2$ 슬래그를 투입한 결과, $CaF_2$를 함유하는 fluorosilicate계 슬래그가 calcium aluminate계 슬래그보다 융점과 점도가 낮게 제어되었으며, 이로부터 Au, Ag, Ni의 높은 분배비를 얻을 수 있었다. 점도가 낮은 $CaF_2$ 함유 슬래그 적용 시 높은 유가금속 회수율은 슬래그 내에서 각 금속입자의 등속침강속도가 상승하기 때문인 것으로 평가되었다.
β'-Sialon with different compositions was synthesized by the carbothermal reduction-nitridation of compacts containing kaolin graphite and silicon or aluminum at temperature of 1300-1450℃ under flowing gas of 90% N2-10% H2 or 20hrs. Quantitative analysis of minerals which were formed in the specimens was carried out by using the calibration curve which has been prepared from X-ray diffraction patterns. The obtained results were as follows : 1. In the formation of β'-Sialon by carbothermal reduction-nutridation of Si-Al-O-C system mixtures at 1400℃ for 20hrs. (2) β'-Sialon as a major mineral and α-Al2O3 as a minor mineral were identified in the specimen which was prepared of kaolin and graphite. (3)α-Al2O3 and 15R as a minor minerals were measured in the specimen which was prepared of kaolin aluminum and graphite. (4) AlN instead of α-Al2O3 and 15R was formed in the compacts that excess graphite(=35 wt%) was added to the mixture of kaolin and aluminium. 2. As the reaction time and temperature were increased the formation of β'-Sialon was increased whereas the phases of mllite SiC and Si2ON2 were decreased gradually.
Kong, Kyeong Ho;Kim, Kang Cheol;Kim, Won Tae;Kim, Do Hyang
Applied Microscopy
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제45권1호
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pp.32-36
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2015
The microstructural features of FeCoCrNi, FeCoCrNiAl and FeCoCrNiSix (x=0, 5, 10, 15, 20) alloys have been investigated in the present study. The microstructure of FeCoCrNi alloy changes dramatically with equiatomic addition of Al. The fcc irregular shaped grain structure in the as-cast FeCoCrNi alloy changes into the bcc interconnected structure with phase separation of Al-Ni rich and Cr-Fe rich phases in the as-cast FeCoCrNiAl alloy. The microstructure of FeCoCrNi alloy changes with the addition of Si. With increasing the amount of Si, the fcc structure of the grains is maintained, but new phase containing higher amount of Si forms at the grain boundary. As the amount of Si increases, the fraction the Si-rich grain boundary phase increases.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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