Indium Tim Oxide(ITO) thin film was prepared for TOLEDs by Facing Targets Sputtering(FTS) apparatus which can suppress the damage of organic layer due to the collisions of high energetic particles. In particular, ITO thin film was prepared with changing the distance between two targets for reduced the bombardment by high energetic particles such as ${\gamma}-electron$ or negative oxygen ions. The electrical and optical properties of ITO thin films as a function of distance of between two targets were measured. Additionally, the ITO thin films were prepared on the cell (cell : MgAg/LiF/EML/HTL/ bottom electrode) with distance of between two targets. And the I-V characteristics of ITO/cell was investigated.
Zinc tin oxide transparent thin film transistors (ZTO TTFTs) were fabricated by using $n^+$ Si wafers as gate electrodes. Indium (In), aluminum (Al), indium tin oxide (ITO), silver (Ag), and gold (Au) were employed for source and drain electrodes, and the mobility and the threshold voltage of ZTO TTFTs were observed as a function of electrode. The ZTO TTFTs adopting In as electrodes showed the highest mobility and the lowest threshold voltage. It was shown that Ag and Au are not suitable for the electrodes of ZTO TTFTs. As the results of this study, it is considered that the interface properties of electrode/ZTO are more influential in the properties of ZTO TTFTs than the conductivity of electrode.
무효소 혈당센서는 높은 선택성과 민감성을 가지고 저비용으로 체내 혈당(glucose)을 검출할 수차세대 기술이다. 현재 시판되고 있는 혈당센서는 당을 산화시켜주는 당산화효소와 전극과 효소사이에 전자 전달을 원활하게 해주는 산화/환원 매개체를 이용하여 효소센서로 제작된다. 그러나 이러한 효소센서는 pH, 온도, 습도, 화학적 독성물질 등에 영향을 많이 받아 안정성이 떨어지고, 제작에 비용이 많이 드는 단점을 가지고 있다. 본 논문은 위와 같은 단점을 해결하고자 환원제인 당에 의하여 환원되는 니켈 나노입자를 전기화학적 흡착방법을 이용하여 산화 인듐 주석 전극 (ITO)에 고정시켰다. 고정된 니켈 나노입자는 전극의 표면적을 넓혀 신호를 증폭시키는 효과를 가지고 있으며, 당에 의하여 계속적으로 니켈이 환원됨에 따라 전극 반응에서는 촉매산화전류 반응으로 나타낸다. 당의 농도에 따라서 선형적으로 감응 할 수 있는 최적 조건의 니켈 나노입자를 이용하여 혈당센서를 제작하였다. 또한 체내에 존재하는 방해 인자인 아스코브산의 간섭을 억제하기 위해 음이온 고분자의 표면처리를 통하여 상대적으로 당에 선택적으로 감응하도록 하였다. 제작된 전극을 통하여 당 농도 별 산화 촉매 전류를 순환 전압 전류 법으로 측정한 결과 650 mV (vs. Ag/AgCl)에서 최대 전기적 신호가 발생되었으며, 포도당 0~6.15 mM 의 농도범위에서 전기적 신호가 선형 증가함을 확인할 수 있었다.
Top emission OLED 소자에 사용되는 ITO(Indium-Tin-Oxide)의 저항을 개선하여 보다 낮은 저항을 가지는 전극을 제작하기 위해 AZO(ZnO-Ag-ZnO)를 제작하였다. AZO박막은 기존의 ITO 박막이 수십 $\Omega$을 나타내던 것과 비교하여 $8{\Omega}$으로 매우 낮은 저항을 나타내었다. 투과율은 84%로 기존의 ITO 박막과 유사한 성능을 나타내었다.
유기 박막 electoluminescent(EL) 소자를 제작하여 전극의 일함수에 따른 출력휘도의 의존성과 휘도-전압 특성을 측정하였다. 제작된 소자의 구조는 Indium-Tin-Oxide(ITO)/정공수송층/발광층(전자수송층)/금속전극이며, 정공수송층으로는 PMMA+TPD(0.5wt%)와 측쇄 액정 고분자 메트릭스인 MC homopolymer+TPD(0.005wt%)와 (MC/MMA)copolymer+TPD(0.005wt%)을 사용하였으며, 발광층은 $Alq_{3}$을, 금속전극으로는 Ca, Mg, Mg:Ag(10:1) 와 Al을 사용하였다. 출력특성이 전압에 따른 정류특성을 가짐을 보였으며, 소자의 문턱전압은 5볼트이고, 출력 휘도는 10 볼트에서 700 $Cd/m^{2}$이상의 휘도를 보였다.
As the flexible displays have been considered as a breakthrough to make a new electronics category, transparent electrodes have also confronted with an emerging issue, i.e., they also need to be mechanically flexible. For this to be made possible, a transparent electrode capable of withstanding large amounts of strain must be developed. Indium tin oxide (ITO) has been one of the most widely adopted transparent electrodes for displays and other transparent electronics, mainly supported by its high electrical conductivity and optical transparency. However, its brittle nature has forced the display industry to search for other alternatives. Recently, advances in nano-material researches have opened the door for various transparent conductive materials, which include carbon nanotube, graphene, Ag and Cu nanowire, and printable metal grids. Here we reviewed recently-published research works introducing flexible displays, all of which are employing the novel candidates for a conducting material.
기존에 사용되고 있는 ITO(Indium-Tin-Oxide)의 저항보다 낮은 저항을 가지는 AZO(ZnO-Ag-ZnO) 전극을 Top emission 방식의 OLED(organic light emitting diode)에 적용하여 발광 소자를 제작하였다. AZO박막은 기존의 ITO박막이 수십 ${\Omega}$을 나타내던 것과 비교하여 $8{\Omega}$으로 매우 낮은 저항을 나타내었다. 투과율은 84%로 기존의 ITO박막과 유사한 성능을 나타내었다.
We investigated the electrochemical properties for Langmuir-Blodgett (LB) films mixed with fatty acid (8A5H) and phospholipid (DLPE, DMPC, and DPPA). LB films of 8A5H monolayer and 8A5H-phospholipid mixture were deposited using the Langmuir-Blodgett method on the indium tin oxide(ITO) glass. The electrochemical properties measured using cyclic voltammetry with three-electrode system, an Ag/AgCl reference electrode, a platinum wire counter electrode and LB film-coated ITO working electrode at various concentrations(0.1, 0.5, and 1.0 mol/L) of $NaClO_4$ solution. A measuring range was reduced from initial potential to -1350 mV, continuously oxidized to 1650 mV and measured to the initial point. The scan rate was 50, 100, 150 and 200 mV/s, respectively. As a result, LB films of fatty acid and phospholipid (8A5H/DLPE and DPPA) appeared irreversible process were caused by only the reduction current from the cyclic voltammogram and LB film of 8A5H-DMPC mixture was found to be caused by a reversible oxidation-reduction process.
We investigated the electrochemical properties for Langmuir-Blodgett (LB) films mixed with 4-octyl-4'-(5-carboxylpentamethyleneoxy)azobenzene (denoted as 8A5H) and $phospholipid(L-{\alpha}-dimyristoylphosphatidylcholine$, denoted as DMPC). LB films of 8A5H monolayer and 8A5H-DMPC were deposited by using the Langmuir-Blodgett method on the indium tin oxide(ITO) glass. The electrochemical properties measured by using cyclic voltammetry with a three_electrode system, an Ag/AgCl reference electrode, a platinum wire counter electrode and LB film-coated ITO working electrode at various concentrations(0.1, 0.5, and 1.0mol/L) of $NaClO_4$ solution. A measuring range was reduced from initial potential to -1350mV, continuously oxidized to 1650mV and measured to the initial point. The scan rates were 50, 100, 150 and 200mV/s, respectively. As a result, LB films of 8A5H monolayer appeared irreversible process caused by only the oxidation current from the cyclic voltammogram and LB films of 8A5H-DMPC mixture were found to be caused by a reversible oxidation-reduction process.
We studied electrochemical characteristics of Langmuir-Blodgett(LB) films by using cyclic voltammetry with a three-electrode system. An Ag/AgCl as a reference electrode, a platinum wire as a counter electrode and LB film-coated indium tin oxide(ITO) as a working electrode were used to study electrochemical characteristics at a various concentration of $NaClO_4$ solution. LB films were reduced from initial potential to -1350 mV, continuously oxidized to l650mV and returned to the initial point. The scan rate was l00mV/s. The monolayer surface morphology of the LB film have been measured by Atomic Force Microscope(AFM). As a result, We comfirmed that the microscopic properties of LB film by AFM showed the good orientation of momolayer molecules and the thickness of monolayer was 3.5-4.lnm. The cyclic voltammograms(CV) of the ITO-coated glass showed the peak potentials for the reduction-oxidation reation. LB films of 4-octyl-4'-(5-carboxypentamethyleneoxy) azobenzene(8A5H) / L-${\alpha}$-phosphayidyl choline, dilauroyl(DLPC) seemed to be irreversible process caused by only the oxidation current from the cyclic voltammogram. The current of oxidatation increased at cyclic voltammogram by increasing 8A5H density in LB films. The diffusivity(D) of LB films increased with increasing of a 8A5H amount and was inversely proportional to the concentration of $NaClO_4$ solution.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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