Kim, Myeong-Hyun;Song, Jae-Won;Nam, Yoon-Ho;Kim, Dong-Hyung;Yu, Si-Young;Moon, Hwan-Gyun;Yoo, Bong-Young;Lee, Jung-Ho
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.49
no.3
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pp.301-306
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2016
The effects of nanotexturing and post-etching on the reflection and quantum efficiency properties of diamond wire sawn (DWS) multicrystalline silicon (mc-Si) solar cell have been investigated. The chemical solutions, which are acidic etching solution (HF-$HNO_3$), metal assisted chemical etching (MAC etch) solutions ($AgNO_3$-HF-DI, HF-$H_2O_2$-DI) and post-etching solution (diluted KOH at $80^{\circ}C$), were used for micro- and nano-texturing at the surface of diamond wire sawn (DWS) mc-Si wafer. Experiments were performed with various post-etching time conditions in order to determine the optimized etching condition for solar cell. The reflectance of mc-Si wafer texturing with acidic etching solution showed a very high reflectance value of about 30% (w/o anti-reflection coating), which indicates the insufficient light absorption for solar cell. The formation of nano-texture on the surface of mc-Si contributed to the enhancement of light absorption. Also, post-etching time condition of 240 s was found adequate to the nano-texturing of mc-Si due to its high external quantum efficiency of about 30% at short wavelengths and high short circuit current density ($J_{sc}$) of $35.4mA/cm^2$.
The superconducting properties of high temperature superconducting (HTS) GdBCO coated conductor (CC) tape (Ag/GdBCO/Buffer-layers/Stainless Steel) were investigated, specifically a series of samples prepared by vacuum heat treatment (200℃ to 600℃), using a Quantum Design PPMS-14. The critical current density Jc value was obtained by applying the modified Bean model to the irreversible magnetization ∆Mirr(H) data which was estimated from the magnetization M(H) loop. The reduction rates of lnJc and Tc values according to the increase of the vacuum annealing temperature Tan were d(lnJc)/dTan = - 0.016 A/(cm2∙℃) and dTc/dTan = - 0.24, respectively. We examined the effect of recovery temperature Tre (475℃ to 700℃) and recovery duration time t (0.5 h to 24 h) on the restoration of previously completely lost superconductivity in samples that subsequently received heat treatment in an O2 gas flow space. All samples were fully restored to superconductivity by heat treatment in an O2 gas flow space. The recovery temperatures Tre (475℃ to 700℃) and recovery duration times t (0.5 h to 24 h) were both independent of the superconductivity recovery characteristics.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.151-151
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2012
A new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HIPIMS, was developed to implant non-gaseous ions into materials surface. HIPIMS is a special mode of operation of pulsed-DC magnetron sputtering, in which high pulsed DC power exceeding ~1 kW/$cm^2$ of its peak power density is applied to the magnetron sputtering target while the average power density remains manageable to the cooling capacity of the equipment by using a very small duty ratio of operation. Due to the high peak power density applied to the sputtering target, a large fraction of sputtered atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed plasma of sputtered target material by HIPIMS operation, the implantation of non-gaseous ions can be successfully accomplished. The new process has great advantage that thin film deposition and non-gaseous ion implantation along with in-situ film modification can be achieved in a single plasma chamber. Even broader application areas of PIII&D technology are believed to be envisaged by this newly developed process. In one application of non-gaseous plasma immersion ion implantation, Ge ions were implanted into SiO2 thin film at 60 keV to form Ge quantum dots embedded in SiO2 dielectric material. The crystalline Ge quantum dots were shown to be 5~10 nm in size and well dispersed in SiO2 matrix. In another application, Ag ions were implanted into SS-304 substrate to endow the anti-microbial property of the surface. Yet another bio-application was Mg ion implantation into Ti to improve its osteointegration property for bone implants. Catalyst is another promising application field of nongaseous plasma immersion ion implantation because ion implantation results in atomically dispersed catalytic agents with high surface to volume ratio. Pt ions were implanted into the surface of Al2O3 catalytic supporter and its H2 generation property was measured for DME reforming catalyst. In this talk, a newly developed, non-gaseous plasma immersion ion implantation technique and its applications would be shown and discussed.
The characteristics of crude enzyme produced from Trichoderma viride($O_2-1$) which isolated from half spoiled Locust acacia wood (Robinia Pseudacacia Linne) were examined in this paper. The results obtained were summarized as follows: 1) As a results of enzymatic action on several cellulose substrate it was found that there were some sorts of cellulase in crude enzyme. 2) The activity of C.M.C. ase and ${\beta}-glucosidase$ were decreased in accordance with increasing concentration of substrate, and filter paper saccharifying enzyme relatively increased in accordance with increasing concentration of substrate and enzyme in couse of time. 3) The optimal pH of each enzyme was 5.0 and the range of stability on pH generally from 3 to 6. 4) In disintegrating activity on filter paper, in decomposing activity on C.M.C. and $p-nitrophenyl-{\beta}-D-glucoside$, and in saccharifying activity on filter paper, the optimal temperatures were $50^{\circ}C.,\;60^{\circ}C,\;and\;65^{\circ}C$. 5) The order of stability on temperature was as follow; saccharifying activity on filter paper decomposing activity on C.M.C. disintegrating activity on filter paper>decomposing activity on $p-nitrophenyl-{\beta}-D-glucoside$. 6) The activity of the enzymes was inhibited with mercuric and silver ion, and activated with potassium.
Pigments used paintings, ornaments, weapons and various objects have been recognised as important elements to ascertain the history, manufacturing technique and cultural migration. Since the understanding of composition of pigments by analysis began in 1963, its technique and methodology has much advanced in recent years; recent study used the portable X-ray Fluorescence as non-destructive analysis has been practiced in particular. However the study on pigments necessitates overall and systematic research because it is difficult to understand periodical and regional use of pigments. by fractional studies. Therefore this research investigates the coloring materials and painting techniques of the scroll painting depicting preaching scene of Sakyamuni Buddha in Daeungjeon Hall, a main hall of Bulguk temple, through scientific analysis and comparison of various pigments which had been applied to the buddhist paintings of Joseon Dynasty. Consequently, it is confirmed that the scroll painting used pigments of white lead[$2PbCO_3{\cdot}Pb(OH)_2$] for ground layer and used mixture of different pigments such as cinnabar (HgS) minium($Pb_3O_4$) malachite($2CuO{\cdot}CO_2{\cdot}H_2O$) hematite($Fe_2O_3$) gold(Ag) for presenting various colors on the painting layer. It has been also believed that mineral pigments were applied to the scroll painting, yet it is difficult to confirm whether it is natural or synthetic pigments because the crystal structures of pigments were not analyzed. The results of this study, however, provide useful reference data for the understanding of the components of pigments and manufacturing techniques of buddhist scroll paintings, in particular, of Joseon Dynasty.
So, Chil-Sup;Yun, Seong-Taek;Kim, Se-Hyun;Youm, Seung-Jun;Heo, Chul-Ho;Choi, Seon-Gyu
Economic and Environmental Geology
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v.26
no.4
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pp.433-444
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1993
Electrum (32~73 atom. % Ag)-sulfide mineralization of the Bodeok mine in the Boseong area was deposited in two stages of mineralogically simple, massive quartz veins that fill the fractures along fault shear zones in Precambrian gneiss. Radiometric dating indicates that mineralization is Late Jurassic age ($155.9{\pm}2.3$ Ma). Fluid inclusion data show that ore mineralization was formed from $H_2O-CO_2$ fluids with variable $CO_2$ contents ($X_{CO_2}=0.0$ to 0.7) and low salinities (0.0 to 7.4 wt. % eq. NaCl) at temperatures between $200^{\circ}$ and $370^{\circ}C$. Evidence of fluid unmixing ($CO_2$ effervescence) indicates pressures up to 1 kbar. Gold-silver deposition occurred later than base-metal sulfide deposition, at temperatures near $250^{\circ}C$ and was probably a result of cooling and decreasing sulfur activity caused by sulfide precipitation and/or $H_2S$ loss (through fluid unmixing). Calculated sulfur isotope compositions of ore fluids (${\delta}^{34}S_{{\Sigma}S}=1.7$ to 3.3‰) indicate an igneous source of sulfur in hydrothermal fluids. Measured and calculated O and H isotope compositions of ore fluids (${\delta}^{18}O_{water}=4.8$ to 7.2‰, ${\delta}D_{water}=-73$ to -76‰) indicate that mesothermal auriferous fluids at Bodeok were likely mixtures of $H_2O-rich$, isotopically evolved meteoric waters and magmatic $H_2O-CO_2$ fluids.
Enzymatical properties of Streptomyces sp. S-45 producing chitinase and ${\beta}$-1.3-glucanase isolated from soil were investigated. Chitinase activity was 3.01(U/ml) and ${\beta}$-1.3-glucanase activity was 2.49(U/ml). The optimum medium for mycolytic enzyme production of strain was composed of 0.7% colloidal chitin, 0.3% glucose, 0.5% asparagine, 0.2% peptone, 0.01% NaCl, 0.01% $K_2HPO_4$ and 0.01% $MgSO_4{\cdot}7H_2O$ in intial pH 7.0. The optimal condition for mycolytic enzyme activities were: pH 6.5-7.0, $45-50^{\circ}C$. Enzyme activities were activated by metal ion as $10^{-2}M\;Co^{{+}{+}}$, $Cu^{{+}{+}}$, $Mn^{{+}{+}}$, $Al^{{+}{+}{+}}$ and $10^{-3}M\;Sn^{{+}{+}}$ but $Ag^{{+}{+}}$, $Hg^{{+}{+}}$ inhibited.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.315-315
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2016
The hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film solar cells using n/Al or n/Ag/Al back reflector have low short circuit current (Jsc) due to high absorption coefficients of Al or work function difference between n-layer and the metal. In this article, we utilized aluminum doped zinc oxide (AZO) to raise the internal reflectance for the improvement of short current density (Jsc) in a-Si:H thin film solar cells. It was found that there was a slight increase in the reflectance in the long wavelength range at the process temperature of 125oC due to improved crystalline quality of the AZO back reflector. The optical band gap (Eg) and work function were affected by the temperature and so did the internal reflectance. The increased internal reflectance within the solar cell resulted in Jsc of 14.94 mA/cm2 and the efficiency of 8.84%. Jsc for the cell without back reflector was 12.29 mA/cm2.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.3
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pp.185-191
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2017
Cadmium compounds with one dimension (1D) nanostructures have attracted attention for their excellent electrical and optical properties. In this study, vertically aligned CdTe-Si nanostructures with high density were synthesized by several simple chemical reactions. First, l D Te nanostructures were synthesized by silver assisted chemical Si wafer etching followed by a galvanic displacement reaction of the etched Si nanowires. Nanowire length was controlled from 1 to $25{\mu}m$ by adjusting etching time. The Si nanowire galvanic displacement reaction in $HTeO_2{^+}$ electrolyte created hybrid 1D Te-branched Si nanostructures. The sequential topochemical reaction resulted in $Ag_2Te-Si$ nanostructures, and the cation exchange reaction with the hybrid 1D Te-branched Si nanostructures resulted in CdTe-Si nanostructures. Wet chemical processes including metal assisted etching, galvanic displacement, topochemical and cation exchange reactions are proposed as simple routes to fabricate large scale, vertically aligned CdTe-Si hybrid nanostructures with high density.
Jang, Eunseok;Baek, Sanghun;Jang, Byung Yeol;Lee, Jeong Chul;Park, Sang Hyun;Rhee, Young Woo;Cho, Jun-Sik
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2011.05a
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pp.128.2-128.2
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2011
스테인레스 스틸 유연기판 위에 플라즈마 화학기상 증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 nip 구조의 미세결정질 실리콘 박막 태양전지 (microcrystalline silicon thin film solar cell)를 제조하고 i ${\mu}c$-Si:H광 흡수층과 p ${\mu}c$-Si:H 사이에 i a-Si:H 버퍼 층을 삽입하여 i/p 계면특성을 개선하고 이에 따른 태양전지 성능특성 변화를 조사하였다. ${\mu}c$-Si:H 박막으로 이루어진 i/p 계면에서의 구조적, 전기적 결함은 태양전지 내에서 생성된 캐리어의 재결합과 shunt resistance 감소를 초래하여 개방전압 (open circuit voltage) 및 곡선 인자 (fill factor)를 감소시키는 것으로 알려졌다. 제조된 미세결정질 실리콘 박막 태양전지는 SUS/Ag/ZnO:Al/n ${\mu}c$-Si:H/i ${\mu}c$-Si:H/p ${\mu}c$-Si:H 구조로 제작되었으며 i/p 계면 사이의 i a-Si;H 버퍼층 두께를 변화시키고 이에 따른 태양전지의 특성을 조사하였다. 태양전지의 구조적, 전기적 특성 변화는 Scanning Electron Microscope (SEM), UV-visible-nIR spectrometry, Photo IV와 Dark IV를 통하여 조사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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